梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点技术

本发明专利技术提供了一种梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点，属于量子点制备技术领域。方法包括以下步骤：S1、将Cd源、Se源、配位溶剂和非配位溶剂混合，得到混合溶液；S2、将步骤S1的混合溶液升温至第一温度保温，然后降温至第二温度保温，得到含有量子点晶核的混合溶液；S3、将步骤S2的混合溶液升温至第三温度保温；S4、将步骤S3的混合溶液升温至第四温度保温，形成CdSe量子点；其中，第一温度和第二温度的温度差为10

【技术实现步骤摘要】
梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点


[0001]本专利技术涉及量子点制备
，特别涉及一种梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点。

技术介绍

[0002]量子点，是由成千上万个原子有序紧密组合在一起的准零维纳米材料，其颗粒半径接近或小于激子波尔半径，又称为纳米晶。由于具有量子限域效应、量子尺寸效应等独特性质，其分立的量子能级结构，受激后可以发射荧光，展现出优异的光学性能。与传统的纳米晶和有机染料相比，量子点材料具有宽的激发区域和较窄的发射光谱，荧光光谱的范围可分布在全部可见光范围内，具有更强的光吸收能力和稳定的发光性能，在发光器件，光学生物标记，半导体等领域具有广泛的应用前景。同时，基于上述的量子效应，通过一定方式调控量子点的尺寸、晶型和组分可以很好地调控其发光性能。
[0003]目前，合成量子点的方法有许多种，如有机金属法，水相合成法，气相沉淀法和微乳液合成法；其中水相合成法由于可以快速、低成本的制备出生物相容的量子点受到了研究者们的广泛关注。而常用的水相合成法有大致可以分为高温注射法和非注射法(一锅法)两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种梯度变温合成CdSe量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将Cd源、Se源、配位溶剂和非配位溶剂混合，得到混合溶液；S2、将步骤S1的混合溶液升温至第一温度进行保温，然后降温至第二温度进行保温，得到含有量子点晶核的混合溶液；S3、将步骤S2的混合溶液升温至第三温度进行保温；S4、将步骤S3的混合溶液升温至第四温度进行保温，形成CdSe量子点；其中，所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度和所述第四温度的大小关系为：所述第二温度<所述第一温度<所述第三温度<所述第四温度，且所述第一温度和所述第二温度的温度差为10
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30℃。2.根据权利要求1所述的梯度变温合成CdSe量子点的方法，其特征在于，从所述第一温度降温至所述第二温度的时间为1
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5min。3.根据权利要求1所述的梯度变温合成CdSe量子点的方法，其特征在于，所述第二温度为60
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90℃，在所述第二温度进行保温的时间为5
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15min。4.根据权利要求1所述的梯度变温合成CdSe量子点的方法，其特征在于，所述第一温度为90
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120℃，在所述第一温度进行保温的时间为5
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15min。5.根据权利要求1所述的梯度变温合成CdSe量子点的方法，其特征在于，所述第三温度为180
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220℃，在所述第三温度进...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞代文，朱小波，朱东亮，董博然，郭三维，徐越，朱晓亮，
申请(专利权)人：武汉珈源同创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：