基准电压电路制造技术

本发明专利技术提供一种温度依存性小的基准电压电路。所述基准电压电路，包括：第一NPN晶体管，集电极与基极短路且连接有二极管；第二NPN晶体管，集电极与基极短路且连接有二极管，发射极连接于第一电位节点，且以比第一NPN晶体管大的电流密度运行；第一电阻，与第一NPN晶体管串联连接；第二电阻，一端连接于第一NPN晶体管及第一电阻串联连接的电路；第三电阻，一端连接于第二NPN晶体管的集电极；连接点，供第二电阻的另一端与第三电阻的另一端连接；运算放大电路，在第二电阻的一端连接有反相输入端子，在第三电阻的一端连接有非反相输入端子，且在连接点连接有输出端子；以及电流供给电路，连接于第一NPN晶体管的集电极。接于第一NPN晶体管的集电极。接于第一NPN晶体管的集电极。

【技术实现步骤摘要】
基准电压电路


[0001]本专利技术涉及一种基准电压电路。

技术介绍

[0002]提出了一种使用NPN晶体管的基准电压电路(例如，参考专利文献1)。
[0003]图5所示的专利文献1所记载的基准电压电路包括第一NPN晶体管Q41与第二NPN晶体管Q42、运算放大器OP和电阻41、42、43、44，其中通过使相同值的电流流经第一NPN晶体管Q41与第二NPN晶体管Q42，且对电阻44进行调整(微调)，从而得到无温度特性的基准电压。
[0004][现有技术文献][0005][专利文献][0006][专利文献1]日本专利特开2005
‑
182113号公报

技术实现思路

[0007][专利技术所要解决的问题][0008]图6是NPN晶体管的截面示意图。NPN晶体管包含发射极31、基极32、集电极33。当将NPN晶体管形成于PSUB衬底34上时，如图7所示，NPN晶体管在集电极33与PSUB衬底34间存在寄生二极管35。高温时本来应该流经NPN晶体管的电流的一部分经由所述寄生二极管35而作为寄生二极管35本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基准电压电路，其特征在于，包括：第一NPN晶体管，集电极与基极短路且连接有二极管；第二NPN晶体管，集电极与基极短路且连接有二极管，发射极连接于第一电位节点，且以比所述第一NPN晶体管大的电流密度运行；第一电阻，与所述第一NPN晶体管串联连接；第二电阻，一端连接于所述第一NPN晶体管及第一电阻串联连接的电路；第三电阻，一端连接于所述第二NPN晶体管的集电极；连接点，供所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的另一端连接；运算放大电路，在所述第二电阻的一端连接有反相输入端子，在所述第三电阻的一端连接有非反相输入端子，且在所述连接点连接有输出端子；以及电流供给电路，连接于所述第一NP...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽井英幸，冨冈勉，
申请(专利权)人：艾普凌科株式会社，
类型：发明
国别省市：