【技术实现步骤摘要】
键合找平方法以及键合加工设备
[0001]本专利技术涉及微纳器件制造
,尤其是涉及一种键合找平方法以及键合加工设备。
技术介绍
[0002]Micro
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LED是将传统的LED薄膜化、微缩化的发光芯片阵列,一般定义为尺寸小于50μm的LED芯片。目前Micro
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LED显示技术被认为是继LCD、OLED之后最有潜力的新一代显示技术。
[0003]制作微米级别的Micro
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LED比较难,无论是对于加工精度的控制,还是对光刻、刻蚀、封装等全流程工艺的控制都提出了极高的要求。由于无法直接在硅基驱动芯片上完成Micro
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LED芯片制程,如何实现Micro
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LED与驱动芯片进行集成成了一大难点,一种可行的方案就是通过制作金属凸点阵列采用倒装焊技术将Micro
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LED芯片与驱动芯片连接在一起。
[0004]目前主要采用热压倒装焊工艺实现Micro
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LED阵列与驱动芯片的互连,以实现 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种键合找平方法,其特征在于,包括如下步骤:提供检测传感器以及待进行倒装键合的上基板和下基板,所述检测传感器用于检测与距离相关的参数,所述上基板和所述下基板正对且间隔设置;将所述检测传感器设置在所述上基板和所述下基板之间,使得所述检测传感器分别与所述上基板和所述下基板间隔,此时所述检测传感器位于第一位置并测量得到所述检测传感器与所述上基板之间的参数x1和所述检测传感器与所述下基板之间的参数x2,此时所述检测传感器与所述上基板之间的距离记为h1,所述检测传感器与所述下基板之间的距离记为h2,h1+h2=f(x1+x2);将所述检测传感器自所述第一位置移动至第二位置,并且保持所述检测传感器分别与所述上基板和所述下基板间隔并测量得到所述检测传感器与所述上基板之间的参数x3和所述检测传感器与所述下基板之间的参数x4,此时所述检测传感器与所述上基板之间的距离记为h3,所述检测传感器与所述下基板之间的距离记为h4,h3+h4=f(x3+x4);以及比较(h1+h2+Δh)和(h3+h4+Δh),即可转化为比较(x1+x2)和(x3+x4),其中,Δh为检测传感器自身的高度,当(x1+x2)和(x3+x4)之间的差值大于预设值时,提醒调整所述上基板和/或所述下基板的位置。2.根据权利要求1所述的键合找平方法,其特征在于,所述检测传感器为电容传感器,所述参数为电容值;或者,所述检测传感器为光电传感器,所述参数为电信号强度;或者,所述检测传感器为红外传感器,所述参数为反射光强度;或者,所述检测传感器为超声波传感器,所述参数为脉冲宽度。3.根据权利要求2所述的键合找平方法,其特征在于,所述预设值大于等于0。4.根据权利要求2所述的键合找平方法,其特征在于,所述第一位置在所述下基板上的正投影与所述第二位置在所述下基板上的正投影的距离为1μm~999μm。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:管云芳,邱成峰,
申请(专利权)人:深圳市思坦科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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