存储器结构及其形成方法技术

一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于所述衬底上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口；位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。由于所述第二浮栅部相对于所述第一浮栅部是错位堆叠，使得后续形成的字线结构在包覆所述浮栅结构的侧壁时，会与所述第二浮栅部之间形成三个擦除位点，以提升存储器结构的擦除性能。的擦除性能。的擦除性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种存储器结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]NOR型闪存是基于Intel公司提出的ETOX结构发展而来的，是一种非易失性存储器，即芯片断电后仍能保持所存数据不丢失。同时NOR闪存是一种电压控制型器件，采用热电子注入方式写入数据，基于隧道效应擦除数据，其显著的一个特点是随机读取速度很快。NOR闪存作为一种非挥发性存储器具有非挥发性、高器件密度、低功耗和可电重写性等特点，被广泛应用到便携式电子产品中如手机、数码相机、智能卡等。
[0003]Flash存储单元结构与MOS器件类似，通过加入浮栅和介质层实现电荷的储存。浮栅中电子的存取会导致器件阈值电压的变化，从而来表示Flash存储单元的状态。Nor Flash阵列通过横向的栅极连接在一起，称为字线。漏极通过接触孔与纵向的金属相连，称为位线。相邻的两个器件的源极被接在一起，形成横向的源线。
[0004]然而，现有的Nor Flash器件在形成过程中仍存在诸多问题。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括存储单元区；位于所述存储单元区上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一开口；位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。2.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部的重叠面积占比所述第二浮栅部的80％～100％。3.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述控制栅结构覆盖所述第二浮栅部的顶部表面、以及所述第一浮栅部暴露出的顶部表面。4.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述浮栅结构包括：第一隧穿氧化层、位于所述第一隧穿氧化层上的浮栅层、以及位于所述浮栅层侧壁的第二隧穿氧化层。5.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述控制栅结构包括：第一栅介质层、位于所述第一栅介质层上的控制栅层、以及位于所述控制栅层侧壁的第二栅介质层。6.如权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层为单层结构或多层结构。7.如权利要求6所述的存储器结构，其特征在于，当所述第一栅介质层和所述第二栅介质层为多层结构时，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层分别包括：第一氧化硅层、位于所述第一氧化硅层上的氮化硅层、以及位于所述氮化硅层上的第二氧化硅层。8.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述字线结构的材料为半导体材料，所述半导体材料包括：多晶硅。9.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储单元区；在所述存储单元区上形成两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；在每个所述浮栅结构上形成控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一开口；在所述第一开口和所述第二开口内形成字线结构。10.如权利要求9所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部的重叠面积占比所述第二浮栅部的80％～100％。11.如权利要求9所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅结构覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王进峰，张剑，熊伟，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：