同轴RF配对连接器制造技术

本申请提供了一种同轴RF配对连接器，至少包括：配对连接器内导体，所述配对连接器内导体包括具有裸露金属表面的接触部分；配对连接器外导体，所述配对连接器外导体包括具有裸露金属表面的第二接触部分，所述配对连接器外导体与所述配对连接器内导体同轴布置；和对中套筒，所述对中套筒具有圆柱形内表面或圆柱形外表面，所述圆柱形内表面具有与所述内导体同轴的内轮廓，所述圆柱形外表面具有与所述内导体同轴的外轮廓。其中，在所述对中套筒的圆柱形内表面或圆柱形外表面处包括绝缘套筒，所述绝缘套筒包括电绝缘材料或绝缘层。缘套筒包括电绝缘材料或绝缘层。缘套筒包括电绝缘材料或绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
同轴RF配对连接器
[0001]本申请是申请日为2020年07月28日、申请号为202080067751.9、专利技术名称为“低无源互调连接器系统”的中国专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种用于无线电频率(RF)的同轴连接器，其可以是一种微型连接器。该连接器具有为低无源互调(PIM)而优化的外导体接口和壳体。

技术介绍

[0003]EP3061162B1公开了一种具有电容耦合的同轴连接器。这种连接器在连接器之间具有电介质涂覆的表面，不提供电流接触，并且不能提供良好的接地。
[0004]US2015/0229070A1公开了一种同轴连接器，其在连接器之间具有电介质涂覆的表面，该同轴连接器不提供电流接触，并且不能提供良好的接地。
[0005]US9,236,694B2公开了一种设计用于低无源互调的同轴连接器系统。插头连接器具有弹力加载的外连接器，用于接触插座连接器的实体侧壁。由于插头连接器和第二连接器之间的精确接触设计和高接触力，实现了低无源互调。

技术实现思路

[0006]本专利技术待解决的问题是提供一种具有改进的无源互调特性的同轴RF连接器。该RF连接器应可用于其中使用大量连接器的多连接器组件。此外，该连接器应该具有屏蔽，使得其可以在天线的辐射场内使用。
[0007]独立权利要求中描述了该问题的解决方案。从属权利要求涉及本专利技术的进一步改进。
[0008]同轴RF连接器系统包括同轴RF连接器和与同轴RF连接器匹配的同轴RF配对连接器。当同轴RF连接器与同轴RF配对连接器配合时，该RF连接器系统提供电流接触。这种连接器提供了良好的屏蔽和接地，并且可以用于从DC开始的广泛的频率范围。因此，两个连接器的内导体形成电流接触，并且进一步地，两个连接器的外导体形成电流接触。内导体与外导体绝缘。
[0009]同轴RF连接器具有壳体、内导体和外导体，该同轴RF连接器可以是插头连接器、插座连接器、或无极性连接器。内导体通过其中心限定了连接器的中心轴线。外导体围绕该中心或内导体同轴布置，并且可以通过至少一个支柱保持该中心导体，支柱包括电绝缘材料或绝缘层。连接器壳体可以是外导体的一部分。可以具有至少一个装置，用于将插头连接器机械地固定到插座连接器，或将两个无极性连接器机械地固定在一起。
[0010]本专利技术适用于任何类型的内导体和外导体，但条件是，RF连接器的外导体和RF配对连接器的外导体在配合时彼此接触，优选地彼此电流接触。
[0011]同轴RF连接器包括第一对中装置，该第一对中装置可以在外导体处。该第一对中装置可以是外导体的一部分，或者可以附接到外导体上。第一对中装置可以具有与内导体
同轴的外轮廓。该外轮廓可以是圆柱形的并且可以具有圆形横截面，或是圆锥形的。该外轮廓也可以具有任何其他合适的形状，如具有方形或六角形横截面的突起部。
[0012]在一个实施例中，在共同的对中装置内可以具有多个内导体和外导体。
[0013]同轴RF配对连接器包括第二对中装置，该第二对中装置可以在同轴RF配对连接器的外导体处。该第二对中装置可以是外导体的一部分，或者可以附接到外导体上。第二对中装置可以具有与内导体同轴的外轮廓。该外轮廓可以是圆柱形的并且可以具有圆形横截面，或是圆锥形的。该外轮廓也可以具有任何其他合适的形状，如具有方形或六角形横截面的突起部。
[0014]对中装置的形状是彼此适配的，使得当连接器配合时，第一对中装置匹配到第二对中装置中或匹配在第二对中装置上。在圆柱形轮廓的情况下，第一对中装置的外径可以小于第二对中装置的内径。替代地，第一对中装置的外径大于第二对中装置的内径。
[0015]大量的测试表明，即使RF连接器提供了良好的低PIM外导体连接，RF电流也可能流动通过其他路径，如连接器壳体部分或连接器的对中部分。如果这些其他部分只提供微小的电连接，这可能会导致PIM的增加。该问题通常至少部分地通过在连接器之间提供高锁定力使得壳体部分之间具有良好的接触来解决。这仍然不能保证壳体部分之间的完美电连接。一个主要问题出现在多连接器组件中，该多连接器组件例如可以用于连接天线板。在此，在连接器的所有部件处实现高接触力是非常困难的。
[0016]实施例是基于通过使壳体部分或其他部分电绝缘来避免RF电流流动通过它们的理念。如果这些部分之间只具有电容性连接，小电流可能仍然流动，但不会产生互调。因此，可以实现非常低的PIM。
[0017]为了确保没有来自外导体的其他明显电流流动通过替代路径(这可能增加PIM)，第一对中装置与第二对中装置电(电流)绝缘。可能只剩下一些电容性耦合。在对中装置之间可以具有绝缘(电介质)材料，该绝缘材料可以是如PTFE(聚四氟乙烯，特氟隆(Teflon))、PE(聚乙烯)、聚酰亚胺(卡普顿(Kapton))的聚合物，或氧化物或阳极氧化层，或任何其他合适的材料。
[0018]当连接器配合时，对中装置之间可能具有狭窄的间隙。该间隙可以包括绝缘材料，该间隙可以具有的厚度在0.1mm和10mm之间、0.3mm和3mm之间、或0.5mm和1mm之间。对中装置之间可以具有重叠部分，该重叠部分可以是间隙的深度，该深度可以在3mm和50mm之间、或5mm和20mm之间、或7mm和15mm之间。较窄和较深的间隙可以产生更好的屏蔽。
[0019]在一个实施例中，第一对中装置可以与RF连接器外导体电绝缘，和/或第二对中装置可以与RF配对连接器外导体电绝缘。在此，对中装置中的至少一个可以包括电绝缘材料。对中装置也可以完全由这种绝缘材料制成。
[0020]在其他实施例中，在第一对中装置和第二对中装置之间可以包括绝缘套筒。在此，对中装置的尺寸或直径必须相应地适配，使得绝缘套筒装配在对中装置之间。绝缘套筒可以附接到对中装置中的一个或两个，或成为对中装置中的一个或两个的一部分。
[0021]本文所有的实施例都涉及提供电流接触的连接器和连接器系统，使得在经配合的连接器的内导体之间和经配合的连接器的外导体之间建立了用于DC的低欧姆电阻。其他的机械部分如对中装置被绝缘，以防止任何直流电流流动通过除外导体触点和内导体触点以外的其他路径。
[0022]因此，同轴RF连接器外导体可以包括具有裸露金属表面的第一接触部分，并且同轴RF配对连接器外导体可以包括具有裸露金属表面的第二接触部分，其中当同轴RF连接器和同轴RF配对连接器配合时，第一接触部分和第二接触部分处于电流接触。进一步地，同轴RF连接器内导体包括具有裸露金属表面的第三接触部分，并且同轴RF配对连接器内导体包括具有裸露金属表面的第四接触部分，其中当同轴RF连接器和同轴RF配对连接器配合时，第三接触部分和第四接触部分处于电流接触。
[0023]在一个实施例中，同轴RF连接器的外导体是第一对中装置，并且具有与内导体同轴的圆柱形外轮廓。同轴RF配对连接器可以包括对中套筒，对中套筒具有与内导体同轴的对中套筒的圆柱形内轮廓。此外，在外导体和对中套筒之间可以设置绝缘套筒。同轴RF连接器的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴RF配对连接器(200)，至少包括：配对连接器内导体(210)，所述配对连接器内导体(210)包括具有裸露金属表面的接触部分(212)，配对连接器外导体(220)，所述配对连接器外导体(220)包括具有裸露金属表面的第二接触部分(224)，所述配对连接器外导体(220)与所述配对连接器内导体(210)同轴布置，和对中套筒(230)，所述对中套筒(230)具有圆柱形内表面或圆柱形外表面，所述圆柱形内表面具有与所述内导...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：斯宾纳有限公司，
类型：发明
国别省市：