一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法技术

本公开具体提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法，该半导体器件包括晶圆。晶圆具有正面、背面及侧面，正面和背面分别处于晶圆的两侧。晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，弧形延展部自晶圆的正面延伸出，竖直延展部同时垂直于晶圆的正面和晶圆的背面。该加工方法包括：执行晶圆处理工艺后，对晶圆边缘进行研磨处理，以形成弧形延展部和竖直延展部，对晶圆背面进行研磨处理，以使晶圆的厚度减小至裸片的厚度。基于对晶圆边缘的研磨处理，本公开能够有效降低甚至避免晶圆边缘破损问题发生的可能性，从而有效地保护了待进行封装的晶圆。因此，本公开能够极大地提高半导体器件的良率，从而明显降低了半导体器件的生产成本。产成本。产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法


[0001]本公开涉及半导体器件加工
，更为具体来说，本公开提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，半导体器件产品越来越趋于高集成化和小型化，各种半导体器件封装技术也随之在不断发展。常用的半导体器件封装技术包括：裸片堆叠封装(Die stacking)、叠层封装(Package on Package stacking)、叠层芯片封装(Chip on Chip)、晶圆级封装(Chip on Wafer)、多晶圆堆叠(Wafer on Wafer Stacking)等。其中，封装工艺前的晶圆厚度也变得越来越小，即要形成的裸片(Die)厚度越来越小。较薄的晶圆容易出现边缘破损(Edge Chipping)问题，进而可能引发整块晶圆损伤，导致半导体器件的良率下降以及成本提高。
[0003]因此，如何加强对变薄后的晶圆进行有效地保护，进而提高基于晶圆形成的半导体器件的良率，并降低半导体器件的成本，成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。

技术实现思路

[0004]为解决现有的晶圆容易发生边缘破损以及进而易导致整块晶圆损伤等问题，本公开创新地提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法，以极大降低甚至避免晶圆边缘破损的可能性，提高半导体器件良率。
[0005]为实现上述的技术目的，本公开能够具体提供一种半导体器件，该半导体器件包括晶圆。该晶圆具有正面、背面及处于晶圆边缘的侧面，正面和背面分别处于晶圆的两侧。晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，弧形延展部自晶圆的正面延伸出，竖直延展部同时垂直于晶圆的正面和晶圆的背面。弧形延展部在该晶圆纵截面上形成圆弧，圆弧的长度小于晶圆的厚度。弧形延展部在晶圆边缘形成较小的斜面，本公开能够利用晶圆边缘较小的斜面达到降低甚至避免晶圆边缘破损的可能性等目的。
[0006]为实现上述技术目的，本公开还提供了一种半导体器件的加工方法，该加工方法可包括但不限于如下的步骤。
[0007]执行晶圆处理工艺，以在晶圆上形成电路图案。然后对晶圆边缘进行至少一次研磨处理，以使晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，弧形延展部自晶圆的正面和背面延伸出，竖直延展部同时垂直于晶圆的正面和晶圆的背面。接下来，对晶圆背面进行至少一次研磨处理，以使晶圆的厚度减小至待形成的裸片的厚度。
[0008]为实现上述技术目的，本公开还可提供一种晶圆的处理方法，该处理方法可包括但不限于本公开任一实施例中的半导体器件的加工方法。而且该处理方法还可包括但不限于依次进行的晶体生长工艺、整形工艺、切片工艺、磨片倒角工艺、刻蚀工艺、抛光工艺、清洗工艺以及在清洗工艺后进行对得到的晶圆进行检查。
[0009]本公开的有益效果为：基于对晶圆边缘的研磨处理，本公开能够有效降低甚至避免晶圆边缘破损问题发生的可能性，从而有效地保护了待进行封装的晶圆。所以本公开能够极大地提高半导体器件的良率，从而明显地降低了半导体器件的生产成本。本公开有效地避免了在晶圆厚度减小后易发生破损的问题，可见本公开有助于半导体器件小型化和集成化的发展，而且能够促进器件封装工艺的发展，市场潜力非常大，适于推广应用。
附图说明
[0010]图1示出了现有的待进行减薄处理的晶圆纵截面的结构示意图(水平虚线上方表示要留下的晶圆部分，圆圈虚线示出减薄处理后锐利的斜面)。
[0011]图2示出了本公开一些实施例对图1示出的晶圆进行边缘研磨处理后的晶圆纵截面的结构示意图。
[0012]图3示出了本公开一些实施例对图2示出的晶圆进行背面研磨处理后的晶圆纵截面的结构示意图。
[0013]图4示出了本公开一些实施例提供的晶圆最终结构示意图。
[0014]图5示出了本公开一些实施例中晶圆的处理方法的流程示意图。
[0015]图中，
[0016]100、正面。
[0017]101、背面。
[0018]102、侧面。
[0019]1020、弧形延展部。
[0020]1021、竖直延展部。
[0021]t、裸片厚度。
[0022]r、圆弧的长度。
具体实施方式
[0023]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0024]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0025]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0026]本公开一些实施例能够提供一种半导体器件的加工方法，该加工方法可包括但不限于如下的一个或多个步骤。
[0027]先执行晶圆处理工艺，以在晶圆上形成电路图案。该过程可基于事先设计的电路图案在晶圆上形成一个或多个半导体器件，电路图案根据功能要求进行设计，本实施例不再进行赘述。
[0028]如图1所示，提供了本公开待进行加工的晶圆。图1中虚线圆圈中的部分表示经过现有背面减薄工艺后形成的较大的斜面，图示较大的斜面会诱发晶圆边缘破损，进而可能损伤整个晶圆及其上的电路图案。
[0029]如图2、3所示，对晶圆边缘进行至少一次研磨处理，以使该晶圆的侧面102具有弧形延展部1020和竖直延展部1021，弧形延展部1020自晶圆的正面100和背面101延伸出，晶圆边缘的竖直延展部1021与上下两个弧形延展部1020相连，竖直延展部1021同时垂直于晶圆的正面100和背面101。可见本公开可通过一次研磨达到使晶圆侧面形成的斜面减小的目的，当然也可通过多次研磨达到使晶圆侧面形成的斜面减小的目的，以能够达到本公开的技术目的为准。由此可见，本公开一个或多个实施例中创新地对晶圆边缘进行处理，并且能够达到减小晶圆边缘曲面弯曲度的目的，避免后续的减薄工艺中形成锐利的边缘(sharp edge)。
[0030]本公开一个或多个优选的实施例中，在对晶圆边缘进行至少一次研磨处理、以使晶圆边缘的侧面102具有弧形延展部1020和竖直延展部1021的步骤包括：通过研磨晶圆的方式使晶圆的侧面102具有弧形延展部1020和竖直延展部1021，并研磨至弧形延展部1020在晶圆纵截面上可形成的圆弧的长度小于待形成的裸片的厚度时停止，如图2中所示，圆弧的长度r本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：晶圆，具有正面、背面及侧面；所述正面和所述背面分别处于晶圆的两侧；所述侧面具有弧形延展部和竖直延展部，所述弧形延展部自所述正面延伸出，所述竖直延展部垂直于所述正面和所述背面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述弧形延展部，在晶圆纵截面上形成圆弧，圆弧的长度小于晶圆的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述正面和/或所述背面上形成有电路图案。4.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括：执行晶圆处理工艺，以在所述晶圆上形成电路图案；对晶圆边缘进行至少一次研磨处理，以使晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，所述弧形延展部自晶圆的正面和背面延伸出，所述竖直延展部垂直于所述正面和所述背面；对晶圆背面进行至少一次研磨处理，以使晶圆的厚度减小至待形成的裸片的厚度。5.根据权利要求4所述的半导体器件的加工方法，其特征在于，所述对晶圆边缘进行至少一次研磨处理，以使晶圆的侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹炅一，吴容哲，高建峰，张月，刘卫兵，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：