【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于电路和能量调节的分层式通用多功能共用传导屏蔽结构,加上电反向互补的能量通道。该屏蔽结构也具有一个共享的、中心定位的传导通道或电极,它能在通电的传导通道电极之间互补地和同时地屏蔽和允许平滑能量交互。本专利技术当通电时通常将允许内含式传导通道或电极分别和谐地、且以相位相反或反向带电的方式互相操作。当被放入电路并通电时,专利技术实施例也将提供EMI过滤和电冲击保护,与此同时在源和用能负载之间保持明显均匀或均衡的电压馈送。此外,本专利技术将几乎总是能够有效地提供同时的能量调节功能,包括旁通、能量和信号去耦、能量存储、以及集成电路栅的同时开关操作(SSO)状态中的持续平衡。随着专利技术实施例在电路内被被动地操作,这些调节功能被提供以被放置回电路系统中的寄生破坏性能量的最小贡献。今天,随着全世界社会中电子器件的密度的增加,消除电磁干扰(EMI)和使电器产品免于这种干扰的政府标准或自定标准已经变得更加严格。仅仅在若干年前,干扰的主要原因的来源和条件诸如是电压失调、来自电冲击的乱真电压瞬变、人类、或其它电磁波发生器。在更高的工作频率,以现有技术部件传播能量的线调节已经导致以EMI、RFI和电容和感应寄生为形式的干扰的水平的增加。这些增加的原因是由于无源部件固有的制造失调和性能缺陷,在以更高工作频率工作时相关电路中产生或引起干扰。EMI也可能从电路自身中产生,因此需要对EMI屏蔽。差动和共用方式噪声能量能被生成并且将总是沿着并围绕电缆、电路板轨迹或迹线、高速传输线和总线通道而移动。在许多情况中,这些关键能源导体起着辐射能量场的天线的作用,使问题更 ...
【技术保护点】
一种能量调节器,包括:传导屏蔽结构,包括传导屏蔽结构第一层、传导屏蔽结构第二层和传导屏蔽结构第三层;其中所述传导屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第二层上方,并且所述传导屏蔽结构第二层位于所述传导屏蔽结构第三层上方; 其中所述传导屏蔽结构第一层、所述传导屏蔽结构第二层和所述传导屏蔽结构第三层相互导电地连接;第一传导非屏蔽结构,所述第一传导非屏蔽结构包括第一传导非屏蔽结构第一层和第一传导非屏蔽结构第二层;其中所述第一传导非屏蔽结构第一层和所 述第一传导非屏蔽结构第二层相互导电地连接;其中所述第一传导非屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第一层和所述传导屏蔽结构第二层之间,并且所述第一传导非屏蔽结构第二层位于所述传导屏蔽结构的所有层下方;第二传导非屏蔽结构,所述第二 传导非屏蔽结构包括第二传导非屏蔽结构第一层和第二传导非屏蔽结构第二层;其中所述第二传导非屏蔽结构第一层和所述第三传导非屏蔽结构第二层相互导电地连接;其中所述第二传导非屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第二层和所述传导屏蔽结构 ...
【技术特征摘要】
US 2000-2-3 60/180101;US 2000-2-28 60/185320;US 201.一种能量调节器,包括传导屏蔽结构,包括传导屏蔽结构第一层、传导屏蔽结构第二层和传导屏蔽结构第三层;其中所述传导屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第二层上方,并且所述传导屏蔽结构第二层位于所述传导屏蔽结构第三层上方;其中所述传导屏蔽结构第一层、所述传导屏蔽结构第二层和所述传导屏蔽结构第三层相互导电地连接;第一传导非屏蔽结构,所述第一传导非屏蔽结构包括第一传导非屏蔽结构第一层和第一传导非屏蔽结构第二层;其中所述第一传导非屏蔽结构第一层和所述第一传导非屏蔽结构第二层相互导电地连接;其中所述第一传导非屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第一层和所述传导屏蔽结构第二层之间,并且所述第一传导非屏蔽结构第二层位于所述传导屏蔽结构的所有层下方;第二传导非屏蔽结构,所述第二传导非屏蔽结构包括第二传导非屏蔽结构第一层和第二传导非屏蔽结构第二层;其中所述第二传导非屏蔽结构第一层和所述第三传导非屏蔽结构第二层相互导电地连接;其中所述第二传导非屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第二层和所述传导屏蔽结构第三层之间,并且所述第二传导非屏蔽结构第二层位于所述传导屏蔽结构的所有层上方。2.权利要求1所述的能量调节器,其中所述第一传导非屏蔽结构第二层位于所述第二传导非屏蔽结构和所述传导屏蔽结构的所有层下方。3.权利要求1所述的能量调节器,其中所述第二传导非屏蔽结构第二层位于所述第一传导非屏蔽结构和所述传导屏蔽结构的所有层上方。4.权利要求1所述的能量调节器,其中所述第一传导非屏蔽结构仅仅连接到形成所述能量调节器的外表面的一部分的单一传导段。5.权利要求1所述的能量调节器,其中所述第一传导非屏蔽结构连接到两个传导段,其中每个传导段形成所述能量调节器的外表面的一部分。6.一种电路,包括权利要求1所述的能量调节器,并且还包括能量源;负载;其中所述传导屏蔽结构与从所述负载到所述能量源的第一传导路径导电地接触;和其中所述第一传导非屏蔽结构和所述第二传导非屏蔽结构均与从所述能量源到所述负载的第二传导路径导电地接触。7.一种能量调节器,包括传导屏蔽结构,包括传导屏蔽结构第一层、传导屏蔽结构第二层和传导屏蔽结构第三层;其中所述传导屏蔽结构第一层位于所述传导屏蔽结构第二层上方,并且所述传导屏蔽结构第二层位于所述传导屏蔽结构第三层上方;其中所述传导屏蔽结构第一层、所述传导屏蔽结构第二层和所述传导屏蔽结构第三层导电地相互连接;第一对传导非屏蔽层包括第一对第一层和第一对第二层;第二对传导非屏蔽层包括第二对第一层和第二对第二层;其中所述传导屏蔽结构第一层、所述传导屏蔽结构第二层、所述传导屏蔽结构第三层、所述第一对传导非屏蔽层和所述第二对传导非屏蔽层中的每一个均在第一维度和第二维度上延伸;和其中所述第一对第一层包括第一对第一层重叠区和至少一个第一对第一层非重叠区;其中所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:WM安东尼,AA安东尼,
申请(专利权)人:X二Y衰减器有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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