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本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种用于形成多层导电结构的方法，其包含：形成第一导电部分；在所述第一导电部分上形成其中含有钌(Ru)的第二导电部分；在所述第二导电部分上形成第三导电部分；以及对所述第二导电部分执行硅化过程。执行硅化过程。执...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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