一种电流调节电路制造技术

技术编号:33323570 阅读:18 留言:0更新日期:2022-05-06 12:51
本实用新型专利技术公开了一种电流调节电路,在第一PMOS的栅极与第二PMOS的栅极之间设置了第一控制模块,第一控制模块在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接,第二PMOS导通,第一PMOS与第二PMOS共栅共源构成电流镜并输出电流;在接收到第一断开指令时控制第二PMOS断开,第二PMOS无法输出电流。在第二PMOS导通时,第二PMOS的漏极输出的电流直接流入电流调节电路的输出端,避免了第二PMOS受到导通压降的影响,从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区,满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件,保证了电流调节电路的稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电流调节电路


[0001]本技术涉及集成电路设计领域,特别是涉及一种电流调节电路。

技术介绍

[0002]在集成电路设计中,许多电路都需要电流调节电路提供稳定的电流,因此,电流调节电路设计的好坏直接影响集成电路的性能。电流调节电路一般会使用电流镜来实现调节电流调节电路的输出电流的目的,电流镜通常设置1路输入用来提供参考电流,设置并联的多路输出用来基于参考电流输出总电流。电流镜的输入电路上包括基准MOS管,电流镜的每路输出上均包括与基准MOS管共栅共源的输出MOS管及源极与输出MOS管的漏极连接的作为开关的开关MOS管,开关MOS管的漏极作为该路的输出,多路输出中的开关MOS管的漏极连接,以输出电流镜最终的总电流。但是由于开关MOS管存在导通压降,导致电流镜中的输出MOS管受到开关MOS管的影响,不能稳定工作在饱和区也就无法满足电流镜稳定工作的工作条件,进而对电流调节电路的稳定性产生影响。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种电流调节电路,可以避免第二PMOS受到导通压降的影响,从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区,满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件,保证了电流调节电路的稳定性。
[0004]为解决上述技术问题,本技术提供了一种电流调节电路,包括基准电流提供模块、第一PMOS和N个第一输出模块,每个所述第一输出模块包括第二PMOS以及第一控制模块,N为正整数;
[0005]所述基准电流提供模块的输出端与所述第一PMOS的漏极连接,用于为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流;
[0006]所述第一PMOS的源极及N个所述第一输出模块的第一端均与第一电源连接,所述第一PMOS的栅极分别与所述第一PMOS的漏极及N个所述第一输出模块的第二端连接,N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端;
[0007]所述第一控制模块的第一端作为所述第一输出模块的第二端,所述第二PMOS的源极作为所述第一输出模块的第一端,所述第一控制模块的第二端与所述第二PMOS的栅极连接,所述第二PMOS的漏极作为所述第一输出模块的第三端;
[0008]所述第一控制模块用于在接收到第一闭合指令时控制所述第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接以控制所述第二PMOS导通,在接收到第一断开指令时控制所述第二PMOS断开。
[0009]优选的,所述基准电流提供模块包括第一NMOS与第二NMOS;
[0010]所述第一NMOS的漏极作为所述基准电流提供模块的输入端,所述第一NMOS的漏极分别与所述第一NMOS的栅极以及所述第二NMOS的栅极连接,所述第一NMOS的源极接地并与所述第二NMOS的源极连接,所述第二NMOS的漏极与所述第一PMOS的漏极连接,用于根据参
考电流为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流。
[0011]优选的,所述第一控制模块包括第三PMOS和第四PMOS;
[0012]所述第三PMOS的源极作为所述第一控制模块的第一端,所述第四PMOS的源极与所述第一电源连接,所述第三PMOS的漏极与所述第四PMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第一控制模块的第二端,所述第三PMOS的栅极用于在接收第一低电平时导通,在接收到第一高电平时关断;所述第四PMOS的栅极用于在接收第二高电平时关断,在接收到第二低电平时闭合;
[0013]所述第一闭合指令包括所述第一低电平及所述第二高电平,所述第一断开指令包括所述第一高电平及所述第二低电平。
[0014]优选的,还包括参考电流提供模块,所述参考电流提供模块的输出端与所述第一NMOS的漏极连接,用于提供所述参考电流。
[0015]优选的,所述参考电流提供模块包括运算放大器、第五PMOS以及电阻,所述运算放大器的反相输入端连接第二电源,所述运算放大器的同相输入端与所述电阻的第一端连接且连接的公共端与所述第五PMOS的漏极连接,所述电阻的第二端接地并作为参考电流提供模块的输出端,所述运算放大器的输出端与所述第五PMOS的栅极连接,所述第五PMOS的源极连接第三电源。
[0016]优选的,所述第一NMOS的宽长比与所述第二NMOS的宽长比相同。
[0017]优选的,所述第一PMOS的宽长比与所述第二PMOS的宽长比相同。
[0018]优选的,还包括N个第二输出模块,每个所述第二输出模块包括第三NMOS以及第二控制模块;
[0019]N个所述第二输出模块的第一端均接地,N个所述第二输出模块的第二端均与所述第二NMOS的栅极连接,N个所述第二输出模块的第三端与N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端;
[0020]所述第二控制模块的第一端作为所述第二输出模块的第二端,所述第三NMOS的源极作为所述第二输出模块的第一端,所述第二控制模块的第二端与所述第三NMOS的栅极连接,所述第三NMOS的漏极作为所述第二输出模块的第三端;
[0021]所述第二控制模块用于在接收到第二闭合指令时控制所述第三NMOS的栅极与所述第二NMOS的栅极连接以控制所述第三NMOS导通,在接收到第二断开指令时控制所述第三NMOS断开。
[0022]优选的,所述第二控制模块包括第四NMOS和第五NMOS;
[0023]所述第四NMOS的源极作为所述第二控制模块的第一端,所述第五NMOS的源极接地,所述第四NMOS的漏极与所述第五NMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第二控制模块的第二端,所述第四NMOS的栅极用于在接收第三高电平时导通,在接收到第三低电平时关断;所述第五NMOS的栅极用于在接收第四低电平时关断,在接收到第四高电平时导通;
[0024]所述第二闭合指令包括所述第三高电平及所述第四低电平,所述第二断开指令包括所述第三低电平及所述第四高电平。
[0025]优选的,所述第三NMOS的宽长比与所述第二NMOS的宽长比相同。
[0026]本技术提供了一种电流调节电路,在第一PMOS的栅极与第二PMOS的栅极之间
设置了第一控制模块,第一控制模块在接收到第一闭合指令时控制第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接,第二PMOS导通,第一PMOS与第二PMOS共栅共源构成电流镜并输出电流;在接收到第一断开指令时控制第二PMOS断开,第二PMOS无法输出电流。在第二PMOS导通时,第二PMOS的漏极输出的电流直接流入电流调节电路的输出端,避免了第二PMOS受到导通压降的影响,从而使得第二PMOS稳定工作在饱和区,满足第二PMOS作为电流镜稳定工作的工作条件,保证了电流调节电路的稳定性。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流调节电路,其特征在于,包括基准电流提供模块、第一PMOS和N个第一输出模块,每个所述第一输出模块包括第二PMOS以及第一控制模块,N为正整数;所述基准电流提供模块的输出端与所述第一PMOS的漏极连接,用于为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流;所述第一PMOS的源极及N个所述第一输出模块的第一端均与第一电源连接,所述第一PMOS的栅极分别与所述第一PMOS的漏极及N个所述第一输出模块的第二端连接,N个所述第一输出模块的第三端连接且连接的公共端作为所述电流调节电路的输出端;所述第一控制模块的第一端作为所述第一输出模块的第二端,所述第二PMOS的源极作为所述第一输出模块的第一端,所述第一控制模块的第二端与所述第二PMOS的栅极连接,所述第二PMOS的漏极作为所述第一输出模块的第三端;所述第一控制模块用于在接收到第一闭合指令时控制所述第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接以控制所述第二PMOS导通,在接收到第一断开指令时控制所述第二PMOS断开。2.如权利要求1所述的电流调节电路,其特征在于,所述基准电流提供模块包括第一NMOS与第二NMOS;所述第一NMOS的漏极作为所述基准电流提供模块的输入端,所述第一NMOS的漏极分别与所述第一NMOS的栅极以及所述第二NMOS的栅极连接,所述第一NMOS的源极接地并与所述第二NMOS的源极连接,所述第二NMOS的漏极与所述第一PMOS的漏极连接,用于根据参考电流为所述第一PMOS提供由所述第一PMOS的漏极流向所述基准电流提供模块输出端的基准电流。3.如权利要求2所述的电流调节电路,其特征在于,所述第一控制模块包括第三PMOS和第四PMOS;所述第三PMOS的源极作为所述第一控制模块的第一端,所述第四PMOS的源极与所述第一电源连接,所述第三PMOS的漏极与所述第四PMOS的漏极连接且连接的公共端作为所述第一控制模块的第二端,所述第三PMOS的栅极用于在接收第一低电平时导通,在接收到第一高电平时关断;所述第四PMOS的栅极用于在接收第二高电平时关断,在接收到第二低电平时闭合;所述第一闭合指令包括所述第一低电平及所述第二高电平,所述第一断开指令包括所述第一高电平及所述第二低电平。4.如权利要求2所述的电流调节电路,其特征在于,还包括参考电流提供模块,所述参考电流提供模块的输出端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾真张春栋朱俊锋陈晓哲刘苗胡念楚贾斌
申请(专利权)人:开元通信技术厦门有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1