一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明专利技术在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。箔的静电容量。箔的静电容量。

【技术实现步骤摘要】
一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法


[0001]本专利技术涉及中高压腐蚀箔制备
，更具体地，涉及一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法。

技术介绍

[0002]电子信息技术和设备的快速发展和迭代，促进铝电解电容器小型化和片式化，这对铝电解电容器用阳极箔的静电等性能提出了更高的要求。
[0003]目前，中高压铝箔的电解腐蚀工艺一般包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀、后处理四个主要步骤。预处理的主要是将铝箔置于盐酸和硫酸的混合溶液中，除去光箔表面油污、杂质及氧化膜，改善表面状态，促进铝箔下一步发孔腐蚀时形成均匀分布的隧道孔；发孔腐蚀主要是通过将预处理后的铝箔置于硫酸和盐酸的混合溶液中施加直流电腐蚀，在铝箔表面形成具有一定长度和孔径的初始隧道孔；扩孔腐蚀主要是将经过发孔腐蚀的铝箔置于硝酸溶液中加电腐蚀，使隧道孔孔径进一步扩大至所需尺寸，避免化成时隧道孔被氧化膜堵死，获得高静电容量；后处理则主要是将经过扩孔腐蚀的铝箔置于硝酸溶液中，消除铝箔表面残留的金属杂质、箔灰以及隧道孔内的氯离子。
[0004]在实际生产中，腐蚀孔密度、孔洞形状及孔深入一致性是获得高静电容量的关键。为了控制孔洞形状及孔深入一致性，进而提高静电容量，现有技术公开了一种通过将发孔腐蚀后的铝箔浸入到硝酸或盐酸溶液中实现提高静电容量的方法，但该方法制备得到的腐蚀箔存在无效小孔多的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的首要目的是克服现有中高压腐蚀箔制备方法制备得到的腐蚀箔无效小孔多的问题，提供一种发孔腐蚀方法。
[0006]本专利技术的另一目的是提供一种中高压腐蚀箔的制备方法。
[0007]本专利技术的再一目的是提供一种中高压腐蚀箔。
[0008]本专利技术的进一步目的是提供所述中高压腐蚀箔的应用。
[0009]本专利技术的上述目的通过以下技术方案实现：
[0010]一种发孔腐蚀方法，步骤如下：
[0011]将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；
[0012]所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；
[0013]所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。
[0014]本专利技术所述发孔腐蚀方法在大电流腐蚀之后增加小电流腐蚀，通过控制小电流腐蚀的电流密度和腐蚀时间，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，减
少中高压腐蚀箔制备时扩孔过程中铝离子向外扩散的阻力，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，从而提高制备得到的腐蚀箔的静电容量。
[0015]优选地，所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.1～0.2A/cm2。
[0016]优选地，所述发孔腐蚀总时间为110～130s，其中第一次小电流腐蚀时间为20～40s。
[0017]优选地，所述腐蚀液中盐酸浓度为4wt.％，硫酸浓度为32wt.％，铝离子浓度为0.43mol/L，所述腐蚀液温度为70℃。
[0018]优选地，所述第一次大电流腐蚀分2段或2段以上进行，相邻两段大电流腐蚀之间进行所述第一次小电流腐蚀。
[0019]优选地，所述第一次小电流腐蚀后将进行第二次大电流腐蚀，所述第一次大电流腐蚀时间为50～70s，第一次小电流腐蚀时间为20～40s；
[0020]第二次大电流腐蚀时间为20～40s，电流密度0.5～0.6A/cm2。
[0021]更优选地，所述第二次大电流腐蚀后进行第二次小电流腐蚀，第二次小电流腐蚀时间为20～40s，电流密度为0.1～0.2A/cm2。
[0022]本专利技术还提供一种中高压腐蚀箔的制备方法，包括将铝箔依次进行预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理四个步骤，所述发孔腐蚀按照上述发孔腐蚀方法进行。
[0023]优选地，所述预处理为将铝箔置于硫酸和盐酸混合溶液中处理，溶液温度为55～70℃、处理时间20～30s。
[0024]更优选地，所述预处理为将铝箔置于4wt.％盐酸和32wt.％硫酸的混合溶液中处理，溶液温度为60℃、处理时间为20s。
[0025]优选地，所述扩孔腐蚀为将铝箔水洗后置于硝酸浓度为5～10wt.％的溶液中加电腐蚀，电流密度为0.15～0.25A/cm2，加电腐蚀时间为400～480s，溶液温度为65
‑
80℃。
[0026]更优选地，所述扩孔腐蚀为将铝箔水洗后置于硝酸浓度为8wt.％的溶液中加电腐蚀，电流密度为0.2A/cm2，加电腐蚀时间为450s，溶液温度为70℃。
[0027]优选地，所述后处理为将经过扩孔腐蚀的铝箔水洗后置于硝酸浓度为5～10wt.％的溶液中处理40～80s，溶液温度为60～80℃，然后烘干。
[0028]更优选地，所述后处理为将经过扩孔腐蚀的铝箔水洗后置于硝酸浓度为6wt.％的溶液中处理60s，溶液温度为65℃，然后烘干。
[0029]优选地，所述烘干温度为150～200℃，时间为60～120s。
[0030]本专利技术还提供所述方法制备得到的一种中高压腐蚀箔。
[0031]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0032]本专利技术提供了一种发孔腐蚀方法，所述发孔腐蚀方法在大电流腐蚀之后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的中高压腐蚀箔的静电容量。
附图说明
[0033]图1为实施例12所得腐蚀箔的表面SEM图。
[0034]图2为对比例1所得腐蚀箔的表面SEM图。
具体实施方式
[0035]为了更清楚、完整的描述本专利技术的技术方案，以下通过具体实施例进一步详细说明本专利技术，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本专利技术，并不用于限定本专利技术，可以在本专利技术权利限定的范围内进行各种改变。
[0036]实施例1
[0037]本实施例提供一种中高压腐蚀箔的制备方法，包括如下步骤：
[0038]S1.预处理：取纯度大于或等于99.99％HEC130μm厚度软态电子铝箔，在4wt.％盐酸和32wt.％硫酸的混合溶液中处理，处理温度为60℃，处理时间为20s；
[0039]S2.发孔腐蚀：
[0040]S21.将经过预处理的铝箔置于盐酸浓度为4wt.％，硫酸浓度为32wt.％，铝离子浓度为0.43mol/L的腐蚀液中进行第一次大电流腐蚀，腐蚀条件为电流密度0.55A/cm2，腐蚀液温度72℃、腐蚀时间90s；
[0041]S22.步骤S21结束后进行第一次小电流腐蚀，腐蚀条件为电流密度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发孔腐蚀方法，其特征在于，步骤如下：将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。2.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.1～0.2A/cm2。3.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述发孔腐蚀总时间为110～130s，其中第一次小电流腐蚀时间为20～40s。4.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第一次大电流腐蚀分2段或2段以上进行，相邻两段大电流腐蚀之间进行所述第一次小电流腐蚀。5.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第一次小电流腐蚀后将进行第二次大电流腐蚀，所述第一次大电流腐蚀时间为50～7...

【专利技术属性】
技术研发人员：江国东，陈锦雄，汪启桥，胡三元，闫小宇，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：