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本发明提供一种提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法，提供刻蚀机以及衬底；衬底上形成有浮栅，浮栅上形成有氮化硅层；在氮化硅层上淀积底部抗反射涂层和光刻胶层，再利用光刻打开光刻胶层，使得其下方的底部抗反射涂层裸露；利用射频单元产生射频波，利用反应气体供...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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