半导体存储器装置制造方法及图纸

本公开提供了一种能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区域和单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其限定单元区域；位线结构，其位于单元区域中；第一外围栅极结构，其位于衬底的外围区域上，第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于第一外围栅极结构周围；以及插入层间绝缘膜，其位于外围层间绝缘膜和第一外围栅极结构上，并且包括与外围层间绝缘膜的材料不同的材料。外围层间绝缘膜的上表面低于第一外围封盖膜的上表面。表面。表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置


[0001]本公开涉及一种半导体存储器装置和用于制造其的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体元件被越来越高度集成，单个电路图案变得更精细以便于在同一区域中实施更多的半导体元件。即，随着半导体元件的集成度提高，半导体元件的部件的设计规则的维度可能会降低。
[0003]在高度规模化的半导体元件中，形成多条布线和插设在布线之间的多个埋置接触件(BC)的工艺可以逐渐变得更加复杂并且难以实施。

技术实现思路

[0004]本公开的各方面提供了一种具有改善的可靠性和性能的半导体存储器装置。
[0005]本公开的各方面还提供了一种用于制造具有改善的可靠性和性能的半导体存储器装置的方法。
[0006]然而，本公开的各方面不限于本文中所阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的这些和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。
[0007]根据本公开的各方面，提供了一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和位于单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和位于所述单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其位于所述衬底中，所述单元区域隔离膜限定所述单元区域；位线结构，其位于所述单元区域上；第一外围栅极结构，其位于所述衬底的所述外围区域上，所述第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和所述第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于所述第一外围栅极结构周围和所述衬底上；以及插入层间绝缘膜，其位于所述外围层间绝缘膜和所述第一外围栅极结构上，所述插入层间绝缘膜包括与所述外围层间绝缘膜的材料不同的材料，其中，所述外围层间绝缘膜的上表面比所述第一外围封盖膜的上表面更靠近所述衬底。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述位线结构包括单元导电线和单元线封盖膜，所述单元导电线位于所述衬底上并且在第一方向上延伸，所述单元线封盖膜位于所述单元导电线上，并且其中，所述第一外围栅极导电膜的厚度等于所述单元导电线的厚度。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述单元线封盖膜的厚度大于所述第一外围封盖膜的厚度。4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：阻挡导电结构，其包括在所述第一方向上与所述单元导电线间隔开的阻挡导电线和所述阻挡导电线上的阻挡封盖膜；以及单元层间绝缘膜，其在所述阻挡导电线与所述单元导电线之间位于所述单元区域隔离膜上，所述单元层间绝缘膜包括与所述外围层间绝缘膜的材料相同的材料，其中，所述单元层间绝缘膜的上表面比所述阻挡封盖膜的上表面更靠近所述衬底。5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度大于所述单元层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一外围栅极结构包括所述第一外围栅极导电膜的侧壁和所述第一外围封盖膜的侧壁上的外围间隔件，并且其中，所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度小于所述外围间隔件的最上部相对于所述衬底的上表面的高度。7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：第二外围栅极结构，其位于所述衬底的所述外围区域上，所述第二外围栅极结构包括第二外围栅极导电膜和所述第二外围栅极导电膜上的第二外围封盖膜；以及第三外围栅极结构，其位于所述衬底的所述外围区域上，所述第三外围栅极结构包括第三外围栅极导电膜和所述第三外围栅极导电膜上的第三外围封盖膜，其中，所述第一外围栅极结构位于所述第二外围栅极结构与所述第三外围栅极结构之间，并且其中，所述外围层间绝缘膜的上表面比所述第二外围封盖膜的上表面和所述第三外围封盖膜的上表面更靠近所述衬底。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的距离大于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的距离，并且其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度等于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度。9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的距离大于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的距离，并且其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度小于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度。10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：接触插塞，其位于所述第一外围栅极结构的相对侧上，所述接触插塞穿透所述插入层间绝缘膜和所述外围层间绝缘膜。11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述外围层间绝缘膜包括基于氧化物的绝缘材料，并且其中，所述第一外围封盖膜和所述插入层间绝缘膜各自包括氮化硅。12.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和位于所述单元区域周围的外围区域；位线结构，其位于所述单元区域上；位于所述衬底的所述外围区域上并且彼此间隔开的第一外围栅极结构、第二外围栅极结构和第三外围栅极结构；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志熏，韩正勋，洪智硕，朴桐湜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：