【技术实现步骤摘要】
一种石墨坩埚、坩埚组件及拉晶炉
[0001]本技术涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种石墨坩埚、坩埚组件及拉晶炉。
技术介绍
[0002]在硅片生产过程中，通常首先需要利用拉晶炉拉制出单晶硅棒，然后将单晶硅棒切割成片状以获得硅片。
[0003]拉晶炉通常包括坩埚组件，坩埚组件包括石墨坩埚和套入在石墨坩埚中的石英坩埚，多晶硅原材料容置在石英坩埚中并且在被加热的情况下熔融为硅熔体，此时石墨坩埚可以起到防止石英坩埚因受热软化而发生变形的作用，使籽晶与硅熔体接触并将籽晶向上拉动后便可以在硅熔体液面处生长单晶硅棒。
[0004]在拉晶的收尾阶段，残留在石英坩埚中的硅熔体会因凝固而发生膨胀，对此，为了防止石墨坩埚因上述膨胀发生破裂，通常将石墨坩埚制造成多瓣式，以容许石墨坩埚产生更大的变形。但是，多瓣式石墨坩埚的瓣体之间存在有间隙，为了防止软化的石英坩埚在这样的间隙处产生塌陷或者说向外漏出，通常需要在石墨坩埚的内壁处设置石墨纸以遮盖该间隙从而防止石英坩埚发生塌陷。在实际的生产操作中，由于吊料作业的不稳定性，经常发生石墨纸偏...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨坩埚，其特征在于，所述石墨坩埚由至少两个瓣体接合而成，所述至少两个瓣体中彼此接合的两个瓣体中的第一瓣体的接合边缘形成为第一台阶部，所述第一台阶部在所述石墨坩埚的壁厚方向上具有不同的厚度，所述彼此接合的两个瓣体中的第二瓣体的接合边缘形成为与所述第一台阶部匹配的第二台阶部。2.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第一台阶部由厚度为所述石墨坩埚的壁厚的第一厚度部分和厚度小于所述石墨坩埚的壁厚的第二厚度部分组成。3.根据权利要求2所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第二厚度部分的厚度为所述石墨坩埚的壁厚的一半。4.根据权利要求3所述的石墨坩埚，其特征在于，所述第二厚度部分朝向所述第二瓣体延伸至少5cm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的石墨坩埚，其特征在于，所述至少两个瓣体的数量为三个。6.一种坩埚组件，其特征在于，所述坩埚组件包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭超超，张鹏举，陈凡，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。