【技术实现步骤摘要】
一种氧化铟锡合金靶材的制备方法
[0001]本专利技术涉及合金靶材
,尤其涉及一种氧化铟锡合金靶材的制备方法。
技术介绍
[0002]真空镀膜技术是一种材料合成与加工的新技术,是表面工程
的重要组成部分。随着全球制造业高速发展,真空镀膜技术应用越来越广泛。从半导体集成电路、LED、显示器、触摸屏、太阳能光伏、化工以及制药等行业的发展来看,真空镀膜技术的产品涉及众多,包括制造大规模集成电路的电学膜,数字式纵向与横向均可磁化的数据纪录储存膜,充分展示和应用各种光学特性的光学膜,计算机显示用的感光膜,TFT、PDP平面显示器上的导电膜和增透膜,建筑、汽车行业上应用的玻璃镀膜和装饰膜,包装领域用防护膜、阻隔膜,装饰材料上具有各种功能装饰效果的功能膜,工、模具表面上应用的耐磨超硬膜以及纳米材料研究方面的各种功能性薄膜等,这些膜的要求越来越高,因此对真空镀膜设备、技术、材料需求都在不断增加,同时,随着工业技术的不断发展,对材料的综合性能要求也不断提高,单一材料性能已不能满足某些特定环境下工作机械的性能要求。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化铟锡合金靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将氧化铟和氧化锡置于真空滚动混料机中混合,得到混合物;B)将所述混合物抽真空后冷等静压,得到粗坯,将所述粗坯进行二次压制,得到合金靶材生坯;C)将合金靶材生坯进行真空热压烧结,得到氧化铟锡合金靶材粗品;D)将所述氧化铟锡合金靶材粗品进行退火,将步骤A)的混合物等离子喷涂至退火后的氧化铟锡合金靶材粗品表面,得到氧化铟锡合金靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤A)中,所述氧化铟和氧化锡的质量比为(6~8):(2~4),所述氧化铟的费氏平均粒度为1~7μm,氧化锡的费氏平均粒度为1~7μm。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤B)中,所述冷等静压的压力为10~60MPa,所述二次压制的压力为50~200MPa,所述合金靶材生坯的密度为相对密度>98%。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤C)中,所述真空热压烧结在氢气保护氛围下进行,压力为20~30MPa,温度为200~300℃。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄永香,
申请(专利权)人:湖南七点钟文化科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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