中介板结构及其制造方法技术

本揭露提供一种中介板结构。所述中介板结构包含复数个中介板单元，其从上视角度是呈阵列排列。每个所述中介板单元包含第一区域及复数个第二区域。所述第一区域具有电容结构。每个所述第二区域不具有所述电容结构。所述第一区域是环绕所述第二区域。本揭露亦提供一种制造中介板结构的方法。造中介板结构的方法。造中介板结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
中介板结构及其制造方法


[0001]本揭露系有关于一种中介板结构及其制造方法，特别是所揭露的中介板结构具有复数个三维(3D)电容位于中段制程(middle
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end
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of
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line，MOL/MEOL)结构当中。

技术介绍

[0002]2.5D组装是一种用于在单个封装体中包含多个集成电路(IC)晶粒的封装技术。这种方法通常使用在对性能和低功耗有高度需求的应用。在2.5D组装的技术范畴中，IC晶粒的间的通讯是经由硅中介板或有机中介板所实现的。目前，奠基于对高性能应用的使用，以及对微型化和更高组件密度的需求持续增加，利用硅中介板的2.5D封装技术正在广泛发展当中。

技术实现思路

[0003]本揭露的一实施例是关于一种中介板结构。该中介板结构包含一衬底部分、一线路部分、一互连部分、一通孔及一电容结构。该线路部分是设置于该衬底部分上。该互连部分是设置于该线路部分上。该通孔穿透该衬底部分及该线路部分。该电容结构是嵌于该线路部分中。该互连部分包含一第一金属线路电性耦接于该电容结构。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中介板结构，其包含：衬底部分；线路部分，其位于所述衬底部分上；互连部分，其位于所述线路部分上；通孔，其穿透所述衬底部分及所述线路部分；及电容结构，其嵌于所述线路部分中；其中，所述互连部分包含第一金属线路电性耦接于所述电容结构。2.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述第一金属线路是设置于所述通孔上，且所述第一金属线路是电性耦接于所述通孔及所述电容结构。3.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述通孔穿透所述衬底部分、所述线路部分及所述互连部分，且所述通孔是断接于所述第一金属线路。4.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述互连部分是用以与第一半导体晶粒键合，且所述衬底部分是用以与封装衬底键合。5.如权利要求4所述的中介板结构，其中所述互连部分是进一步用于与第二半导体晶粒键合，所述互连部分进一步包含第二金属线路电性连接于所述第一半导体晶粒及所述第二半导体晶粒。6.如权利要求5所述的中介板结构，其中所述第二金属线路是断接于所述第一金属线路或所述通孔。7.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述衬底部分是由半导体或绝缘体所构成。8.如权利要求1所述的中介板结构，其中所述电容结构包含：一金属底板；一金属顶板，其位于所述金属底板上；及复数个电容单元，其位于所述金属底板及所述金属顶板间。9.如权利要求8所述的中介板结构，其中每个所述电容单元包含：第一导电膜，其包含：第一部分，其连接所述金属底板；及第二部分，其连接所述第一部分及自所述金属底板向所述金属顶板延伸；及第二导电膜，其相邻于所述第一导电膜且连接所述金属顶板及自所述金属顶板向所述金属底板延伸；其中，所述第二导电膜是垂直地与所述第一导电膜的所述第二部分交错。10.如权利要求8所述的中介板结构，其进一步包含：第一接触，其连接所述互连部分的第一金属层及所述金属顶板；及第二接触，其连接所述第一金属层及所述金属底板；其中，所述第一接触及所述第二接触的垂直长度是实质相同。11.如权利要求8所述的中介板结构，其进一步包含：第一接触，其连接所述互连部分的第一金属层及所述金属顶板；及第二接触，其连接所述第一金属层及所述金属底板；其中，所述第一接触及所述第二接触的垂直长度是不相同。12.如权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文良，
申请(专利权)人：爱普科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：