一种软态低压腐蚀箔的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种软态低压腐蚀箔的制备方法。本发明专利技术的软态低压腐蚀箔的制备方法的深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期，所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。本发明专利技术所制备的软态低压腐蚀箔具备高容量、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。夹心层平整和优异的折弯性能。夹心层平整和优异的折弯性能。

【技术实现步骤摘要】
一种软态低压腐蚀箔的制备方法


[0001]本专利技术涉及铝电解电容器
，更具体地，涉及一种软态低压腐蚀箔的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着电子产品设备向着轻、薄、微型化的方向发展，铝电解电容器作为其中一种重要电子元器件，其小型化、高容量化的需求也越来越迫切。腐蚀箔作为铝电解电容器中对电容量影响最大的组件，提高单位比表面积以提升腐蚀箔比容成为腐蚀箔生产中的关键技术之一。
[0003]现有低压铝电解电容器用腐蚀箔，一般是在以盐酸为主要成分的电解液中，对铝箔进行电化学腐蚀处理以扩大其表面积。现有技术公开了低压铝电解电容器用阳极箔的腐蚀方法，通过对铝箔施加交流电制得具有较高电容量的腐蚀箔，交流电波形则以正弦波、三角波、方波为主。不同交流电波形可形成不同数量及形貌的腐蚀孔，进而影响腐蚀箔的性能。传统腐蚀用交流电波形如图1所示，其中正半周期用于腐蚀成孔，负半周期腐蚀孔钝化。每个半周期内只有一个半波，反映在腐蚀过程中，波形正半周期这段时间内蚀坑中只能形成一个腐蚀孔，紧接着腐蚀孔就要被钝化，造成腐蚀效率低下；另外，单孔生长的模式很容易造成腐蚀孔在某个容易发孔的地方反复发孔造成并孔，从而导致腐蚀箔腐蚀孔层不均匀、腐蚀箔夹心层不平整等现象，影响腐蚀箔机械强度及性能；另一方面，传统腐蚀交流电波形，在正半周期铝箔腐蚀时产生较多的腐蚀产物，腐蚀产物集中，却没有传质方法将腐蚀产物与外界电解液进行交换，当腐蚀进行到一定深度时，腐蚀产物不能及时被传导至外界，就会堵塞腐蚀孔，令其不能继续向深处生长，当继续加电时，则会造成电流侵蚀已有蚀孔以及腐蚀箔表面，造成腐蚀箔并孔以及发黑掉粉的现象。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服现有腐蚀箔处理工艺中交流电波形易导致腐蚀箔的腐蚀孔层不均匀、腐蚀箔夹心层不平整、腐蚀孔不深入，腐蚀箔比容较低的缺陷和不足，提供一种软态低压腐蚀箔的制备方法，通过调整腐蚀交流电波形，使得所制备的软态低压腐蚀箔腐蚀孔深入，具备高比容、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。
[0005]本专利技术上述目的通过以下技术方案实现：
[0006]一种软态低压腐蚀箔的制备方法，包括如下步骤：
[0007]1)前处理；
[0008]2)布孔腐蚀；
[0009]3)中处理；
[0010]4)深度腐蚀；
[0011]5)后处理；
[0012]所述深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周
期，
[0013]所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，
[0014]所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，
[0015]所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。
[0016]本专利技术的软态低压腐蚀箔的制备方法所采用的交流电波形分正半周期与负半周期，呈镜像分布，其中正半周期或负半周期由两个或两个以上具有相同波形，振幅和施加时间的半波构成，每两个半波之间存在间隔，间隔时间段内的波形由正弦波、三角波、矩形波或其变形形态中的一种构成，且穿过横坐标，位于主半周的对应半周，振幅较小，时间较短。
[0017]其中：
[0018]交流电波形正半周期或负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的半波构成，其中同一个半周期内，在第一个半波发孔的基础上，第二个及以后的半波可较为轻易地继续长孔，而不必需要再次击穿负半周期形成的较厚的保护膜，而且在同一个半周期中，可在一个蚀坑中产生多个腐蚀孔，增加了横向支孔的产生概率，因此提高了腐蚀效率。
[0019]在同一半周期内，每两个半波之间存在间隔，这种波形设计，可使得间隔期内，在已发的腐蚀孔表面形成一层薄的保护膜，在下一个半波腐蚀时，保护已发的腐蚀孔不被再次腐蚀，从而避免并孔的现象出现，解决腐蚀孔层不均匀的问题。
[0020]间隔时间段内的波形由正弦波、三角波、方波或其变形形态中的一种构成，目的是通过波形控制保护膜的状态，从而控制下一个半波时，新的腐蚀孔的形貌、数量及生长位置，使得在单位厚度的铝箔中，腐蚀孔的数量及位置分布达到最优，单位厚度的腐蚀层得到更高的电容量，从而保证腐蚀箔夹心层具有一定的厚度，腐蚀箔的机械强度得到提高。
[0021]半波间隔时间段内的波形穿过横坐标，位于对应半周，振幅较小，时间较短。目的是为了加一小段异向电流，加强腐蚀孔与外部腐蚀槽液之间的物质交换，将腐蚀产物带出腐蚀孔，将新鲜的腐蚀槽液带入腐蚀孔中，为下一个半波的发孔打好基础。
[0022]本专利技术的低压腐蚀箔的制备方法，解决传统腐蚀交流电波形在腐蚀过程中遇到的问题，获得具有高比容、腐蚀孔层均匀、夹心层平整、机械强度好的腐蚀箔，对于提高低压铝电解电容器的性能有很重要的作用。
[0023]优选地，所述第二半波(2)和第三半波(3)的振幅为第一半波(1)的2～10％且施加时间为第一半波(1)的5～20％。
[0024]本专利技术中第二半波(2)与第三半波(3)在每两个发孔第一半波(1)之间产生间隔，并加一段异相电流，其目的是为了在间隔期内使腐蚀孔表面形成一层保护膜，而第二半波(2)与第三半波(3)的振幅和施加时间会影响保护膜的厚度及状态，振幅小、施加时间较短，形成的保护膜厚度不足，在后续第一半波(1)长孔过程中容易造成并孔；振幅过大、施加时间较长，形成的保护膜过厚，不利于后续第一半波(1)的继续长孔。
[0025]此外，异相电流的存在也有利于腐蚀产物被带出腐蚀孔，增加腐蚀孔与腐蚀槽液间的物质交换，提高腐蚀效率。若施加时间较短，物质交换不充分，不利于后续孔的生长；若
施加时间较长，则会影响生产效率。
[0026]优选地，所述正半周期和负半周期由2～7个具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成。
[0027]在整个半周期内，半波数优选≤7个，原因是在整个半周期内，第一半波(1)产生的蚀孔基本是连续生长的，在初始第一半波(1)产生的蚀孔基础上，后续第一半波(1)产生的蚀孔包括横向、纵向等支孔，而每个蚀孔仅由第二半波(2)或第三半波(3)间隔时间段内提供的弱保护膜保护，如果半波数较多，则产生支孔较多，易造成弱保护膜被腐蚀掉，从而产生并孔现象，影响腐蚀箔性能。
[0028]优选地，所述第一半波(1)的波形为正弦波、三角波、方波或其变形形态中的一种或几种。
[0029]进一步优选地，所述第一半波(1)的波形为方波。
[0030]所述步骤1)前处理的过程是：
[0031]将铝箔用水冲洗，以除去其表面灰尘等杂质；再将其置于前处理槽液中进行前处理，以除去铝箔表面的油污及氧化膜，并形成均匀的磷化物膜；前处理完成后将铝箔取出并进行水洗处理；
[0032]所述前处理的条件为：水冲洗的时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种软态低压腐蚀箔的制备方法，包括如下步骤：1)前处理；2)布孔腐蚀；3)中处理；4)深度腐蚀；5)后处理；其特征在于，所述深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期，所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。2.如权利要求1所述软态低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述第二半波(2)和第三半波(3)的振幅为第一半波(1)的2～10％且施加时间为第一半波(1)的5～20％。3.如权利要求1所述软态低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述正半周期和负半周期由2～7个具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成。4.如权利要求1所述软态低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述第一半波(1)的波形为正弦波、三角波、方波或其变形形态中的一种或几种。5.如权利要求1所述软态低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述步骤1)前处理的过程是：将铝箔用水冲洗，以除去其表面灰尘等杂质，再将其置于前处理槽液中进行前处理，前处理完成后将铝箔取出并进行水洗处理；所述前处理的条件为：水冲洗的时间为10～20s，前处理槽液为质量含量1～10％的磷酸水溶液，前处理槽液温度为60～80℃，前处理时间为60～120s。6.如权利要求1所述软态低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述步骤2)布孔腐蚀的过程是：将经步骤1)处理后的铝箔置于腐蚀槽液中，控制腐蚀时间，加交流电进行布孔腐蚀，腐蚀完成后将铝箔取出并进行水洗处理；所述布孔腐蚀的条件为：腐蚀槽液由质量含量5～15％的盐酸、质量含量0.01～0.1％的硫酸和质量含量0.5～1.5％的三氯化铝组成，腐蚀槽液温度为15～60℃，电流密度为0.2～0.8A/cm2，腐蚀频率为...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵龙，闫小宇，谢文娟，何凤荣，麦健航，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：