一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法技术方案

本发明专利技术公开了一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法，提高缺陷系统包括隔离箱体，隔离箱体顶部的中间对称设置有自动润滑机构，外壳的一侧固定连接有第二电机，蜗杆的表面和第二电机的输出端均固定套接有锥齿轮，套筒的内腔固定套接有套环，套环的底部转动套接有蜗轮，第二丝杆的顶部转动套接有第三连接板，第三连接板的一端固定连接有伸缩板，伸缩板的表面固定连接有快中子辐照照射器，本发明专利技术涉及晶体技术领域。该提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法，解决了需要人工将单晶放入到加热炉和下料，以及正常的热加工产生氧沉淀的二次缺陷无法缩短单晶氧沉淀二次缺陷生长时间的问题。氧沉淀二次缺陷生长时间的问题。氧沉淀二次缺陷生长时间的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法


[0001]本专利技术涉及晶体
，具体为一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统及控制方法。

技术介绍

[0002]单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的，或者可以说，在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。与单晶相对的，是众多微晶组成的多晶。单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，由单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵。在自然界中，不理想的单晶可以非常巨大，由于微电子科学与技术的迅猛发展，作为基础材料的硅单晶和晶片的质量对半导体器件的生产成品率和性能稳定性起着决定的作用。特别是随着集成电路工艺的发展，对基础材料的要求越来越高。氧是硅中的主要杂质，是在晶体生长过程引入直拉硅中的（大约1400℃），在一般器件制造的温度范围（≤1200℃）以间隙态存在的氧处于过饱和状态。氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低将形成氧沉淀，并可诱发层错、位错等二次缺陷。
[0003]传统外延用衬底单晶氧沉淀的二次缺陷都是通过热加工进行产生的，但都需要人工将单晶放入到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统，包括加热炉（1），所述加热炉（1）的侧面固定设置有控制面板（2），其特征在于：所述加热炉（1）的内腔设置有自动输送机构（4），所述自动输送机构（4）的顶部设置有提高缺陷系统（6）；所述提高缺陷系统（6）包括隔离箱体（61），所述隔离箱体（61）的表面活动套接有外封门（62），所述隔离箱体（61）顶部的中间对称设置有自动润滑机构（63），所述隔离箱体（61）的顶部分别固定连接有套筒（68）和外壳（69），所述外壳（69）的一侧固定连接有第二电机（610），所述外壳（69）的内壁转动套接有蜗杆（614），所述蜗杆（614）的表面和第二电机（610）的输出端均固定套接有锥齿轮（615），所述套筒（68）的内腔固定套接有套环（613），所述套环（613）的底部转动套接有蜗轮（612），所述蜗轮（612）和套筒（68）的内腔螺纹套接有第二丝杆（67），所述第二丝杆（67）的顶部转动套接有第三连接板（66），所述第三连接板（66）的一端固定连接有伸缩板（64），所述伸缩板（64）的表面固定连接有快中子辐照照射器（65）；所述自动润滑机构（63）包括固定板（631），所述固定板（631）的内腔固定套接有固定套管（632），所述固定套管（632）的内腔滑动套接有滑动杆（633），所述固定板（631）的表面转动套接有转动板（634），所述固定板（631）的表面固定连接有第一连接板（635），所述转动板（634）和第一连接板（635）相对的一面固定连接有第一弹簧（636），所述固定板（631）的顶部固定连接有储存盒（639），所述储存盒（639）的顶部活动套接有外盖（6310），所述储存盒（639）的表面固定连接有第二连接板（6311），所述固定板（631）的表面对称固定连接有套块（638），所述套块（638）的表面滑动套接有滑动板（637），所述滑动板（637）的上端固定连接有齿轮条（6316），所述第二连接板（6311）和滑动板（637）相对的一面固定连接有第二弹簧（6314），所述储存盒（639）的一侧固定连通有连接管（6315），所述连接管（6315）的内腔通过转动杆（6312）转动套接有封堵板（6317），且转动杆（6312）的一端延伸至储存盒（639）的侧面外，所述转动杆（6312）的一端固定套接有齿轮（6313）。2.根据权利要求1所述的一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统，其特征在于：所述自动输送机构（4）包括驱动钢板（41），所述驱动钢板（41）的表面固定开设有滑槽（43），所述滑槽（43）的内腔转动套接有第一丝杆（44），所述第一丝杆（44）的表面螺纹套接有滑动钢板（45），所述滑动钢板（45）的表面固定开设有放置槽（46），所述驱动钢板（41）的一端固定连接有第一电机（42）。3.根据权利要求2所述的一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统，其特征在于：所述驱动钢板（41）的底部固定连接有支撑杆（5），所述驱动钢板（41）固定在加热炉（1）的内腔中，所述第一电机（42）的输出端贯穿驱动钢板（41）的一端，并与滑槽（43）的一端固定连接。4.根据权利要求1所述的一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统，其特征在于：所述隔离箱体（61）固定连接在驱动钢板（41）的顶部上，所述第二电机（610）的底部固定连接在隔离箱体（61）的顶部，所述伸缩板（64）滑动套接在固定板（631）的内腔中。5.根据权利要求1所述的一种提高外延用衬底单晶氧沉淀析出缺陷系统，其特征在于：所述挡板（611）的表面与隔离箱体（61）的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：马成，王忠保，芮阳，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：