一种超结高压器件结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超结高压器件结构及制造方法，属于半导体分立器件技术领域，解决了现有技术中超结MOSFET器件雪崩击穿时寄生BJT引起的二次击穿效应的问题。本发明专利技术具体技术方案为，通过在超结高压器件的trench Gate之间增加了并联的二极管结构，且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布，形成两个间隔的P+区以弱化轻掺杂P型区的电场。本发明专利技术改善了超结MOSFET二极管导通状态下的注入效率，减少了少子注入，反向回复时间和反向回复电荷都得到有效降低；一定程度上避免了寄生NPN结构的开启导致的雪崩耐量降低，提高了抗浪涌能力。提高了抗浪涌能力。提高了抗浪涌能力。

【技术实现步骤摘要】
一种超结高压器件结构及制造方法


[0001]本专利技术属于半导体分立器件
，涉及一种超结高压器件结构及制造方法。

技术介绍

[0002]超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。它在普通垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）基础上，引入超结（Superjunction）结构，使之即具有VDMOS输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、电压控制、热稳定性好、驱动电路简单，又克服了VDMOS的导通电阻与击穿电压成2 .5次方关系急剧增加的缺点。目前超结VDMOS已广泛应用于电脑、手机、照明以及液晶或等离子电视机和游戏机等消费电子产品的电源或适配器。
[0003]尽管超结VDMOS器件相对与传统功率半导体器件具有显著的优势，但是也存在固有的缺陷，除了具有生产工艺难度大的先天缺点外，同时反向恢复特性相对与传统功率半导体器件差，主要表现为反向恢复峰值电流大，反向恢复系数高，反向恢复电荷大等，目前主要手段是通过增加辐照调节少子寿命的方式来调整。
[0004]不论是传统高压平面VDMOS还是超结MOSFET器件雪崩击穿时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超结高压器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1. 在N+衬底上生长一层外延层N
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（1）；步骤2. 在外延层N
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（1）表面注入P型杂质硼，并退火形成PWELL区（2）；步骤3. 在PWELL区（2）的表面，通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽后生长一定浓度的P型外延（3），使之填充满沟槽，进行CMP工艺，将沟槽外的P型外延去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；步骤4. 在PWELL区（2）的中心区域，通过光刻板刻蚀出寄生的二极管区域（4）；步骤5.通过光刻及离子注入P型杂质硼（5）；步骤6.通过外延工艺形成P型外延P
‑
（6），使之填满二极管区域（4），进行CMP工艺，将表面多余的P型外延去掉，退火使步骤5注入的P型杂质硼（5）形成两个间隔的重掺杂P+区域；步骤7.通过Trench Gate光刻版刻蚀出栅极区域的沟槽，氧化生长一层薄牺牲氧化层后将之去除，生长栅氧化层（7），淀积多晶硅并刻蚀后...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晓军，胡丹丹，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：