一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明专利技术的低压腐蚀箔经如下方法制备得到：将预处理的铝箔一级发孔腐蚀，再置于水中进行超声清洗后，置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；将上述铝箔二级发孔腐蚀，再置于水中进行超声清洗后，置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；将上述铝箔三级发孔腐蚀后，再置于水中进行超声清洗；经后处理，得到所述低压腐蚀箔。通过三次发孔腐蚀，并在发孔腐蚀后均进行超声清洗，可以有效清除孔洞中附着的金属铝，优化低压腐蚀箔的内部结构，从而获得孔洞均匀的低压腐蚀箔，进一步使得制得的低压阳极箔的耐水合性能优异。压阳极箔的耐水合性能优异。压阳极箔的耐水合性能优异。

【技术实现步骤摘要】
一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及低压腐蚀箔
，更具体的，涉及一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]铝电解电容器是广泛应用于电子电器行业的一种储能元件，而铝电解电容器用阳极箔是其重要的原材料，阳极箔的结构特性决定着铝电解电容器的电性能。低压阳极箔的生产工艺一般为：铝箔
→
前处理
→
腐蚀处理
→
后处理
→
化成处理
→
得到低压阳极箔。
[0003]低压阳极箔的腐蚀处理是通过电化学腐蚀在铝箔表面形成具有一定孔径和深度的孔洞，使铝箔扩大表面积，得到高比容的低压腐蚀箔。然而常规工艺生产的低压腐蚀箔的孔洞内部结构易参差不齐，会造成后续低压阳极箔在使用过程中性能上的偏差，特别是耐水合性较差。
[0004]现有技术公开了一种高比容高耐水合性低压铝电解电容器阳极形成箔的制造方法，通过使用含有全氟一元羧酸、一元羧酸铵盐、全氟二元羧酸或全氟二元羧酸铵盐的形成液对腐蚀铝箔进行阳极氧化处理，提升低压铝电解电容器阳极箔表面氧化膜的耐水合性能。但该方法需要额外进行三次的阳极氧化处理，且仅从低压阳极箔的化成角度来改善，并未从根本上改善低压腐蚀箔自身的孔洞结构。
[0005]因此，需要开发出一种具有均匀孔洞结构的低压腐蚀箔，使得制备的低压阳极箔具有优异的耐水合性能。

技术实现思路

[0006]本专利技术为克服上述现有技术所述的耐水合性差的缺陷，提供一种低压腐蚀箔的制备方法。
[0007]本专利技术的另一目的在于提供上述制备方法制得的低压腐蚀箔。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供上述低压腐蚀箔的应用。
[0009]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0010]一种低压腐蚀箔的制备方法，包括如下步骤：
[0011]S1.将预处理的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到一级发孔铝箔；
[0012]S2.将步骤S1.制得的一级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，再置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；
[0013]S3.将步骤S2.中处理后的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到二级发孔铝箔；
[0014]S4.将步骤S3.制得的二级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，再置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；
[0015]S5.将步骤S4.中处理后的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到三级发孔铝箔；
[0016]S6.将步骤S5.制得的三级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，经后处理，得到所述低压腐蚀箔；
[0017]步骤S2.、步骤S4.和步骤S6.中所述超声清洗的条件均为：功率0.05～0.5w/cm2，频率30～50KHz，时间2～10s。
[0018]由于低压阳极箔的腐蚀过程使用了交流电，产生的孔洞中会有一些与孔壁附着力很轻的金属铝。这些铝在低压阳极箔卷绕成电容器芯包以及含浸的时候，由于外力的作用以及酸性药液的浸泡，容易掉落，从而影响电容器的性能，特别是耐水合性。
[0019]专利技术人研究发现，通过三次发孔腐蚀，并在发孔腐蚀后均进行超声清洗，可以有效清除孔洞中附着的金属铝，优化低压腐蚀箔的内部结构，从而获得孔洞均匀的低压腐蚀箔，进一步使得制得的低压阳极箔的耐水合性能优异。
[0020]优选地，步骤S1.中，所述预处理为：将铝箔置于3～10wt.％H3PO4溶液中，在60～80℃条件下浸泡40～80s。
[0021]优选地，步骤S1.、S3.和S5.中，所述酸溶液均为：0.5～2wt.％硫酸、10～25wt.％氯离子的水溶液。
[0022]优选地，步骤S1.中，在交流电下发孔腐蚀的具体工艺为：40～55℃温度下，在电流密度为0.35～0.6A/cm2的交流电下进行发孔腐蚀25～60s。
[0023]优选地，步骤S3.中，在交流电下发孔腐蚀的具体工艺为：20～35℃温度下，在电流密度为0.15～0.35A/cm2的交流电下进行发孔腐蚀500～800s。
[0024]优选地，步骤S5.中，在交流电下发孔腐蚀的具体工艺为：15～35℃温度下，在电流密度为0.1～0.3A/cm2的交流电下进行发孔腐蚀500～800s。
[0025]在本专利技术的制备方法中，三次发孔腐蚀的过程中：步骤S1.的第一次发孔腐蚀使用高电流密度，形成的孔密度高、孔径小，可以得到更高的比表面积，第一次发孔腐蚀的时间不宜过长，时间太长的话会使得表面剥蚀严重，降低腐蚀效率。步骤S3.和步骤S5.的第二、第三次发孔腐蚀的条件为较低温、较低电流密度，其目的是在一级发孔的基础上继续深入，而不会破坏表层。得到孔径适宜的孔洞结构，从而在能够满足低压化成的前提下尽可能高的提高表面积，从而使得比容更高。
[0026]步骤S1.、S3.和S5.中，所述交流电可以为任意波形交流电。
[0027]优选地，步骤S2.和S4.中，所述己二酸铵溶液均为7～15wt.％己二酸铵水溶液。
[0028]优选地，步骤S2.和S4.中，在直流电下中处理的具体工艺均为：70～85℃温度下，在电流密度为0.05～0.2A/cm2的直流电下进行中处理30～50s。
[0029]优选地，步骤S6.中，所述后处理为：
[0030]步骤S6.制得的铝箔置于40～60℃的7.5～15wt％硫酸溶液中浸泡80～120s，再于300～450℃高温烘干。
[0031]优选地，步骤S1.中，所述铝箔的铝纯度≥99.99％。
[0032]优选地，步骤S1.中，所述铝箔的厚度为110～130μm。
[0033]优选地，步骤S1.中，所述铝箔为低压软态电子铝箔。
[0034]本专利技术还保护一种低压腐蚀箔，由上述制备方法制得。
[0035]本专利技术还保护上述低压腐蚀箔在制备铝电解电容器的阳极箔中的应用。
[0036]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0037]本专利技术开发了一种低压腐蚀箔的制备方法及其制得的低压腐蚀箔。通过三次发孔腐蚀，并在发孔腐蚀后均进行超声清洗，可以有效清除孔洞中附着的金属铝，优化低压腐蚀箔的内部结构，从而获得孔洞均匀的低压腐蚀箔，进一步使得制得的低压阳极箔的耐水合性能优异。
附图说明
[0038]图1为实施例1的低压腐蚀箔的截面的隧道扫描电子显微镜图谱。
[0039]图2为对比例1的低压腐蚀箔的截面的隧道扫描电子显微镜图谱。
具体实施方式
[0040]下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的说明。
[0041]实施例及对比例中的原料均可通过市售得到；
[0042]除非特别说明，本专利技术采用的试剂、方法和设备为本
常规试剂、方法和设备。
[0043]实施例1
[0044]实施例1提供一种低压腐蚀箔，制备方法如下：
[0045]S1.预处理：取纯度大于或等于99.99％、厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将预处理的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到一级发孔铝箔；S2.将步骤S1.制得的一级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，再置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；S3.将步骤S2.中处理后的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到二级发孔铝箔；S4.将步骤S3.制得的二级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，再置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；S5.将步骤S4.中处理后的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到三级发孔铝箔；S6.将步骤S5.制得的三级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，经后处理，得到所述低压腐蚀箔；步骤S2.、步骤S4.和步骤S6.中所述超声清洗的条件均为：功率0.05～0.5w/cm2，频率30～50KHz，时间2～10s。2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1.中，所述预处理为：将铝箔置于3～10wt.％H3PO4溶液中，在60～80℃条件下浸泡40～80s。3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1.、S3.和S5.中，所述酸溶液均为：0.5～2wt.％硫酸、10～25wt.％氯离子的水溶液。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊英，杨海亮，冉亮，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：