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一种湿法刻蚀的方法,包括:提供基底,所述基底表面具有待刻蚀层;对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理,直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度,每次所述刻蚀处理包括:进行第一步刻蚀,所述第一步刻蚀中,所述基底具有第一转速;在所述第一步刻蚀之后,进行第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种湿法刻蚀的方法,包括:提供基底,所述基底表面具有待刻蚀层;对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理,直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度,每次所述刻蚀处理包括:进行第一步刻蚀,所述第一步刻蚀中,所述基底具有第一转速;在所述第一步刻蚀之后,进行第二...