提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法技术

本发明专利技术提供一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，提供刻蚀机以及衬底；衬底上形成有浮栅，浮栅上形成有氮化硅层；在氮化硅层上淀积底部抗反射涂层和光刻胶层，再利用光刻打开光刻胶层，使得其下方的底部抗反射涂层裸露；利用射频单元产生射频波，利用反应气体供应系统提供反应气体输送至刻蚀腔体，并将射频波发送至下电极，使得反应气体解离为等离子气体；利用等离子气体刻蚀裸露出的底部抗反射涂层以及其下方的氮化硅层，形成沟槽。本发明专利技术在高密度等离子能量分布的刻蚀腔体中，可以对刻蚀用的反应气体碳氟比中的含碳的聚合物气体减少，从而得到更清洁的刻蚀气氛，进而得到稳定的垂直形貌。直形貌。直形貌。

【技术实现步骤摘要】
提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法。

技术介绍

[0002]在闪存产品的氮化硅层刻蚀中，氮化硅膜轮廓的垂直度、均匀性和一致性的保持是非常重要的。但是，在实际刻蚀过程中，晶圆中心区域和边缘区域的轮廓易产生差异。中心慢，边缘快，导致中心轮廓(如图2所示)易产生较大的倾斜角度，边缘轮廓(如图3所示)易弯曲。
[0003]为此，需要采用一种新方法以改善闪存产品的氮化硅层轮廓的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，用于解决现有技术中在闪存产品的氮化硅层刻蚀中，晶圆中心区域和边缘区域的轮廓易产生差异，中心慢，边缘快，导致中心轮廓易产生较大的倾斜角度，边缘轮廓易弯曲的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，包括：
[0006]步骤一、提供刻蚀机以及衬底；
[0007]所述衬底上形成有浮栅，且所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升浮栅氮化硅层刻蚀轮廓的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供刻蚀机以及衬底；所述衬底上形成有浮栅，且所述浮栅上形成有氮化硅层；所述刻蚀机包括刻蚀腔体，所述刻蚀腔体包括上电极、射频单元、下电极和反应气体供应系统；步骤二、在所述氮化硅层上淀积底部抗反射涂层和光刻胶层，再利用光刻打开所述光刻胶层，使得其下方的所述底部抗反射涂层裸露；步骤三、利用所述射频单元产生射频波，利用所述反应气体供应系统提供反应气体输送至所述刻蚀腔体，并将所述射频波发送至所述下电极，使得所述反应气体解离为等离子气体；步骤四、利用所述等离子气体刻蚀裸露出的所述底部抗反射涂层以及其下方的所述氮化硅层，使得刻蚀后的所述氮化硅层形成沟槽。2.根据权利要求1所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其特征在于：步骤三中的所述射频波的频率为60MHz。3.根据权利要求2所述的提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：