一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法技术

技术编号:32632934 阅读:20 留言:0更新日期:2022-03-12 18:07
本发明专利技术公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法,所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀;所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4~0.8A/cm2;所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05~0.25A/cm2;所述发孔腐蚀总时间为95~170s,其中第一次小电流腐蚀时间为15~50s;所述腐蚀液中盐酸浓度为2~5wt.%,硫酸浓度为25~35wt.%,铝离子浓度为0.3~0.6mol/L,所述腐蚀液温度为65~75℃。本发明专利技术在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀,可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞,有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性,减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响,提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。箔的静电容量。箔的静电容量。

【技术实现步骤摘要】
一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法


[0001]本专利技术涉及中高压腐蚀箔制备
,更具体地,涉及一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法。

技术介绍

[0002]电子信息技术和设备的快速发展和迭代,促进铝电解电容器小型化和片式化,这对铝电解电容器用阳极箔的静电等性能提出了更高的要求。
[0003]目前,中高压铝箔的电解腐蚀工艺一般包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀、后处理四个主要步骤。预处理的主要是将铝箔置于盐酸和硫酸的混合溶液中,除去光箔表面油污、杂质及氧化膜,改善表面状态,促进铝箔下一步发孔腐蚀时形成均匀分布的隧道孔;发孔腐蚀主要是通过将预处理后的铝箔置于硫酸和盐酸的混合溶液中施加直流电腐蚀,在铝箔表面形成具有一定长度和孔径的初始隧道孔;扩孔腐蚀主要是将经过发孔腐蚀的铝箔置于硝酸溶液中加电腐蚀,使隧道孔孔径进一步扩大至所需尺寸,避免化成时隧道孔被氧化膜堵死,获得高静电容量;后处理则主要是将经过扩孔腐蚀的铝箔置于硝酸溶液中,消除铝箔表面残留的金属杂质、箔灰以及隧道孔内的氯离子。
[0004]在实际生产中,腐蚀孔密度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发孔腐蚀方法,其特征在于,步骤如下:将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀;所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4~0.8A/cm2;所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05~0.25A/cm2;所述发孔腐蚀总时间为95~170s,其中第一次小电流腐蚀时间为15~50s;所述腐蚀液中盐酸浓度为2~5wt.%,硫酸浓度为25~35wt.%,铝离子浓度为0.3~0.6mol/L,所述腐蚀液温度为65~75℃。2.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法,其特征在于,所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.1~0.2A/cm2。3.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法,其特征在于,所述发孔腐蚀总时间为110~130s,其中第一次小电流腐蚀时间为20~40s。4.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法,其特征在于,所述第一次大电流腐蚀分2段或2段以上进行,相邻两段大电流腐蚀之间进行所述第一次小电流腐蚀。5.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法,其特征在于,所述第一次小电流腐蚀后将进行第二次大电流腐蚀,所述第一次大电流腐蚀时间为50~7...

【专利技术属性】
技术研发人员:江国东陈锦雄汪启桥胡三元闫小宇李洪伟
申请(专利权)人:韶关东阳光科技研发有限公司
类型:发明
国别省市:

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