半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种用于形成多层导电结构的方法，其包含：形成第一导电部分；在所述第一导电部分上形成其中含有钌(Ru)的第二导电部分；在所述第二导电部分上形成第三导电部分；以及对所述第二导电部分执行硅化过程。执行硅化过程。执行硅化过程。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]在用于将晶片彼此接合的混合接合工艺中，通常使用铜(Cu)插塞。然而，如果在靠近硅的层中使用铜，则在一些情况下装置性能会由于铜污染而降低。此外，对于混合接合，由于使用Cu的膨胀来将铜插塞彼此接合，因此插塞高度需要约为500nm。出于此原因，对于精细触点，处理起来比较困难。
[0003]在一些情况下，钨(W)用于动态随机存取存储器(DRAM)中的数字线。在这些情况下，如果实行进一步的小型化，预计由于细线效应，使用钨可能无法获得必要的低电阻。因此，正在研究比钨具有更低电阻和更小细线效应的钌(Ru)的用途。然而，由于在为触点钻孔之后执行热处理以降低与数字线上的触点同时形成的硅衬底上的触点的电阻，因此在埋入触点材料之前，钌聚集在触点空间内，因此在一些情况下可能在靠近触点处出现钌的不连续处。

技术实现思路

[0004]在一个方面，本申请提供一种用于形成多层导电结构的方法，其包括：形成第一导电部分；在所述第一导电部分上形成其中含有钌(Ru)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成多层导电结构的方法，其包括：形成第一导电部分；在所述第一导电部分上形成其中含有钌(Ru)的第二导电部分；在所述第二导电部分上形成第三导电部分；以及对所述第二导电部分执行硅化过程。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：形成与所述第二导电部分的所述Ru接触的硅部分。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第二导电部分与所述第三导电部分之间提供间隙。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：通过使所述硅化形成的硅化钌膨胀来填充所述间隙。5.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：通过用所述硅化形成的硅化钌填充所述间隙来连接所述第二导电部分和所述第三导电部分。6.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：在所述硅化过程中，在约400摄氏度或更高温度下执行热处理。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第三导电部分中形成硅部分。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：在所述第二导电部分与所述第三导电部分中的所述硅部分之间提供间隙。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：通过使所述硅化形成的硅化钌膨胀来填充所述间隙。10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：在所述硅化过程中，在约400摄氏度或更高温度下执行热处理。11.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：祐川光成，大宫翔吾，井内康贵，池淵義徳，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：