【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低无源互调连接器系统
[0001]本专利技术涉及一种用于无线电频率(RF)的同轴连接器，其可以是一种微型连接器。该连接器具有为低无源互调(PIM)而优化的外导体接口和壳体。
技术介绍
[0002]EP3061162B1公开了一种具有电容耦合的同轴连接器。这种连接器在连接器之间具有电介质涂覆的表面，不提供电流接触，并且不能提供良好的接地。
[0003]US2015/0229070A1公开了一种同轴连接器，其在连接器之间具有电介质涂覆的表面，该同轴连接器不提供电流接触，并且不能提供良好的接地。
[0004]US9,236,694B2公开了一种设计用于低无源互调的同轴连接器系统。插头连接器具有弹力加载的外连接器，用于接触插座连接器的实体侧壁。由于插头连接器和第二连接器之间的精确接触设计和高接触力，实现了低无源互调。
技术实现思路
[0005]本专利技术待解决的问题是提供一种具有改进的无源互调特性的同轴RF连接器。该RF连接器应可用于其中使用大量连接器的多连接器组件。此外，该连接器应该具有屏蔽，使得其...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种同轴RF连接器系统(100，200)，包括同轴RF连接器(100)和同轴RF配对连接器(200)，所述同轴RF连接器(100)至少包括限定所述连接器的中心轴线(190)的内导体(110)、与所述内导体(110)同轴的外导体(120)、和在所述外导体(120)处的第一对中装置(170，130)，所述第一对中装置(170，130)具有与所述内导体(110)同轴的外轮廓，所述同轴RF配对连接器(200)至少包括配对连接器内导体(210)、与所述配对连接器内导体(210)同轴的配对连接器外导体(220)、和在所述外导体(220)处的第二对中装置(270，230)，所述第二对中装置(270，230)具有与所述配对连接器内导体(210)同轴的内轮廓，并且当配合时，所述内导体(110)和所述配对连接器内导体(210)提供与彼此的电流接触，并且进一步地，所述外导体(120)和所述配对连接器外导体(220)提供与彼此的电流接触；其中，所述第一对中装置(170)的外尺寸小于所述第二对中装置(270)的内尺寸，或者所述第一对中装置(170)的外尺寸大于所述第二对中装置(270)的内尺寸，并且所述第一对中装置(170)与所述第二对中装置(270)匹配；其特征在于，所述第一对中装置(170)与所述RF连接器外导体(120)电绝缘；或者所述第二对中装置(270)与所述RF配对连接器外导体(220)电绝缘；或者在所述第一对中装置(170)与所述第二对中装置(270)之间包括绝缘套筒(280)或绝缘层。2.根据权利要求1所述的同轴RF连接器系统(100，200)，其特征在于，所述同轴RF连接器(100)的外导体(120)包括具有裸露金属表面的第一接触部分(123)，并且所述同轴RF配对连接器(200)的外导体(220)包括具有裸露金属表面的第二接触部分(224)，其中，当所述同轴RF连接器(100)和所述同轴RF配对连接器(200)配合时，所述第一接触部分和所述第二接触部分处于电流接触；并且所述同轴RF连接器(100)的内导体(110)包括具有裸露金属表面的第三接触部分(112)，并且所述同轴RF配对连接器(200)的内导体(210)包括具有裸露金属表面的第四接触部分(212)，其中，当所述同轴RF连接器(100)和所述同轴RF配对连接器(200)配合时，所述第三接触部分和所述第四接触部分处于电流接触。3.根据权利要求1或2所述的同轴RF连接器系统(100，200)，其特征在于，所述RF连接器(100)的外导体(120)是所述第一对中装置(130)。4.根据权利要求1或2所述的同轴RF连接器系统(100，200)，其特征在于，所述第二对中装置(230)是所述配对连接器外导体(220)的一部分。5.根据权利要求1或2所述的同轴RF连接器系统(100，200),其特征在于，所述第一对中装置(170)和所述第二对中装置(270)中的至少一者包括电绝缘材料或绝缘层。
6.根据前述权利要求中任一项所述的同轴RF连接器系统(100，200)，其特征在于，所述第一对中装置(170)的外轮廓是圆柱形轮廓，并且所述第二对中装置(170)的内轮廓是圆柱形轮廓，并且所述第一对中装置(170)的外径小于或大于所述第二对中装置(270)的内径。7.一种同轴RF连接器系统(100，200)，包括当配合时提供电流接触的同轴RF连接器(100)和同轴RF配对连接器(200)，所述同轴RF...
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