半导体设备和制造半导体设备的方法技术

本公开的各实施例涉及半导体设备和制造半导体设备的方法。一种半导体设备及其制造方法可以包括：堆叠，包括交替堆叠的导电层和绝缘层；分离绝缘结构，穿过所述堆叠并且包括线图案、从所述线图案突出到一侧的第一突出图案以及从所述线图案突出到另一侧的第二突出图案；第一通道结构，分别在所述分离绝缘结构的所述一侧处穿过所述堆叠并且包围所述第一突出图案；以及第二通道结构，分别在所述分离绝缘结构的所述另一侧处穿过所述堆叠并且包围所述第二突出图案。所述第二突出图案。所述第二突出图案。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备和制造半导体设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月9日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0148739号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容以引用的方式并入本文。


[0003]本公开涉及电子设备，并且更具体地，涉及半导体设备和制造半导体设备的方法。

技术介绍

[0004]近来，随着在衬底上的单层中形成存储器单元的二维存储器元件的集成度提高达到极限，提出了三维存储器元件，在其中存储器单元被竖直堆叠在衬底上。另外，各种结构和制造方法正在被研发以提高具有三维结构的存储器元件的操作可靠性。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例提供了具有稳定的结构和改善的特性的半导体设备和制造半导体设备的方法。
[0006]根据本公开的实施例，半导体设备可以包括：堆叠，可以包括交替堆叠的导电层和绝缘层；分离绝缘结构，穿过堆叠，并且可以包括：线图案、从该线图案突出到一侧的第一突出图案以及从线图案突出到另一侧的第二突出图案；第一通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：堆叠，包括交替堆叠的导电层和绝缘层；分离绝缘结构，穿过所述堆叠并且包括：线图案、从所述线图案突出到一侧的第一突出图案以及从所述线图案突出到另一侧的第二突出图案；第一通道结构，分别在所述分离绝缘结构的所述一侧处穿过所述堆叠并且包围所述第一突出图案；以及第二通道结构，分别在所述分离绝缘结构的所述另一侧处穿过所述堆叠并且包围所述第二突出图案。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述第一突出图案与所述第二突出图案被对称地布置。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述第一突出图案与所述第二突出图案被不对称地布置。4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述第一通道结构与所述第二通道结构被对称地布置。5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述第一通道结构与所述第二通道结构被不对称地布置。6.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述线图案在第一方向上延伸，并且所述第一突出图案和所述第二突出图案在与所述第一方向交叉的第二方向上突出。7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述分离绝缘结构以与所述第一通道结构相比较浅的深度穿过所述堆叠。8.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括：第三通道结构，在所述一侧处穿过所述堆叠并且与所述第一突出图案间隔开。9.根据权利要求8所述的半导体设备，还包括：第四通道结构，在所述另一侧处穿过所述堆叠并且与所述第二突出图案间隔开。10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中所述第三通道结构与所述第四通道结构被对称地布置。11.根据权利要求9所述的半导体设备，其中所述第三通道结构与所述第四通道结构被不对称地布置。12.一种半导体设备，包括：第一通道结构，穿过堆叠；第二通道结构，穿过所述堆叠；以及分离绝缘结构，穿过所述堆叠并且包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炫虎，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：