氧化嫁晶体用的铂铱合金坩埚以及制备方法技术

本发明专利技术属于氧化嫁晶体技术领域，尤其是氧化嫁晶体用的铂铱合金坩埚以及铂铱合金的制作装置，其用于高氧气氛下运用提拉法和倒模法来生长氧化嫁晶体，Ir含量为30wt％

【技术实现步骤摘要】
氧化嫁晶体用的铂铱合金坩埚以及制备方法


[0001]本专利技术涉及氧化嫁晶体
，尤其涉及氧化嫁晶体用的铂铱合金坩埚以及铂铱合金的制备方法。

技术介绍

[0002]氧化镓是良好的超宽禁带半导体材料，是制造功率器件的理想材料，由于氧化镓熔点高，并且在熔点附近容易挥发和分解，晶体具有明显各种异性，易解理。这些特性均使生长大尺寸单晶非常困难；目前最成功从液相中生长氧化镓的方法是导模法，目前已可生产4英寸晶体，并开始尝试6英寸晶体的生长；
[0003]导模法需要加工精度很高的模具，由于氧化镓易分解易挥发的特性，表现出对坩埚和模具腐蚀性强，特别是EFG模具受腐蚀失去表面光洁度和尺寸精度后，就无法继续使用；而EFG模具的加工成本很高，过短的使用寿命，直接导致氧化镓晶体成本过高，难以商业化；
[0004]在高氧气氛下采用铂铑、铂铱合金作为坩埚材料进行氧化镓生长的试验，铂铑合金中，铑元素的氧化会引起氧化镓晶体着色为淡黄色；铂铱合金中，铱含量低于30％时，合金熔点仅略高于氧化镓熔点，在晶体生长过程中，由于合金熔点较低，生长氧化钾晶体可用的工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Pt
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Ir合金坩埚，其用于高氧气氛下生长氧化嫁晶体，其特征在于，所述合金坩埚中Ir含量为40wt％
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90wt％。2.一种加工如权利要求1中Pt
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Ir合金坩埚的方法，包括：熔炼Pt
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Ir合金锭，所述合金锭中Ir含量为40wt％
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90wt％；将所述合金锭在100℃以内进行研磨，获得Pt
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Ir合金粉末；将所述合金粉末放置于陶瓷模具中，所述陶瓷模...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘和平，
申请(专利权)人：陕西旭光晶体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：