半导体纳米颗粒、电子器件和制造半导体纳米颗粒的方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体纳米颗粒、一种电子器件以及一种制造半导体纳米颗粒的方法。电子器件包括半导体纳米颗粒。半导体纳米颗粒包括：核，包括第一元素；以及壳，覆盖核的表面的至少一部分并且包括第二元素和第三元素，其中，第一元素、第二元素和第三元素彼此不同，并且第一元素和第二元素在核的表面的至少一部分上彼此化学键合。分上彼此化学键合。分上彼此化学键合。

【技术实现步骤摘要】
半导体纳米颗粒、电子器件和制造半导体纳米颗粒的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月6日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0148132号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0003]本公开的实施例的一个或多个方面涉及半导体纳米颗粒、包括该半导体纳米颗粒的电子器件和制造该半导体纳米颗粒的方法。

技术介绍

[0004]半导体纳米颗粒是尺寸为若干纳米的晶体材料，其表现出量子限制效应，并且也可以称为量子点。
[0005]半导体纳米颗粒可以从激发源接收光(例如，第一光波)并因此进入激发态，并然后发射对应于半导体纳米颗粒的能带隙的能量(例如，光或第二光波)。半导体纳米颗粒表现出诸如优异或合适的色纯度和高发光效率的特性，并且因此可以用于各种合适的应用中。例如，半导体纳米颗粒可以用于照明装置、显示装置和/或类似物中。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例的一个或多个方面涉及半导体纳米颗粒、包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体纳米颗粒，其中，所述半导体纳米颗粒包括：核，包括第一元素，以及壳，覆盖所述核的表面的至少一部分并且包括第二元素和第三元素，其中，所述第一元素、所述第二元素和所述第三元素彼此不同，并且所述第一元素和所述第二元素彼此化学键合。2.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中：所述壳包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述核与所述第二区域之间，并且所述第一区域中的所述第三元素的原子百分比低于所述第二区域中的所述第三元素的原子百分比。3.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中：所述核还包括第四元素，并且所述第一元素与所述第四元素不化学键合。4.根据权利要求3所述的半导体纳米颗粒，其中，所述第一元素与所述第四元素的原子比为0.5至2.0。5.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中：所述核包括第三区域和第四区域，所述第三区域在所述壳与所述第四区域之间，并且所述第三区域中的所述第一元素的原子百分比大于所述第四区域中的所述第一元素的原子百分比。6.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，所述第一元素的氧化数的绝对值和所述第二元素的氧化数的绝对值彼此不同。7.根据权利要求6所述的半导体纳米颗粒，其中，选自于所述第一元素的所述氧化数和所述第二元素的所述氧化数中的一个是负值，并且另一个是正值。8.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，所述第一元素和所述第二元素各自独立地为第12族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素或第16族元素。9.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，所述第一元素和所述第二元素之间的化学键为第12族元素与第16族元素的化学键、第13族元素与第15族元素的化学键、第13族元素与第16族元素的化学键、第14族元素与第12族元素的化学键、第14族元素与第13族元素的化学键、第14族元素与第16族元素的化学键、第14族元素与第15族元素的化学键、或其组合。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀浩，南敏基，金成云，朴正佑，裵完基，李昌熙，郑炳局，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：