一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法技术

本公开具体提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法，该半导体器件包括晶圆。晶圆具有正面、背面及侧面，正面和背面分别处于晶圆的两侧。晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，弧形延展部自晶圆的正面延伸出，竖直延展部同时垂直于晶圆的正面和晶圆的背面。该加工方法包括：执行晶圆处理工艺后，对晶圆边缘进行研磨处理，以形成弧形延展部和竖直延展部，对晶圆背面进行研磨处理，以使晶圆的厚度减小至裸片的厚度。基于对晶圆边缘的研磨处理，本公开能够有效降低甚至避免晶圆边缘破损问题发生的可能性，从而有效地保护了待进行封装的晶圆。因此，本公开能够极大地提高半导体器件的良率，从而明显降低了半导体器件的生产成本。产成本。产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法


[0001]本公开涉及半导体器件加工
，更为具体来说，本公开提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，半导体器件产品越来越趋于高集成化和小型化，各种半导体器件封装技术也随之在不断发展。常用的半导体器件封装技术包括：裸片堆叠封装(Die stacking)、叠层封装(Package on Package stacking)、叠层芯片封装(Chip on Chip)、晶圆级封装(Chip on Wafer)、多晶圆堆叠(Wafer on Wafer Stacking)等。其中，封装工艺前的晶圆厚度也变得越来越小，即要形成的裸片(Die)厚度越来越小。较薄的晶圆容易出现边缘破损(Edge Chipping)问题，进而可能引发整块晶圆损伤，导致半导体器件的良率下降以及成本提高。
[0003]因此，如何加强对变薄后的晶圆进行有效地保护，进而提高基于晶圆形成的半导体器件的良率，并降低半导体器件的成本，成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：晶圆，具有正面、背面及侧面；所述正面和所述背面分别处于晶圆的两侧；所述侧面具有弧形延展部和竖直延展部，所述弧形延展部自所述正面延伸出，所述竖直延展部垂直于所述正面和所述背面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述弧形延展部，在晶圆纵截面上形成圆弧，圆弧的长度小于晶圆的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述正面和/或所述背面上形成有电路图案。4.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括：执行晶圆处理工艺，以在所述晶圆上形成电路图案；对晶圆边缘进行至少一次研磨处理，以使晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，所述弧形延展部自晶圆的正面和背面延伸出，所述竖直延展部垂直于所述正面和所述背面；对晶圆背面进行至少一次研磨处理，以使晶圆的厚度减小至待形成的裸片的厚度。5.根据权利要求4所述的半导体器件的加工方法，其特征在于，所述对晶圆边缘进行至少一次研磨处理，以使晶圆的侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹炅一，吴容哲，高建峰，张月，刘卫兵，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：