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本发明提供一种改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法，提供衬底和刻蚀机，在衬底上形成光刻胶，光刻使得衬底需要刻蚀的部分裸露；刻蚀机的脉冲射频单元采用占空比大于80％的射频信号，并且将其下电极温度选择为小于十摄氏度；利用刻蚀机刻蚀裸露出的衬底，在衬底上...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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