EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:33291982 阅读:76 留言:0更新日期:2022-05-01 00:12
本申请公开了EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质,所述EMMC损耗度检测方法包括:当检测到主EMMC满足预设检测条件时,在所述主EMMC对应的存储空间中选取空闲存储区域;通过将副EMMC中的损耗度检测数据存储至所述空闲存储区域,检测所述主EMMC对应的写入性能参数;通过所述副EMMC读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据,检测所述主EMMC的读取性能参数;依据所述写入性能参数和所述读取性能参数,确定所述主EMMC的损耗度。本申请解决了现有技术中检测EMMC损耗度准确率低的技术问题。技术问题。技术问题。

【技术实现步骤摘要】
EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及计算机
,尤其涉及一种EMMC损耗度检测方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着智能电视和移动终端设备的快速发展,用于存储系统运行数据和用户数据的数据存储芯片应用得越来越广泛,其中,EMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体卡)凭借着体积小、读写速度快以及使用方便等优点,成为智能电视和移动终端设备中极为常用的数据存储芯片,与此同时,EMMC在使用过程中由于频繁的擦写以及读取导致的损耗问题也成为人们关注的焦点,目前,通常通过读取EMMC控制器中显示EMMC寿命状态的数值,也即,显示EMMC的损耗度,但是,由于显示EMMC寿命状态的数值是通过累计的读写次数结合理论读写次数计算得出的,而EMMC的批次、操作环境以及读写数据的大小均会影响理论读写次数,进而导致EMMC控制器中显示EMMC寿命状态的数值存在误差,也即,显示的EMMC损耗度存在误差,所以,检测EMMC损耗度的准确率低。

技术实现思路
<br/>[0003]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种EMMC损耗度检测方法,其特征在于,所述EMMC损耗度检测方法包括:当检测到主EMMC满足预设检测条件时,在所述主EMMC对应的存储空间中选取空闲存储区域;通过将副EMMC中的损耗度检测数据存储至所述空闲存储区域,检测所述主EMMC对应的写入性能参数;通过所述副EMMC读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据,检测所述主EMMC的读取性能参数;依据所述写入性能参数和所述读取性能参数,确定所述主EMMC的损耗度。2.如权利要求1所述EMMC损耗度检测方法,其特征在于,所述通过将副EMMC中的损耗度检测数据存储至所述空闲存储区域,检测所述主EMMC对应的写入性能参数的步骤包括:将所述副EMMC中的损耗度检测数据循环存储至所述空闲存储区域;当检测到所述空闲存储区域无法存储所述损耗度检测数据时,将已循环存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据作为第一检测数据,并确定所述第一检测数据对应的存储容量和存储时间;依据所述存储容量和存储时间的比值,计算所述主EMMC的写入性能参数。3.如权利要求1所述EMMC损耗度检测方法,其特征在于,所述读取性能参数包括第一写入性能参数和第二写入性能参数,所述通过所述副EMMC读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据,检测所述主EMMC的读取性能参数的步骤包括:通过所述副EMMC依次读取已存储至所述空闲存储区域的损耗度检测数据,将已依次读取至所述副EMMC的损耗度检测数据作为第二检测数据,并确定所述第二检测数据的读取时间;依据所述损耗度检测数据和所述读取时间的比值,计算所述第二检测数据的第一写入性能参数;依据所述第二检测数据的第一写入性能参数,确定所述主EMMC的第一写入性能参数;将所述第二检测数据和所述损耗度检测数据进行比对,获取所述第二检测数据的第二写入性能参数;依据所述第二检测数据的第二写入性能参数,确定所述主EMMC的第二写入性能参数。4.如权利要求1所述EMMC损耗度检测方法,其特征在于,所述依据所述写入性能参数和所述读取性能参数,确定所述主EMMC的损耗度的步骤包括:判断所述写入性能参数和所述读取性能参数是否均不大于第一预设性能参数;若是,则获取第二预设性能参数,并依据所述写入性能参数、所述读取性能参数以及所述第二预设性能参数,确定所述主EMMC的损耗度;若否,则将第一损耗度作为所述主EMMC的损耗度。5.如权利要求1所述EMMC损耗度检测方法,其特征在于,在所述当检测到主EMMC...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪伟忠姚文兴陈敏黄健林晓宁徐正新王德闯卢铁军
申请(专利权)人:深圳创维RGB电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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