本申请提供一种存储装置操作方法及存储装置，涉及神经网络技术领域，用于避免存储装置中的存储单元的电导变化缓慢的情况。该存储装置包括：多个存储串构成的存储单元阵列，该存储串包括多个存储单元，该多个存储单元中的至少一个存储单元的电导作为第一神经元和第二神经元之间的突触权重，该方法包括：对目标存储单元施加第一脉冲电压，以对该目标存储单元进行第一操作，其中，该目标存储单元包括该至少一个存储单元；对该目标存储单元施加第二脉冲电压，以对该目标存储单元进行第二操作，该第二脉冲电压的绝对值大于该第一脉冲电压的绝对值。的绝对值。的绝对值。
【技术实现步骤摘要】
一种存储装置操作方法及存储装置
[0001]本申请涉及神经网络
，尤其涉及一种存储装置操作方法及存储装置。
技术介绍
[0002]神经网络包括多个神经元和多个突触，多个突触中的每个突触可以用于连接多个神经元中的前端神经元和后端神经元，并将前端神经元的电信号或化学信号传递给后端神经元。三维(three dimensions，3D)NAND闪存是由多个存储单元堆叠而成的存储设备，具有非易失性，存储容量大、工艺成熟度高和成本低等优点，因此可以应用于神经网络中作为仿生突触器件。
[0003]将3D NAND闪存应用于神经网络时，通常采用3D NAND闪存中存储单元的电导作为突触权重，突触权重可用于表示神经网络中两个神经元之间的连接强度。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种存储装置操作方法及存储装置，用于避免存储装置中的存储单元的电导变化缓慢的情况。
[0005]为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
[0006]第一方面，提供一种存储装置操作方法，该存储装置包括：多个存储串构成的存储单元阵列，该存储串包括多个存储单元，该多个存储单元中的至少一个存储单元的电导作为第一神经元和第二神经元之间的突触权重，该方法包括：对目标存储单元施加第一脉冲电压，该第一脉冲电压可以为正向脉冲电压，也可以为负向脉冲电压，以对该目标存储单元进行第一操作，该第一操作可以为编程操作，也可以为擦除操作，其中，该目标存储单元包括该至少一个存储单元；对该目标存储单元施加第二脉冲电压，该第二脉冲电压可以为正向脉冲电压，也可以为负向脉冲电压，以对该目标存储单元进行第二操作，该第一操作和该第二操作是连续两次操作，比如，当第一操作是编程操作时，该第二操作也为编程操作，该第二脉冲电压的绝对值大于该第一脉冲电压的绝对值。
[0007]上述技术方案中，对目标存储单元施加第一脉冲电压，以对目标存储单元进行第一操作，对目标存储单元施加第二脉冲电压，以对目标存储单元进行第二操作，该第一操作和该第二操作是连续两次操作，该第二脉冲电压的绝对值大于该第一脉冲电压的绝对值，脉冲电压逐渐升高，从而能够持续对目标存储单元进行编程操作或者擦除操作，使得目标存储单元中的电导以同一个量值持续的增大或者减小，与由于阈值电压升高，采用相同幅值的脉冲电压使得存储单元电导变化缓慢相比，即避免了出现编程饱和以及擦除饱和的现象。
[0008]在第一方面的一种可能的实现方式中，该方法该包括：对该目标存储单元施加第三脉冲电压，以对该目标存储单元进行第三操作，该第一脉冲电压与该第二脉冲电压之间的时间间隔和该第二脉冲电压与该第三脉冲电压之间的时间间隔相等，该第三脉冲电压的绝对值大于该第二脉冲电压的绝对值。上述可能的实现方式中，对目标存储单元进行连续
的三次操作，该第一操作之后目标存储单元的电导值为第一电导值，该第二操作之后目标存储单元的电导值为第二电导值，该第三操作之后目标存储单元的电导值为第三电导值，该第一电导值与该第二电导值的差值为第一数值，该第二电导值与该第三电导值的差值为第二数值，由于该第二脉冲电压与该第一脉冲电压之差的绝对值、以及该第三脉冲电压与该第二脉冲电压之差的绝对值均在预设电压范围内，即第一脉冲电压、第二脉冲电压以及第三脉冲电压可以近似看作等比例增加，第一电导值、第二电导值以及第三电导值可以近似看作等比例减小或者等比例增大，该第一电导值、该第二电导值和该第三电导值的变化趋势可以近似为一条直线，从而提高了目标存储单元电导的线性度，进一步提高了神经网络的准确性。
[0009]在第一方面的一种可能的实现方式中，在该第一操作之后该目标存储单元的电导值为第一电导值，在该第二操作之后该目标存储单元的电导值为第二电导值，在该第三操作之后该目标存储单元的电导值为第三电导值；其中，该第一电导值、该第二电导值和该第三电导值呈线性关系。上述可能的实现方式中，该第一电导值、该第二电导值和该第三电导值呈线性关系，提高了目标存储单元的电导的线性度，将存储装置应用于神经网络时，进一步提高了神经网络的准确性。
[0010]在第一方面的一种可能的实现方式中，该存储装置还包括与该目标存储单元连接的字线，该脉冲电压为施加在该字线上的正向脉冲电压，该操作为编程操作。上述可能的实现方式中，该脉冲电压为施加在目标存储单元的字线上的正向脉冲，以对该目标存储单元进行编程操作，减小了该目标存储单元的电导值，从而达到调节目标存储单元电导值的目的。
[0011]在第一方面的一种可能的实现方式中，该存储装置还包括与该目标存储单元连接的字线，该脉冲电压为施加在该字线上的负向脉冲电压，该操作为擦除操作。上述可能的实现方式中，该脉冲电压为施加在目标存储单元的字线上的负向脉冲，以对该目标存储单元进行擦除操作，增大了该目标存储单元的电导值，从而达到调节目标存储单元电导值的目的。
[0012]在第一方面的一种可能的实现方式中，该存储装置还包括与该目标存储单元连接的位线，该脉冲电压施加在该位线上的正向脉冲电压，该操作为擦除操作。上述可能的实现方式中，该脉冲电压为施加在目标存储单元的位线上正向脉冲电压，以对该目标存储单元进行擦除操作，增大了该目标存储单元的电导值，从而达到调节目标存储单元电导值的目的。
[0013]在第一方面的一种可能的实现方式中，对该目标存储单元分别施加多个脉冲电压中的每个脉冲电压之前，该方法还包括：获取该目标存储单元的当前电导值；根据该当前电导值、以及该当前电导值对应的预设电导值，调节该脉冲电压。上述可能的实现方式中，根据该当前电导值、以及该当前电导值对应的预设电导值，调节该脉冲电压，使得目标存储单元的电导值更接近预设的电导值，提高了目标存储单元电导值变化的线性度，将存储装置应用于神经网络时，进一步，提高了神经网络的准确性。
[0014]在第一方面的一种可能的实现方式中，当该操作为擦除操作时，根据该当前电导值、以及与该当前电导值对应的预设电导值，调节该脉冲电压，包括：若该当前电导值大于该当前电导值对应的预设电导值，则减小该脉冲电压的绝对值，该多个脉冲电压中该脉冲
电压的下一个脉冲电压的绝对值大于减小后的该脉冲电压的绝对值；若该当前电导值小于该当前电导值对应的预设电导值，则增加该脉冲电压的绝对值，该多个脉冲电压中该脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于增加后的该脉冲电压的绝对值。上述可能的实现方式中，使得目标存储单元的电导值更接近预设的电导值，提高了目标存储单元电导值变化的线性度，将存储装置应用于神经网络时，进一步，提高了神经网络的准确性。
[0015]在第一方面的一种可能的实现方式中，当该操作为编程操作时，根据该当前电导值、以及与该当前电导值对应的预设电导值，调节该脉冲电压，包括：若该当前电导值大于该当前电导值对应的预设电导值，则增加该脉冲电压的绝对值，该多个脉冲电压中该脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于增加后的该述脉冲电压的绝对值；若该当前电导值小于该当前电导值对应的预设电导值，则减小该脉冲电压的绝对值，该多个脉冲电压中该脉冲电压的下一个脉冲本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置操作方法，其特征在于，所述存储装置包括：多个存储串构成的存储单元阵列，所述存储串包括多个存储单元，所述多个存储单元中的至少一个存储单元的电导作为第一神经元和第二神经元之间的突触权重，所述方法包括：对目标存储单元施加第一脉冲电压，以对所述目标存储单元进行第一操作，其中，所述目标存储单元包括所述至少一个存储单元；对所述目标存储单元施加第二脉冲电压，以对所述目标存储单元进行第二操作，所述第二脉冲电压的绝对值大于所述第一脉冲电压的绝对值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述目标存储单元施加第三脉冲电压，以对所述目标存储单元进行第三操作，所述第一脉冲电压与所述第二脉冲电压之间的时间间隔和所述第二脉冲电压与所述第三脉冲电压之间的时间间隔相等，所述第三脉冲电压的绝对值大于所述第二脉冲电压的绝对值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一操作之后所述目标存储单元的电导值为第一电导值，在所述第二操作之后所述目标存储单元的电导值为第二电导值，在所述第三操作之后所述目标存储单元的电导值为第三电导值；其中，所述第一电导值、所述第二电导值和所述第三电导值呈线性关系。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述存储装置还包括与所述目标存储单元连接的字线，所述脉冲电压为施加在所述字线上的正向脉冲电压，所述操作为编程操作。5.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述存储装置还包括与所述目标存储单元连接的字线，所述脉冲电压为施加在所述字线上的负向脉冲电压，所述操作为擦除操作。6.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述存储装置还包括与所述目标存储单元连接的位线，所述脉冲电压施加在所述位线上的正向脉冲电压，所述操作为擦除操作。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述目标存储单元分别施加多个脉冲电压中的每个脉冲电压之前，所述方法还包括：获取所述目标存储单元的当前电导值；根据所述当前电导值、以及所述当前电导值对应的预设电导值，调节所述脉冲电压。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述操作为擦除操作时，所述根据所述当前电导值、以及与所述当前电导值对应的预设电导值，调节所述脉冲电压，包括：若所述当前电导值大于所述当前电导值对应的预设电导值，则减小所述脉冲电压的绝对值，所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于减小后的所述脉冲电压的绝对值；若所述当前电导值小于所述当前电导值对应的预设电导值，则增加所述脉冲电压的绝对值，所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于增加后的所述脉冲电压的绝对值。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述操作为编程操作时，所述根据所述当前电导值、以及与所述当前电导值对应的预设电导值，调节所述脉冲电压，包括：若所述当前电导值大于所述当前电导值对应的预设电导值，则增加所述脉冲电压的绝
对值，所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个...
【专利技术属性】
技术研发人员：周稳，靳磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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