压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种压力传感器及其制备方法，所述压力包括衬底层；第一外延层，设置在所述衬底层的上方；内部腔室，设置在所述衬底层上方，且其顶端所在高度不高于所述第一外延层顶端所在高度；第二外延层，设置在所述内部腔室上方；岛状结构，设置在所述衬底层内部中心区域且独立于所述衬底层；连通深槽，设置在所述岛状结构与所述衬底层之间，用于将所述内部腔室与外部气体，本发明专利技术的压力传感器能够有效提高压力传感器的灵敏度一致性和线性度，提高了压力传感器的性能。了压力传感器的性能。了压力传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
压力传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微机电系统
，尤其涉及一种压力传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]压力传感器是微机电系统最早出现及应用的产品之一，按照原理分类可分为压阻式、电容式及压电式等。其中，压阻式压力传感器以其高灵敏度、后续处理简单及适合大批量生产等优点，被广泛应用于消费电子、医疗、汽车和工业控制等领域。
[0003]压力传感器的一个重要的指标是灵敏度，其与敏感膜的厚度的一致性密切相关。目前有两种典型的加工方法，一种是利用碱性溶液从硅片的背面进行腐蚀，通过控制腐蚀时间控制压阻膜的厚度，但是缺点是不能保证压阻薄膜厚度的一致性，且尺寸大；另一种是采用绝缘衬底上的硅(即silicon on insulator，SOI)进行加工，其敏感膜的厚度即为SOI上器件层厚度，但是成本高。
[0004]因此，有必要提供一种新型的压力传感器及其制备方法以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种压力传感器及其制备方法，能够有效提高压力传感器的灵敏度一致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：衬底层；第一外延层，设置在所述衬底层的上方；内部腔室，设置在所述衬底层上方，且其顶端所在高度不高于所述第一外延层顶端所在高度；第二外延层，设置在所述内部腔室上方；岛状结构，设置在所述衬底层内部中心区域且独立于所述衬底层；连通深槽，设置在所述岛状结构与所述衬底层之间，用于将所述内部腔室与外部气体导通。2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述岛状结构位于所述第一外延层相对所述衬底层的一侧，所述岛状结构在所述第一外延层所在平面的投影形状包括圆形、椭圆形、多边形中的至少一种。3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述岛状结构与所述衬底层的材质相同。4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述第一外延层内部设置有若干个沟槽，所述沟槽的一端与所述第二外延层相对所述第一外延层的一面连接，另一端与所述内部腔室导通连接。5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述沟槽在所述第一外延层所在平面的投影形状包括圆形、椭圆形、多边形中的至少一种。6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述内部腔室上方设有硅迁移层，所述硅迁移层位于所述第二外延层下方。7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第二外延层上设有电路器件，所述电路器件包括压敏电阻、导线和焊盘，所述导线电连接所述压敏电阻和焊盘。8.根据权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，所述压敏电阻和所述导线设置在所述第二外延层内部，所述焊盘设置在所述第二外延层表面。9.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述衬底层设有背腔，所述背腔用于通过所述连通深槽与所述内部腔室导通连接。10.根据权利要求9所述的压力传感器，其特征在于，所述岛状结构和所述连通深槽在所述第一外延层所在平面的投影位于所述背腔在所述第一外延层所在平面的投影内。11.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕萍，李刚，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：