解决外延片碎片问题的方法技术

本发明专利技术提供一种解决外延片碎片问题的方法，提供衬底，衬底上形成有外延片结构；在衬底上淀积形成覆盖外延片结构的氧化层；利用光刻和刻蚀对氧化层的最外侧部分去除，使得外延片结构最外侧裸露，其去除的宽度为第一宽度；对外延片结构进行干法刻蚀，去除裸露的外延片结构。本发明专利技术通过在氮化镓外延层器件制作前，对氮化镓外延层晶圆周边进行边缘清洁处理，以减少氮化镓外延层晶圆在高温作业中的碎片问题。少氮化镓外延层晶圆在高温作业中的碎片问题。少氮化镓外延层晶圆在高温作业中的碎片问题。

【技术实现步骤摘要】
解决外延片碎片问题的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种解决外延片碎片问题的方法。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)产品作为第三代半导体中的代表材料具有宽带隙、高临界电场、高电子迁移率和电子饱和速度等特点，高耐压和高频是氮化镓器件的主要优点并在功率和射频等器件中优势相当明显。
[0003]随着氮化镓外延成长技术的进步，8寸硅基氮化镓器件正在飞速发展，由于其成本上的优势，在不久的将来将加速取代功率和射频领域的相关器件。在现有8英寸生产线上实验氮化镓产品的共存可以进一步降低成本，并且氮化镓器件本身也有和CMOS器件实现集成的需要。
[0004]然而，氮化镓外延晶圆在高温作业中，其外延层边缘易产生碎片，影响生产质量。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种解决外延片碎片问题的方法，用于解决现有技术中氮化镓外延晶圆在高温作业中，其外延层边缘易产生碎片，影响生产质量的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种解决外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决外延片碎片问题的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有外延片结构；步骤二、在所述衬底上淀积形成覆盖所述外延片结构的氧化层；步骤三、刻蚀去除部分所述氧化层，使得所述外延片结构最外侧裸露，所述氧化层去除的宽度为第一宽度；步骤四、对所述外延片结构进行干法刻蚀，去除裸露的所述外延片结构。2.根据权利要求1所述的解决外延片碎片问题的方法，其特征在于：步骤一中的所述外延片结构包括自下而上形成于所述衬底上的缓冲层、氮化镓层、氮化铝镓势垒层和氮化镓帽层。3.根据权利要求1所述的解决外延片碎片问题的方法，其特征在于：步骤二中的所述氧化层为二氧化硅。4.根据权利要求1所述的解决外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，杨继业，孙鹏，张同博，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：