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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，提供衬底，在衬底上生长一栅氧层，在栅氧层上形成多晶硅层；在多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺去除部分多晶硅层，在光刻胶层与多晶硅层之间形成底切；以光刻...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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