量子点-纳米粒子复合薄膜的制备方法及复合薄膜技术

本申请公开了一种量子点

【技术实现步骤摘要】
量子点
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纳米粒子复合薄膜的制备方法及复合薄膜


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种量子点
‑
纳米粒子复合薄膜的制备方法及复合薄膜。

技术介绍

[0002]量子点(QD)是一种纳米级半导体材料，具有量子荧光效应；在电或者光的激发下可以发射不同色彩的荧光。量子点显示技术的色域可以达到NTSC的110％，因此量子点材料可以赋予显示器更宽广的色域，使得终端显示拥有更靓丽的色彩表现。
[0003]目前量子点彩膜的加工方法主要为光刻法和喷墨打印法，二者分别面临着发光效率低，稳定性差和重复性差，加工时间长等问题。同时为了提高彩膜的光效，通常需要加入纳米粒子，但是采用光刻法和喷墨打印的方法，不能很好的对纳米粒子进行调控；如果需要制备特殊结构的量子点彩膜就需要分步打印，减缓了制备效率。
[0004]因此，亟待提供一种制备方法，获得能够对纳米粒子进行调控的量子点
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纳米粒子复合薄膜。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种量子点/>‑
纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点
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纳米粒子复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：上基板和下基板之间具有沉积区域，将沉积液体充入所述沉积区域，所述沉积液体包括量子点和纳米粒子；对所述沉积区域提供电场，使得所述沉积液体中的所述纳米粒子和所述量子点在所述电场中进行电沉积，形成量子点
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纳米粒子复合薄膜。2.根据权利要求1所述的量子点
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纳米粒子复合薄膜的制备方法，其特征在于，通过动态调整所述电场的强度和方向，以调控电沉积过程中所述纳米粒子和所述量子点在电场中的相对运动。3.根据权利要求2所述的量子点
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纳米粒子复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述上基板连接电源正电极，所述下基板连接电源负电极，向所述沉积液体所在区域持续提供低电场进行电沉积，使所述纳米粒子在复合薄膜的上表面沉积。4.根据权利要求2所述的量子点
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纳米粒子复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述上基板连接电源正电极，所述下基板连接电源负电极，使得所述沉积液体处于低电场强度中进行电沉积；其中，在向所述沉积液体所在区域持续提供低电场强度的过程中，瞬时施加高电压以提高电场强度，最终使所述纳米粒子与所述量子点共沉积。5.根据权利要求2所述的量子点
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纳米粒子复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述上基板连接电源正电极，所述下基板连接电源负电极，使得所述沉积液体处于低电场强度中进行电沉积；并且，在向所述沉积液体所在区域持续提供低电场强度的过程中，瞬时施加高电压以提供高电场，瞬时施加反向电压以提供反向电场，用以使所述纳米粒子在所述复合薄膜的下表面沉积。6.根据权利要求1～5中任一项所述的量子点
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【专利技术属性】
技术研发人员：石志清，赵金阳，陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：