中介板结构及其制造方法技术

本揭露提供一种中介板结构。所述中介板结构包含复数个中介板单元，其从上视角度是呈阵列排列。每个所述中介板单元包含第一区域及复数个第二区域。所述第一区域具有电容结构。每个所述第二区域不具有所述电容结构。所述第一区域是环绕所述第二区域。本揭露亦提供一种制造中介板结构的方法。造中介板结构的方法。造中介板结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
中介板结构及其制造方法


[0001]本揭露系有关于一种中介板结构及其制造方法，特别是所揭露的中介板结构具有复数个三维(3D)电容位于中段制程(middle
‑
end
‑
of
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line，MOL/MEOL)结构当中。

技术介绍

[0002]2.5D组装是一种用于在单个封装体中包含多个集成电路(IC)晶粒的封装技术。这种方法通常使用在对性能和低功耗有高度需求的应用。在2.5D组装的技术范畴中，IC晶粒的间的通讯是经由硅中介板或有机中介板所实现的。目前，奠基于对高性能应用的使用，以及对微型化和更高组件密度的需求持续增加，利用硅中介板的2.5D封装技术正在广泛发展当中。

技术实现思路

[0003]本揭露的一实施例是关于一种中介板结构。该中介板结构包含一衬底部分、一线路部分、一互连部分、一通孔及一电容结构。该线路部分是设置于该衬底部分上。该互连部分是设置于该线路部分上。该通孔穿透该衬底部分及该线路部分。该电容结构是嵌于该线路部分中。该互连部分包含一第一金属线路电性耦接于该电容结构。
[0004]本揭露的另一实施例是关于一种中介板结构。该中介板结构包含复数个中介板单元，其从一上视角度是呈阵列排列。每个这些中介板单元包含一第一区域及复数个第二区域。该第一区域具有一电容结构。每个这些第二区域不具有该电容结构。该第一区域是环绕该等第二区域。
[0005]本揭露的再一实施例是关于一种制造一中介板结构的方法。该方法包含步骤：形成一线路部分于一衬底部分的一前侧上；及于形成该线路部分期间，形成一电容结构于该线路部分中。且该电容结构是经由一动态随机存取存储器制程所形成。
附图说明
[0006]当结合附图阅读时，从下文详细描述最好地理解本专利技术实施例的方面。应注意，根据标准工业实践，各种结构不一定按比例绘制。事实上，为清楚论述，可任意地增大或减小各种结构的尺寸。
[0007]图1说明根据本揭露一些实施例的中介板结构的剖视图。
[0008]图2说明根据本揭露一些实施例的电容结构的剖视图。
[0009]图3说明根据本揭露一些实施例的电容结构的剖视图。
[0010]图4A说明根据本揭露一些实施例的电容单元以矩形阵列为排列的上视图。
[0011]图4B说明根据本揭露一些实施例的电容单元以六边形阵列为排列的上视图。
[0012]图5说明根据本揭露一些实施例的电容结构的剖视图。
[0013]图6说明根据本揭露一些实施例的电容结构的剖视图。
[0014]图7说明根据本揭露一些实施例的中介板结构的布局的上视图。
[0015]图8A说明根据本揭露一些实施例的经封装中介板结构的剖视图。
[0016]图8B说明根据本揭露一些实施例的经封装中介板结构的剖视图。
[0017]图9A说明根据本揭露一些实施例的经封装中介板结构的剖视图。
[0018]图9B说明根据本揭露一些实施例的经封装中介板结构的剖视图。
[0019]图9C说明根据本揭露一些实施例的经封装中介板结构的剖视图。
[0020]图9D说明根据本揭露一些实施例的经封装中介板结构的剖视图。
[0021]图10A至图10I说明根据本揭露一些实施例在中介板结构中形成电容结构的剖视图。
[0022]图11A至图11H说明根据本揭露一些实施例形成经封装中介板结构的剖视图。
[0023]图12A至图12D说明根据本揭露一些实施例形成经封装中介板结构的剖视图。
具体实施方式
[0024]本申请案主张2020年10月30日申请的美国专利申请号第17/085,770号的优先权，该案的全部揭示内容以引用方式全部并入本揭露中。本申请案亦主张2021年6月11日申请的美国临时专利案第63/209,923号的优先权，该案的全部揭示内容以引用方式全部并入本揭露中。
[0025]以下揭露内容提供用于实施本揭露的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，此等仅为实例且不旨在限制。举例而言，在下列描述中，第一构件形成于第二构件上方或第一构件形成于第二构件的上，可包含该第一构件及该第二构件直接接触的实施例，且亦可包含额外构件形成在该第一构件与该第二构件间的实施例，使得该第一构件及该第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复组件符号及/或字母。此重复出于简化及清楚的目的，且本身不代表所论述的各项实施例及/或组态间的关系。
[0026]此外，为便于描述，可在本揭露中使用诸如“在
…
下面”、“在
…
下方”、“下”、“在
…
上方”、“上”及类似者的空间相对术语来描述一个组件或构件与另一(些)组件或构件的关系，如图中绘示。空间相对术语旨在涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。该装置可以有其他定向(旋转90度或按其他定向)，同样可以相应地用来解释本揭露中使用的空间相对描述词。
[0027]如本揭露中使用诸如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种组件、组件、区、层及/或区段，此等组件、组件、区、层及/或区段不应受此等术语限制。此等术语可仅用来区分一个组件、组件、区、层或区段与另一组件、组件、区、层或区段。除非由上下文清楚指示，否则诸如“第一”、“第二”及“第三”的术语当在本揭露中使用时并不暗示一序列或顺序。
[0028]图1展示了一中介板结构，其包含复数个3D电容嵌于中介板结构的一MOL/MOEL结构当中。如图所示，中介板结构10包含一衬底部分100，此衬底部分100具有一前侧100A以及相对于前侧100A的一背侧100B。中介板结构10进一步包含一线路部分102位于衬底部分100的前侧100A上。
[0029]在一些实施例中，衬底部分100是用以容置半导体装置组件的一半导体晶圆。在一些实施例中，衬底部分100是用以将寄生电阻和电感最小化的一绝缘衬底。在一些实施例中，衬底部分100是由硅或玻璃所构成。在一些实施例中，衬底部分100中包含主动或被动装
置组件，举例而言，装置组件可包含存储器结构或功率调节器。
[0030]现有的电容结构可以被形成在中介板结构的衬底部分，其中于衬底部分100可形成复数个沟槽。每个沟槽(或所谓的深沟槽(deep trench))可具有介于约10微米至约30微米，或是介于约20微米至约30微米的深度。然而，沟槽的深度在一定程度上弱化了中介板结构的衬底部分的机械强度。另一方面，相较于材料为半导体的例子，在衬底部分是由绝缘材料所制成的情况中，形成深沟槽的经济效率会更低，从而并不具有吸引力。
[0031]因此，在本揭露的一个面向中，目的在于改变中介板结构10的衬底部分100的上方的层的结构，以解决现有的深沟槽电容结构所带来的问题，并且有效利用中介板结构10当中的空间。仍参考图1，线路部分102是位于衬底部分100的前侧100A上。线路部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中介板结构，其包含：衬底部分；线路部分，其位于所述衬底部分上；互连部分，其位于所述线路部分上；通孔，其穿透所述衬底部分及所述线路部分；及电容结构，其嵌于所述线路部分中；其中，所述互连部分包含第一金属线路电性耦接于所述电容结构。2.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述第一金属线路是设置于所述通孔上，且所述第一金属线路是电性耦接于所述通孔及所述电容结构。3.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述通孔穿透所述衬底部分、所述线路部分及所述互连部分，且所述通孔是断接于所述第一金属线路。4.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述互连部分是用以与第一半导体晶粒键合，且所述衬底部分是用以与封装衬底键合。5.如权利要求4所述的中介板结构，其中所述互连部分是进一步用于与第二半导体晶粒键合，所述互连部分进一步包含第二金属线路电性连接于所述第一半导体晶粒及所述第二半导体晶粒。6.如权利要求5所述的中介板结构，其中所述第二金属线路是断接于所述第一金属线路或所述通孔。7.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述衬底部分是由半导体或绝缘体所构成。8.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述电容结构包含：一金属底板；一金属顶板，其位于所述金属底板上；及复数个电容单元，其位于所述金属底板及所述金属顶板间。9.如权利要求8所述的中介板结构，其中每个所述电容单元包含：第一导电膜，其包含：第一部分，其连接所述金属底板；及第二部分，其连接所述第一部分及自所述金属底板向所述金属顶板延伸；及第二导电膜，其相邻于所述第一导电膜且连接所述金属顶板及自所述金属顶板向所述金属底板延伸；其中，所述第二导电膜是垂直地与所述第一导电膜的所述第二部分交错。10.如权利要求8所述的中介板结构，其进一步包含：第一接触，其连接所述互连部分的第一金属层及所述金属顶板；及第二接触，其连接所述第一金属层及所述金属底板；其中，所述第一接触及所述第二接触的垂直长度是实质相同。11.如权利要求8所述的中介板结构，其进一步包含：第一接触，其连接所述互连部分的第一金属层及所述金属顶板；及第二接触，其连接所述第一金属层及所述金属底板；其中，所述第一接触及所述第二接触的垂直长度是不相同。12.如权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文良，
申请(专利权)人：爱普科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：