非接触式高功率射频连接器制造技术

一种射频连接器包括第一导体和对称的第二导体。每个导体具有扁平导电材料的长形结构，每个导体具有对应于待被耦合的信号的标称频率的1/4的长度，并且每个导体以第一端连接到同轴连接器并且以第二端连接到壳体。射频连接器可以在导通状态和断开状态之间进行切换，其中，在断开状态下，第一导体远离第二导体，并且在导通状态下，第一导体与第二导体紧密接触使得该第一导体和第二导体的壳体的开放侧抵靠彼此定向，并且导体面对彼此。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种可以在负载下(under load)连接或断开连接的同轴射频(rf)连接器系统。

技术介绍

1、在ep 3300535a1中公开了一种同轴射频连接器系统。该连接器系统可以耦合多达数千瓦的相对高的射频功率。为了连接和/或断开连接，必须切断电源。如果这些连接器在负载下被连接或断开连接，可能发生电弧放电(arcing)，这可能导致连接器的严重损害。此外，不存在预防措施来避免特别是由于电弧放电引起的在连接期间中心导体之间的提早连接或在断开连接时中心导体的延迟断开连接。不具有屏蔽或接地接触的中心连接器接触可能招致安全风险，因为导体系统的未接地部段可能处于高电压。这可能对于操作连接器的人员是有害的。

2、us 4,754,241a中公开了一种3db方向耦合器。该3db方向耦合器包括两组带状线，该两组带状线被布置为平行的、靠近彼此，并且带状线之间具有小间隙。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题是提供一种射频连接器系统，该连接器系统能够传输在数千瓦的范围内的高射频功率，并且当射频电压被施加本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频连接器(100)，所述射频连接器(100)包括第一耦合器部段(200)、对称的第二耦合器部段(300)和至少一个壳体(510)，所述第一耦合器部段包括第一导体(220)，并且所述第二耦合器部段包括第二导体(320)，

2.根据权利要求1所述的射频连接器，

3.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

4.根据前述权利要求所述的射频连接器，

5.根据权利要求3或4所述的射频连接器，

6.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

7.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

<p>8.根据前述权利...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种射频连接器(100)，所述射频连接器(100)包括第一耦合器部段(200)、对称的第二耦合器部段(300)和至少一个壳体(510)，所述第一耦合器部段包括第一导体(220)，并且所述第二耦合器部段包括第二导体(320)，

2.根据权利要求1所述的射频连接器，

3.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

4.根据前述权利要求所述的射频连接器，

5.根据权利要求3或4所述的射频连接器，

6.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·诺伊迈尔，H·哈默施密特，J·兰丁格，
申请(专利权)人：斯宾纳有限公司，
类型：发明
国别省市：