量子点、其制造方法、以及包括其的量子点复合物、显示器件和电子器件技术

公开了量子点、其制造方法、以及包括其的量子点复合物、显示器件和电子器件。所述量子点不含镉。所述量子点包括锌、碲、和硒，并且包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；和半导体纳米晶体壳，其设置在所述芯上并且包括锌硫属化物，其中所述量子点进一步包括镁并且在所述量子点中Te:Se的摩尔比大于或等于约0.1:1。子点中Te:Se的摩尔比大于或等于约0.1:1。

【技术实现步骤摘要】
量子点、其制造方法、以及包括其的量子点复合物、显示器件和电子器件
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年10月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0134706的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。


[0003]公开了量子点、其制造方法、以及包括所述量子点的量子点复合物、显示器件和电子器件(设备)。

技术介绍

[0004]与块体(本体)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，带隙能量和熔点)可通过改变所述纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称为量子点)为具有在若干(几)纳米范围内的尺寸的结晶材料。由于半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸，因此所述纳米晶体颗粒具有大的每单位体积的表面积，且由此，所述颗粒呈现出量子限制效应并且将具有与相同化学组成的块体材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源的能量例如光或者所施加的电流，并且在驰豫例如返回至基态时，量子点发射与量子点的带隙能量对应的光能。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.量子点，其包括：锌，硒，和碲，其中所述量子点包括包括第一半导体纳米晶体的芯，和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，其中所述量子点进一步包括镁，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于或等于0.1:1，和其中所述量子点不包括镉。2.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点配置成发射绿色光。3.如权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体包括包含锌、碲、和硒的第一锌硫属化物。4.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于或等于0.15:1。5.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，镁相对于碲的摩尔比大于或等于0.001:1且小于或等于10:1。6.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，镁存在于所述芯中、所述半导体纳米晶体壳中、或者所述芯中和所述半导体纳米晶体壳中。7.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点进一步包括另外的金属，并且所述另外的金属包括碱金属、铝、或其组合。8.如权利要求7所述的量子点，其中在所述量子点中，所述碱金属相对于碲的摩尔比大于或等于0.01:1。9.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点不包括磷化铟、磷化镓、或其组合。10.如权利要求2所述的量子点，其中所述绿色光具有在480纳米
‑
560纳米的范围内的最大发光峰波长。11.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的最大发光峰具有小于或等于45纳米的半宽度。12.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点呈现大于或等于60％的量子效率。13.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点具有大于或等于4.5纳米且小于或等于7纳米的尺寸。14.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点进一步包括硫，和其中在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比大于或等于0.1:1；或硫与硒之和相对于碲的摩尔比小于或等于15:1；或碲相对于硒的摩尔比小于或等于约4:1；或硫相对于锌的摩尔比小于或等于0.95:1；或碲相对于硫的摩尔比大于0.12:1。15.如权利要求1所述的量子点，
其中所述半导体纳米晶体壳包括设置在所述芯上的第一壳层和设置在所述第一壳层上的第二壳层，其中所述第一壳层包括第二半导体纳米晶体并且所述第二壳层包括具有与所述第二半导体纳米晶体不同的组成的第三半导体纳米晶体，其中所述第二半导体纳米晶体包括锌、硒、和任选地硫，并且所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫，其中所述第二半导体纳米晶体包括镁，所述第三半导体纳米晶体包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄成宇，金龙郁，权秀暻，金善英，金智荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：