【技术实现步骤摘要】
一种超高容量腐蚀箔的制造方法
[0001]本专利技术涉及电容器用电极材料
,具体涉及一种超高容量腐蚀箔的制造方法。
技术介绍
[0002]电子工业的繁荣,带动了电子信息产业的发展,人们对中高档的电解电容器腐蚀化成箔的需求量越来越大,这也导致电解电容器腐蚀化成箔市场的供不应求,为了满足电子信息产业的发展,人们迫切的要求电解电容器的比容不断提高。
[0003]腐蚀箔是以电子光箔为原材料,通过电化学腐蚀方法刻蚀电子光箔向内形成孔洞,从而扩大有效面积,形成较高比容。在形成孔洞的过程中,极易发生只腐蚀电子光箔表面,不向内里扩孔,或者把前期形成的孔洞并起来的情况,导致容量降低,影响腐蚀箔的应用及发展。
技术实现思路
[0004]针对上述现有领域存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种容量超高、操作简单且生产效果好的超高容量腐蚀箔的制造方法。为实现本专利技术的目的,采用如下技术方案:
[0005]一种超高容量腐蚀箔的制造方法,包括以下步骤:
[0006](1)预处理:将高纯铝箔置于预处理液中,
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)预处理:将高纯铝箔置于预处理液中,去除表面杂质;(2)电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于电化学腐蚀液中,于一定的温度下浸泡2
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4min;(3)发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于发孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度A的直流电条件下,浸泡腐蚀40
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80s;(4)扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用20
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30℃的自来水清洗30
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90s后,置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度B的直流电条件下,浸泡腐蚀400
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600s;(5)后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用20
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30℃的自来水清洗多次,然后于150
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250℃温度下烘干60
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120s,即制得超高容量腐蚀箔。2.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(1)中所述预处理液为磷酸的水溶液。3.根据权利要求1所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:步骤(2)中所述电化学腐蚀的温度为70
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85℃。4.根据权利要求1或3所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液的组成相同。5.根据权利要求4所述超高容量腐蚀箔的制造方法,其特征在于:所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液均由0.55
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技术研发人员:刑闯,陈小兵,李晓天,
申请(专利权)人:南通南辉电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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