无源快速阻尼电阻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及用于限制谐振的自动跟踪补偿消弧线圈阻尼电阻装置，本实用新型专利技术公开了一种无源快速阻尼电阻装置，包括消弧线圈、瓷瓶套管、阻尼电阻，其中，阻尼电阻一端通过瓷瓶套管与消弧线圈连接，另一端接地，其特征在于：还包括两个可控硅、自触发电路，所述两个可控硅反向并联连接后，与阻尼电阻并联，自触发电路连接在两个可控硅的门级之间。本实用新型专利技术可控硅短接速度快，消弧效果好；采用了自触发电路，不需要控制器对其控制；仅根据系统正常运行时候电压低，系统发生接地故障时候电压高，这两种系统的自然现象，可控硅自行断开或导通。因为采用了可控硅自触发电路工作，不需要控制器对其操作，也就实现了一次电压与二次电压完全隔离。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及用于限制谐振的自动跟踪补偿消弧线圏阻尼电 阻装置，具体涉及一种无源快速阻尼电阻装置。技术背景自动跟踪补偿消弧线圈阻尼电阻装置，在系统正常运行的时候，起到增加系统阻尼的作用，防止谐振；在系统发生接地故障的时候， 阻尼电阻必须被短路，以便系统中性点电压全部加载到消弧线圈上， 准确自动补偿系统的电容电流。传统的阻尼电阻装置，采用并联接触器方式，当在系统正常运行 的时候，接触器断开，阻尼电阻增加系统阻尼；在系统发生接地故障 的时候，接触器合闭，短接阻尼电阻，阻尼电阻退出运行。此传统方 式，有以下缺点A. 接触器短接速度慢， 一般为毫秒级，系统接地电弧已经发生， 消弧效果不好B. 接触器需要控制器对其控制。当接触器需要闭合(或断开)的 时候，控制器发送闭合(或断开)信号，使其闭合(或断开)； 一旦 闭合(或断开)信号或传输闭合(或断开)信号的线路出现故障、或 被其他电路干扰的情况下，系统发生谐振或烧毁阻尼电阻。C. 在传统阻尼装置中， 一次电压与二次电压没有完全隔离，相互 间的干扰大， 一旦阻尼装置出现故障，必然会对控制器产生影响。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题为了克服现有技术的不足，本技术的目的是提供一种短接速 度快，消弧效果好，具有无干扰、安全特点的无源快速阻尼电阻装置。(二)技术方案本技术的无源快速阻尼电阻装置，包括消弧线圈、瓷瓶套管、 阻尼电阻，其中，阻尼电阻一端通过瓷瓶套管与消弧线圈连接，另一端接地，其特征在于还包括两个可控硅、自触发电路，所述两个可 控硅反向并联连接后，与阻尼电阻并联，自触发电路连接在两个可控 硅的门级之间。所述自触发电路包括限流电阻、过压保护元件，其中，限流电阻 的一端与过压保护元件的一端连接，限流电阻和过压保护元件的另一 端分别与两个可控硅的门级连接。所述过压保护元件为压敏电阻或硒堆或双向二极管。所述限流电阻为电阻或导线。所述两个可控硅反向并联是将其中一个可控硅的阳级与另一个 可控硅的阴级连接。 (三)有益效果a. 可控硅短接速度快， 一般为微秒级，系统接地电弧正要发 生或刚发生，消弧效果好b. 采用了自触发电路，不需要控制器对其控制；仅根据系统 正常运行时候电压低，系统发生接地故障时候电压高，这 两种系统的自然现象，可控硅自行断开或导通。c. 因为采用了可控硅自触发电路工作，不需要控制器对其操 作，也就实现了一次电压与二次电压完全隔离。附图说明图l是本技术结构的示意图；图中R:阻尼电阻；SCR1、 SCR2:可控硅；Rl:限流电阻；R2: 过压保护元件；1:壳体；2:瓷瓶套管；3:消弧线圏。具体实施方式以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的保护范围。参见图l，本技术的一种无源快速阻尼电阻装置由阻尼电 阻R、可控硅SCR1、 SCR2、限流电阻R1、过压保护元件R2、壳体l、 瓷瓶套管2、消弧线圈3组成，其中A. 可控硅SCR1、 icR2反并联；B. 可控硅SCR1、 SCR2与阻尼电阻R并联；C. 限流电阻R1、过压保护元件R2组成自触发电路；D. 自触发电路连接在两个可控硅SCR1、 SCR2的门极之间；E. 在系统正常运行的时候，阻尼电阻R两端电压低，过压保 护元件R2两端电压小于其本身击穿电压，过压保护元件R2 处于断开状态，可控硅SCR1、 SCR2也处于断开状态，阻尼电 阻正常工作，以增加系统阻尼；F. 当系统发生接地故障的时候，阻尼电阻R两端电压随之升 高，过压保护元件R2两端电压大于其本身击穿电压时，过压 保护元件R2处于导通状态，可控硅SCR1、 SCR2被触发，并 处于导通状态，阻尼电阻被短路，阻尼电阻退出运行；G. 当系统接地故障消失的时候，阻尼电阻R两端电压随之降 低，过压保护元件R2两端电压小于其本身击穿电压，过压保 护元件R2处于断开状态，可控硅SCR1、 SCR2过零断开后， 不再被导通，并处于断开状态，阻尼电阻正常工作，以增加系 统阻尼。本技术实施时阻尼电阻直接固定在壳体l内。瓷瓶套管2贯穿壳体1顶部， 瓷瓶套管2上部与消弧线圏3连接，下部与阻尼电阻R连接。接地 端通过壳体1底部的穿线孔，与大地连接。可控硅SCR1、 SCR2、 限流电阻R1、过压保护元件R2固定在绝缘板上，与绝缘板整体固 定在壳体1内。两个可控硅SCR1、 SCR2反并联连接后，与阻尼电阻R并联。限流电阻R1、过压保护元件R2组成可控硅触发电路，连接在两个可控硅SCR1、 SCR2的门级之间。 本技术的元器件的型号、厂家1. R:阻尼电阻ZX18-28 (象山电阻厂)；2. SCR1、 SCR2可控硅 SKT130/16E (赛米控)3. Rl:限流电阻 RXG20-10欧/600W(北京时代嘉盈科技 有限公司)；4. R2:过压保护元件10KA180V (北京中科天力电子有限 公司)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无源快速阻尼电阻装置，包括消弧线圈、瓷瓶套管、阻尼电阻，其中，阻尼电阻一端通过瓷瓶套管与消弧线圈连接，另一端接地，其特征在于：还包括两个可控硅、自触发电路，所述两个可控硅反向并联连接后，与阻尼电阻并联，自触发电路连接在两个可控硅的门级之间。

【技术特征摘要】
1. 一种无源快速阻尼电阻装置，包括消弧线圈、瓷瓶套管、阻尼电阻，其中，阻尼电阻一端通过瓷瓶套管与消弧线圈连接，另一端接地，其特征在于还包括两个可控硅、自触发电路，所述两个可控硅反向并联连接后，与阻尼电阻并联，自触发电路连接在两个可控硅的门级之间。2、 如权利要求1所述的一种无源快速阻尼电阻装置， 其特征在于所述自触发电路包括限流电阻、过压保护元件， 其中，限流电阻的一端与过压保护元件的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋岩艳，
申请(专利权)人：宋岩艳，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]