集成电路导线结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路导线结构及其制造方法，集成电路导线结构的制造方法包括：提供基板及位于基板上的第一介电层。在第一介电层上形成第一蚀刻遮罩。通过第一蚀刻遮罩蚀刻第一介电层，以形成沟槽。在沟槽中形成第一导电结构，并在第一导电结构及第一介电层上形成导电层。在导电层上形成对准第一导电结构设置的第二蚀刻遮罩。以及通过第二蚀刻遮罩蚀刻导电层，以形成接触第一导电结构的第二导电结构。借此，本发明专利技术的集成电路导线结构的制造方法，第一导电结构及第二导电结构可以共同形成高长径比的集成电路导线结构。高长径比的集成电路导线结构。高长径比的集成电路导线结构。

【技术实现步骤摘要】
集成电路导线结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体的
，特别涉及一种集成电路导线结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，对于集成电路的体积和面积要求越趋严格。其中，为了实现更高效的操作速度和达到更低的耗能，半导体结构的尺寸便成了关键所在。
[0003]然而，在形成半导体的导电结构常会有技术上的限制，例如光阻的高度过高容易倒塌，而难以形成特定尺寸或外型的导电结构。
[0004]因此，如何能克服技术上的难题，形成特定尺寸的导电结构，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种集成电路导线结构的制造方法，第一导电结构及第二导电结构可以共同形成高长径比的集成电路导线结构。
[0006]在本专利技术的一个或多个实施方式中，集成电路导线结构的制造方法包括提供基板及位于基板上的第一介电层；在第一介电层上形成第一蚀刻遮罩；通过第一蚀刻遮罩蚀刻第一介电层，以形成沟槽；在沟槽中形成第一导电结构，并在第一导电结构及第一介电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路导线结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基板及位于所述基板上的第一介电层；在所述第一介电层上形成第一蚀刻遮罩；通过所述第一蚀刻遮罩蚀刻所述第一介电层，以形成沟槽；在所述沟槽中形成第一导电结构，并在所述第一导电结构及所述第一介电层上形成导电层；在所述导电层上形成对准所述第一导电结构的第二蚀刻遮罩；以及通过所述第二蚀刻遮罩蚀刻所述导电层，以形成接触所述第一导电结构的第二导电结构。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，进一步包括：在所述基板与所述第一介电层之间形成第一蚀刻终止层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介电层包括第一介电子层及第二介电子层，所述第二介电子层位于所述第一介电子层上。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，进一步包括：在所述第一介电子层及所述第二介电子层之间形成第二蚀刻终止层。5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述沟槽包括：在所述第二介电子层形成第二子沟槽；在所述第一介电子层形成第一子沟槽连通所述第二子沟槽以形成所述沟槽。6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一子沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱大恩，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：