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本发明提供一种解决外延片碎片问题的方法，提供衬底，衬底上形成有外延片结构；在衬底上淀积形成覆盖外延片结构的氧化层；利用光刻和刻蚀对氧化层的最外侧部分去除，使得外延片结构最外侧裸露，其去除的宽度为第一宽度；对外延片结构进行干法刻蚀，去除裸露的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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