一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法技术

本发明专利技术提供一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法，具体包括以下步骤：步骤S1，控制一机器人将一晶圆放置到一放置台上，并控制放置台上的一通气装置输出一高压气流以使晶圆悬浮于放置台上；步骤S2，喷淋一第一清洗液至晶圆的表面进行高温化学蚀刻，以及喷淋一第二清洗液至晶圆的侧面进行湿法处理，并控制机器人将晶圆取下。有益效果是本方法通过通气设备输出高压气流使晶圆处于悬浮状态，并对晶圆进行非接触式清洗，对晶圆的上表面喷淋第一清洗液进行高温化学蚀刻，对晶圆的侧面喷淋第二清洗液进行湿法处理，在晶圆的下表面喷射高压气流，以此实现对晶圆全方位的清洗、蚀刻与保护，并通过稳定加热的第一清洗液实现稳定的高温化学蚀刻反应。化学蚀刻反应。化学蚀刻反应。

【技术实现步骤摘要】
一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法


[0001]本专利技术涉及晶圆清洗蚀刻
，尤其涉及一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，对于晶圆的要求越来越高，使得清洁干净的晶圆表面对于半导体器件的制造越来越重要，在晶圆制造过程中，每一步工序结束后都需要进行清洗。
[0003]目前对于晶圆的清洗蚀刻方法往往需要设置大量的喷淋结构来喷淋不同的化学溶液至晶圆的表面进行清洗蚀刻，导致空间利用率不高，且由于清洗液温度的不稳定性，导致晶圆表面不易产生稳定的高温化学蚀刻反应，会大大减弱蚀刻效果。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法，具体包括以下步骤：
[0005]步骤S1，控制一机器人将一晶圆放置到一放置台上，并控制所述放置台上的一通气装置输出一高压气流以使所述晶圆悬浮于所述放置台上；
[0006]步骤S2，喷淋一第一清洗液至所述晶圆的表面进行高温化学蚀刻，以及喷淋一第二清洗液至所述晶圆的侧面进行湿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法，其特征在于，具体包括以下步骤:步骤S1，控制一机器人将一晶圆放置到一放置台上，并控制所述放置台上的一通气装置输出一高压气流以使所述晶圆悬浮于所述放置台上；步骤S2，喷淋一第一清洗液至所述晶圆的表面进行高温化学蚀刻，以及喷淋一第二清洗液至所述晶圆的侧面进行湿法处理，并控制所述机器人将所述晶圆取下。2.根据权利要求1所述的湿法处理方法，其特征在于，所述步骤S1中包括：根据一预设流速控制所述通气装置输出所述高压气流至所述晶圆的下表面。3.根据权利要求2所述的湿法处理方法，其特征在于，所述预设流速的取值范围为175L/min
‑
225L/min。4.根据权利要求1所述的湿法处理方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过一清洗装置对所述晶圆进行清洗，所述清洗装置包括：一中置喷嘴，设置于所述晶圆的上方，用于向所述晶圆的表面喷淋一第一清洗液以于所述晶圆的表面进行高温化学蚀刻；复数个侧置喷嘴，对称的设置于所述放置台的两侧，用于向所述晶圆的侧面喷淋一第二清洗液以对所述晶圆的侧面进行湿法处理；复数个挡板，分别设置于所述放置台表面的两端，用于和所述放置台表面形成一收纳区域以收纳所述第一清洗液和所述第二清洗液；复数个漏槽，分别穿设于所述放置台的表面，用于将所述收纳区域收纳的所述第一清洗液和所述第二清洗液输送至外部的一回收设备进行回收。5.根据权利要求4所述的湿法处理方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世保，邓信甫，陈丁堃，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：