本发明专利技术提供一种半导体激光装置，包括泵浦源和内嵌于泵浦源中的包层光剥除器，泵浦源上设有供光纤穿过的通孔，泵浦源内部设有光源，泵浦源具有将光源发出的光耦合进光纤的光耦合位。其中，包层光剥除器包括光输入端口和相对光输入端口设置的光输出端口，光输入端口固定于光耦合位，光输出端口与通孔连通。本发明专利技术通过将包层光剥除器内置于泵浦源中，以解决传统结构由于包层光剥除器设置在泵浦源外部而导致泵浦源内部单包层光纤的包层光过大的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
半导体激光装置
[0001]本专利技术涉及光纤激光
，具体涉及一种半导体激光装置。
技术介绍
[0002]随着技术的进步，光纤激光器、光纤耦合半导体激光器等基于光纤传能的激光器已经在工业、医疗和科研等领域得到广泛的应用。去除光纤中多余的包层光是制作这类激光器的重要步骤。
[0003]现阶段输出光纤主要采用单包层光纤，由于单包层光纤涂覆层采用高折涂层，耦合进入包层的光会通过涂覆层导出，在涂覆层脏污破损或点胶点形成高温点，对半导体可靠性造成影响。此时若采用双包层光纤，由于光纤涂层采用低折材料，包层光不会导出，但会导致输出光的包层光比例增加，对后续熔接点造成可靠性风险。现在泵浦源需要在光纤镀增透膜，光纤镀膜由于光纤尺寸过小，镀膜成本高。剥膜器现在均使用在泵浦源外部，在泵浦源的输出光纤处熔接剥膜器光纤，通过剥膜器的腐蚀部分剥除包层光。但是，剥膜器在外部无法解决泵浦源输出光纤到剥膜器之间单包层光纤由于包层光过大影响可靠性的问题。
[0004]因此，现有技术存在缺陷，急需解决。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一种半导体激光装置，能够解决传统结构由于包层光剥除器设置在泵浦源外部而导致泵浦源内部单包层光纤的包层光过大的技术问题。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0007]本专利技术实施例提供一种半导体激光装置，包括：
[0008]泵浦源，所述泵浦源上设有供光纤穿过的通孔，所述泵浦源内部设有光源，所述泵浦源具有将所述光源发出的光耦合进光纤的光耦合位；
[0009]包层光剥除器，内嵌于所述泵浦源中，所述包层光剥除器包括光输入端口和相对所述光输入端口设置的光输出端口，所述光输入端口固定于所述光耦合位，所述光输出端口与所述通孔连通。
[0010]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述光纤经所述通孔设置于所述包层光剥除器的内部，其中，所述光纤包括光耦合端，所述光纤的光耦合端位于所述包层光剥除器的光输入端口处并对应所述光耦合位。
[0011]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述光纤包括位于所述包层光剥除器内的第一光纤段及位于所述包层光剥除器外的第二光纤段；所述第一光纤段包括第一腐蚀段，所述第一腐蚀段的直径小于所述第二光纤段的直径。
[0012]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述光纤包括纤芯和包裹所述纤芯的包层，所述第一腐蚀段的包层的外径与内径之差小于所述第二光纤段的包层的外径与内径之差。
[0013]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一光纤段还包括第二腐蚀段，所述第一
腐蚀段靠近所述光耦合端设置，所述第二腐蚀段位于所述第一腐蚀段远离所述光耦合端的一侧；其中，所述第二腐蚀段的直径小于所述第二光纤段的直径，且大于所述第一腐蚀段的直径。
[0014]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述光纤包括纤芯和包裹所述纤芯的包层，所述第二腐蚀段的包层的外径与内径之差小于所述第二光纤段的包层的外径与内径之差，且大于所述第一腐蚀段的包层的外径与内径之差。
[0015]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第二腐蚀段的包层表面为散射面。
[0016]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一腐蚀段的包层表面为散射面。
[0017]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述包层光剥除器包括端帽和包层光剥除器主体，所述包层光剥除器主体为两端开口的中空结构，所述端帽至少一部分嵌套于所述包层光剥除器主体的一端，所述端帽形成所述包层光剥除器的所述光输入端口，所述光纤的一部分置于所述包层光剥除器主体内且所述光耦合端与所述端帽熔接。
[0018]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一腐蚀段的包层的外径与内径之差的范围在0.5微米
‑
12微米。
[0019]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的半导体激光装置，包括泵浦源和内嵌于泵浦源中的包层光剥除器。本专利技术通过将包层光剥除器内置于泵浦源中，使得包层光剥除器可以剥除泵浦源内部光纤上的包层光，从而解决传统结构由于包层光剥除器设置在泵浦源外部而导致泵浦源内部单包层光纤的包层光过大的问题。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本专利技术实施例提供的半导体激光装置的结构示意图；
[0022]图2是本专利技术实施例提供的包层光剥除器的剖面示意图；
[0023]图3是本专利技术实施例一提供的光纤的剖面示意图；
[0024]图4是本专利技术实施例三提供的光纤的剖面示意图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0026]本专利技术实施例提供一种半导体激光装置，能够解决传统结构由于包层光剥除器设置在泵浦源外部而导致泵浦源内部单包层光纤的包层光过大的技术问题。
[0027]结合图1
‑
图4所示，本专利技术实施例提供一种半导体激光装置，包括泵浦源1和设置于所述泵浦源1内部的包层光剥除器2。所述泵浦源1的壳体上设有供光纤3穿过的通孔101，所述泵浦源1的内部还设有光源102，所述光源102用于为光纤3的光耦合提供光。其中，所述泵浦源1还具有将所述光源102发出的光耦合进光纤3的光耦合位。所述包层光剥除器2可用于剥除光纤3上的包层光，所述包层光剥除器2内嵌于所述泵浦源1中，所述包层光剥除器2包括光输入端口A和相对所述光输入端口A设置的光输出端口B，所述光输入端口A固定于所述光耦合位，所述光输出端口B与所述通孔101连通。
[0028]可以理解的是，所述光耦合位是所述泵浦源1内部的一个空间位置，当所述光纤3位于该空间位置时，所述光源102发出的光可以耦合进所述光纤3中。
[0029]本专利技术提供的半导体激光装置，通过将包层光剥除器2内置于泵浦源1中，从而解决传统结构由于包层光剥除器设置在泵浦源外部而导致泵浦源内部单包层光纤的包层光过大的问题。
[0030]以下结合具体实施例对本专利技术的半导体激光装置进行详细说明。
[0031]实施例一
[0032]如图1所示，本实施例提供的半导体激光装置包括泵浦源1和包层光剥除器2，所述包层光剥除器2设置于所述泵浦源1的内部。所述泵本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：泵浦源，所述泵浦源上设有供光纤穿过的通孔，所述泵浦源内部设有光源，所述泵浦源具有将所述光源发出的光耦合进光纤的光耦合位；包层光剥除器，内嵌于所述泵浦源中，所述包层光剥除器包括光输入端口和相对所述光输入端口设置的光输出端口，所述光输入端口固定于所述光耦合位，所述光输出端口与所述通孔连通。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述光纤经所述通孔设置于所述包层光剥除器的内部，其中，所述光纤包括光耦合端，所述光纤的光耦合端位于所述包层光剥除器的光输入端口处并对应所述光耦合位。3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，所述光纤包括位于所述包层光剥除器内的第一光纤段及位于所述包层光剥除器外的第二光纤段；所述第一光纤段包括第一腐蚀段，所述第一腐蚀段的直径小于所述第二光纤段的直径。4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述光纤包括纤芯和包裹所述纤芯的包层，所述第一腐蚀段的包层的外径与内径之差小于所述第二光纤段的包层的外径与内径之差。5.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一光纤段还包括第二腐蚀段，所述第一腐蚀段靠近...
【专利技术属性】
技术研发人员：王子威，胡慧璇，李榕，施建宏，闫大鹏，
申请(专利权)人：武汉锐科光纤激光技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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