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本发明公开了一种超结高压器件结构及制造方法，属于半导体分立器件技术领域，解决了现有技术中超结MOSFET器件雪崩击穿时寄生BJT引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为，通过在超结高压器件的trench Gate之间增加了并联的二极管...
该专利属于龙腾半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体股份有限公司授权不得商用。

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