集成芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种集成芯片及其制备方法，其中，集成芯片包括衬底、压电层、声表面波谐振器以及谐振电路单元；压电层形成于衬底层的一侧上，压电层上形成有隔离凹槽，以将压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；声表面波谐振器形成于压电层上，且对应第一部分设置；谐振电路单元形成于压电层上，且对应第二部分设置；其中，声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，声表面波谐振器的电信号输出端电连接谐振电路单元；通过将声表面波谐振器和谐振电路单元集成于同一芯片上，可以提升滤波器的带宽，同时提高器件集度、减小功耗、降低芯片面积和制造成本。降低芯片面积和制造成本。降低芯片面积和制造成本。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及通信设备
，尤其是一种集成芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]5G通信带动射频前端市场高速发展。与4G相比，5G手机中射频前端各种器件都会大幅增加。5G网络的部署分为两个阶段，第一阶段为Sub
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6GHz,第二阶段为毫米波频段。具体地讲，第一阶段新增四个频段，即n41(频率范围2.496
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2.69GHz,带宽196MHz),n77(频率范围3.3
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4.2GHz,带宽900MHz),n78(频率范围3.3
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3.8GHz,带宽500MHz),n79(频率范围4.4
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5.0GHz,带宽600MHz)。5G和未来通信使用的频率将越来越高，以满足移动通信对更大带宽的需求。
[0003]在4G及以前的通信中，射频滤波器主要有SAW滤波器，即声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave)，而现有的普通声表面波滤波器，应用频段较低；能适用高频段的声表面波滤波器制作工艺复杂，成本较高。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：衬底；压电层，形成于所述衬底层的一侧上，所述压电层上形成有隔离凹槽，以将所述压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；声表面波谐振器，形成于所述压电层上，且对应所述第一部分设置；以及，谐振电路单元，形成于所述压电层上，且对应所述第二部分设置；其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器的电信号输出端电连接所述谐振电路单元。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：叉指换能器，设于所述压电层，包括并排设置的输入换能器和输出换能器，所述输入换能器用以将输入的电信号转化为声波输出，所述输出换能器用以接收所述输入换能器输出的声波、并转化为电信号输出；以及，两个反射器，分设于所述输入换能器和所述输出换能器相背离的两侧；其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端包括所述输入换能器的输入端，所述声表面波谐振器的电信号输出端包括所述输出换能器的输出端。3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述谐振电路单元包括：第一介质层，形成于所述压电层背离所述衬底层的端面；以及，元器件组，形成于所述第一介质层，所述元器件组包括并排间隔设置且相互电连接的电感、电容以及电阻；其中，所述声表面波谐振器的电信号输出端与所述电感、所述电容或者所述电感中的一个电连接。4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述谐振电路单元包括：第二介质层，形成于所述压电层背离所述衬底层的一侧；以及，元器件层组，包括依次层叠设置的电感层、电容层以及电阻层，所述电感层、所述电容层以及所述电阻层之间电连接；其中，所述声表面波谐振器的电信号输出端与所述电感层、所述电容层或者所述电感层中的一个电连接。5.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述谐振电路单元与所述声表面波谐振器之间设有互联结构，以使所述声表面波谐振器电连接所述谐振电路单元。6.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述压电层设置为氮化铝薄膜。7.一种基于权利要求1
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6中任意一项所述的集成芯片的集成芯片制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊永辉，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：