一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其制造方法，提供衬底，在衬底上生长一栅氧层，在栅氧层上形成多晶硅层；在多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺去除部分多晶硅层，在光刻胶层与多晶硅层之间形成底切；以光刻胶层为掩膜，利用各向异性刻蚀工艺去除剩余的多晶硅层，在栅氧层上方形成左上角呈斜坡状的多晶硅栅极；形成覆盖多晶硅栅极顶部和侧面的氧化层，氧化层和裸露的栅氧层表面共同呈斜坡台阶状；在氧化层和栅氧层表面形成一介质层。本发明专利技术解决了由于多晶硅刻蚀边缘为直角导致钨刻蚀难以刻蚀干净产生钨残留进而造成器件短路的问题，提升了器件良率。提升了器件良率。提升了器件良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造工艺中，如图1所示，多晶硅刻蚀形成的多晶硅栅极的侧壁往往是近乎垂直的，后续介质层(BPSG)及金属钨成膜后，BPSG侧壁还是垂直的。如图2所示，在进行钨刻蚀时BPSG的拐角处往往会有钨残留，极易导致器件短路。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构及其制造方法，用以解决由于多晶硅刻蚀边缘为直角导致钨难以刻蚀干净产生钨残留进而造成器件短路的问题。
[0004]本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：
[0005]步骤一、提供衬底，在所述衬底上生长一栅氧层，在所述栅氧层上形成多晶硅层；
[0006]步骤二、在所述多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层；
[0007]步骤三、以所述光刻胶层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺去除部分所述多晶硅层，在所述光刻胶层与所述多晶硅层之间形成底切；/>[0008]步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底上生长一栅氧层，在所述栅氧层上形成多晶硅层；步骤二、在所述多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层；步骤三、以所述光刻胶层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺去除部分所述多晶硅层，在所述光刻胶层与所述多晶硅层之间形成底切；步骤四、以所述光刻胶层为掩膜，利用各向异性刻蚀工艺去除剩余的所述多晶硅层，在所述栅氧层上方形成左上角呈斜坡状的多晶硅栅极；步骤五、形成覆盖所述多晶硅栅极顶部和侧面的氧化层，所述氧化层和裸露的所述栅氧层表面共同呈斜坡台阶状；步骤六、在所述氧化层和所述栅氧层表面形成一介质层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤三中所述各向同性刻蚀工艺的刻蚀条件为：功率为900～1100W，压强为70～9...

【专利技术属性】
技术研发人员：施洋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：