半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置，半导体基板具有流动主电流的有源区域以及比有源区域更靠外侧的末端区域，半导体装置具有：第1主电极，其设置于有源区域之上；第2主电极，其设置于半导体基板的与第1主电极相反侧；保护膜，其至少将末端区域覆盖；以及非电解镀层，其设置于没有被保护膜覆盖的第1主电极之上，第1主电极具有：中央部的中央电极；以及外周电极，其与中央电极隔开间隔地沿中央电极设置，保护膜从末端区域设置到外周电极的端缘部，中央电极及外周电极具有：第1金属层；以及第2金属层，其设置于第1金属层之上且包含铝，至少外周电极具有孔部，该孔部将第2金属层贯穿而到达第1金属层。该孔部将第2金属层贯穿而到达第1金属层。该孔部将第2金属层贯穿而到达第1金属层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置，特别涉及将与外部电连接的外部电极和半导体装置的主电极进行焊料接合的半导体装置。

技术介绍

[0002]在现有半导体装置中，为了降低半导体装置的通电电阻，例如，在专利文献1中公开了将表面电极和外部电极进行焊料接合的结构。在该结构中，由于通电时的热循环，对表面电极产生拉伸应力，有可能从电极端部产生裂缝。就裂缝而言，裂缝从电极向半导体装置内部发展，根据情况，半导体装置有时会电破损，成为用于使产品的热循环耐量提高的课题。
[0003]另外，由于有时焊料与表面电极通过热循环而合金化，因此为了确保热循环耐量，还需要使表面电极厚膜化，因此，如专利文献2所公开的那样通常使用镍(Ni)的非电解镀来形成电极。
[0004]专利文献1：日本特开2008
‑
182074号公报
[0005]专利文献2：日本特开2005
‑
19798号公报

技术实现思路

[0006]即使在使表面电极厚膜化的情况下也有可能在表面电极的端部产生裂缝，如果裂缝发展而到达本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其在半导体基板的厚度方向上流动主电流，在该半导体装置中，所述半导体基板具有：有源区域，其流动所述主电流；以及比所述有源区域更靠外侧的末端区域，所述半导体装置具有：第1主电极，其设置于所述有源区域之上；第2主电极，其设置于所述半导体基板的与所述第1主电极相反侧；保护膜，其至少将所述末端区域覆盖；以及非电解镀层，其设置于没有被所述保护膜覆盖的所述第1主电极之上，所述第1主电极具有：中央部的中央电极；以及外周电极，其与所述中央电极隔开间隔地沿所述中央电极设置，所述保护膜从所述末端区域设置到所述外周电极的端缘部，所述中央电极及所述外周电极具有：第1金属层；以及第2金属层，其设置于所述第1金属层之上且包含铝，至少所述外周电极具有孔部，该孔部将所述第2金属层贯穿而到达所述第1金属层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述孔部是通过点蚀形成的孔，该点蚀由形成所述非电解镀层前的前置处理形成。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第2金属层由铝
‑
硅合金构成，所述外周电极的所述第2金属层的硅浓度比所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大佐贺毅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：