形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法技术

一种制造图形化硬遮罩的方法包括:在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。借此，可以通过开口狭小的图形化硬遮罩，进而利用图形化硬遮罩形成精细的金属线(宽度小于或等于12.5纳米)，且仅使用一个图形化硬遮罩就可以形成相当细的金属线。金属线。金属线。

【技术实现步骤摘要】
形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法


[0001]本专利技术涉及形成硬遮罩的方法及使用硬遮罩形成导电线的方法。

技术介绍

[0002]目前半导体器件的导电线的尺寸被设计为亚微米范围，因此在制造工艺中使金属线(ML)缩小变得相当困难。此外，目前形成金属线的技术也达到了极限，因此需要开发一种减小金属线宽度的方法。
[0003]因此，本领域技术人员一直致力于开发一种解决上述问题的方法。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术之一目的在于提出一种可解决上述问题的制造图形化硬遮罩的方法，其包括：在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。
[0005]在本专利技术的一个或多个实施方式中，至少一牺牲特征与多个第二光阻特征中的两紧邻者以同样的间距间隔分离。r/>[0006]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造图形化硬遮罩的方法，其特征在于，包括：在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在该硬遮罩层上及该些第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对该些第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用该至少一牺牲特征及该些第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对该硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于该硬遮罩层中以获得该图形化硬遮罩。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一牺牲特征与该些第二光阻特征中的两紧邻者以同样的间距间隔分离。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该硬遮罩层上及该些第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征，还包括：在该些第一光阻特征上形成牺牲层；以及选择性地移除该牺牲层并形成该牺牲特征，其中该牺牲特征接触该些第一光阻特征的该两紧邻者之一。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地移除该牺牲层包括：搭配终点侦测对该牺牲层执行选择性蚀刻工艺，以暴露出每一该些第一光阻特征的上表面；以及对该牺牲层执行蚀刻光刻工艺，以形成该牺牲特征。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该些第一光阻特征的该两紧邻者之间形成该至少一牺牲特征包括：形成两个该牺牲特征于该些第一光阻特征的该两紧邻者之间。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该两个牺牲特征及该些第二光阻特征的两紧邻者以同样的间距间隔分离。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该间距小于或等于12.5纳米。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些开口以相同的间距重复设置。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该些开口具有小于或等于12.5纳米的宽度。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些第一光阻特征包括碳氢化合物，而该修整工艺包括氧等离子体工艺。11.一种形成多个导电线的方法，其特征在于，包括：在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在该硬遮罩层上及该些第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建忠，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：