改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法技术

本发明专利技术提供一种改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法，提供衬底和刻蚀机，在衬底上形成光刻胶，光刻使得衬底需要刻蚀的部分裸露；刻蚀机的脉冲射频单元采用占空比大于80％的射频信号，并且将其下电极温度选择为小于十摄氏度；利用刻蚀机刻蚀裸露出的衬底，在衬底上形成侧壁带有弧度的沟槽；脉冲射频单元采用占空比为20％至70％的射频信号，之后利用钝化气体在沟槽的侧壁形成钝化层；其中沟槽的凹面到其侧壁的距离定义为粗糙度；多次刻蚀形成沟槽以及生成钝化层，将沟槽形成为深沟槽。本发明专利技术在刻蚀过程中，降低了刻蚀步骤对侧壁的破坏，提高钝化步骤对侧壁的保护，在保证底部深度刻蚀的同时，侧壁粗糙度维持在小于32nm的较好水平。侧壁粗糙度维持在小于32nm的较好水平。侧壁粗糙度维持在小于32nm的较好水平。

【技术实现步骤摘要】
改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法。

技术介绍

[0002]博世(Bosch)工艺是指在集成电路制造中为了阻止或减弱侧向刻蚀，设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层刻蚀薄膜的工艺。这种工艺首先采用氟基活性基团进行硅的刻蚀，然后进行侧壁钝化，刻蚀和保护两步工艺交替进行。它是通过交替转换刻蚀气体与钝化气体实现刻蚀与边壁钝化。钝化气体在等离子体中能够形成氟化碳类高分子聚合物。它沉积在硅表面能够阻止氟离子与硅的反应。刻蚀与钝化每5～10s转换一个周期。在短时间的各向同性刻蚀之后即将刚刚刻蚀过的硅表面钝化。在深度方向由于有离子的物理溅射轰击，钝化膜可以保留下来，这样下一个周期的刻蚀就不会发生侧向刻蚀。通过这种周期性“刻蚀
‑
钝化
‑
刻蚀”，刻蚀只沿着深度方向进行。
[0003]在深硅刻蚀中，博世(Bosch)工艺采用“刻蚀
‑
钝化
‑
刻蚀”的循环工艺，在侧壁形成较大的粗糙度(Scallop>5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底和刻蚀机，在所述衬底上形成光刻胶，光刻使得所述衬底需要刻蚀的部分裸露；步骤二、所述刻蚀机的脉冲射频单元采用占空比大于80％的射频信号，并且将其下电极温度选择为小于十摄氏度；步骤三、利用所述刻蚀机刻蚀裸露出的所述衬底，在所述衬底上形成侧壁带有弧度的沟槽；步骤四，所述脉冲射频单元采用占空比为20％至70％的射频信号，之后利用钝化气体在所述沟槽的侧壁形成钝化层；其中所述沟槽的凹面到其侧壁的距离定义为粗糙度；步骤五、多次执行步骤二至步骤四，将所述沟槽形成为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：