存储器及其读取操作方法、存储器系统技术方案

本发明专利技术实施例提供了一种存储器及其读取操作方法、存储器系统。其中，所述存储器的读取操作方法包括：确定第一次读取操作失败时，执行第二次读取操作；其中，在执行所述第二次读取操作的过程中，在第一未选定字线上施加第一导通电压，且在第二未选定字线上施加第二导通电压；所述第一未选定字线为与选定字线相邻的字线；所述第二未选定字线为所有未选定字线中除所述第一未选定字线以外的剩余未选定字线；所述第一导通电压大于所述第二导通电压；所述第二导通电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上的电压。线上的电压。线上的电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其读取操作方法、存储器系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储器及其读取操作方法、存储器系统。

技术介绍

[0002]功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，如3D NAND型存储器，在电子产品中得到了广泛的应用。然而，相关技术中，在对存储器进行读取操作时，由于读取干扰的影响，容易造成读取操作失败。

技术实现思路

[0003]为解决现有存在的技术问题的一个或多个，本专利技术实施例提出一种存储器及其读取操作方法、存储器系统。
[0004]本专利技术实施例提供了一种存储器的读取操作方法，包括：
[0005]确定第一次读取操作失败时，执行第二次读取操作；其中，
[0006]在执行所述第二次读取操作的过程中，在第一未选定字线上施加第一导通电压，且在第二未选定字线上施加第二导通电压；所述第一未选定字线为与选定字线相邻的字线；所述第二未选定字线为所有未选定字线中除所述第一未选定字线以外的剩余未选定字线；所述第一导通电压大于所述第二导通电压；所述第二导通电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上的电压。
[0007]上述方案中，所述方法还包括：
[0008]在执行所述第二次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第一读取电压，所述第一读取电压不同于第二读取电压；所述第二读取电压为执行所述第一次读取操作时，施加在选定字线上的电压。
[0009]上述方案中，所述方法还包括：
[0010]确定所述第二次读取操作失败时，执行第三次读取操作；其中，
[0011]在执行所述第三次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第三读取电压，所述第三读取电压不同于所述第一读取电压和所述第二读取电压；在所述第一未选定字线上施加第一导通电压；在所述第二未选定字线上施加所述第二导通电压。
[0012]上述方案中，所述方法还包括：
[0013]确定所述第二次读取操作失败时，执行第三次读取操作；其中，
[0014]在执行所述第三次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第三读取电压，所述第三读取电压不同于所述第一读取电压和所述第二读取电压；在所述第一未选定字线上施加第三导通电压，所述第三导通电压大于所述第一导通电压；在所述第二未选定字线上施加所述第二导通电压。
[0015]上述方案中，所述方法还包括：
[0016]根据读取次数，通过查询第一电压配置表，获取执行相应次读取操作时施加在第
一未选定字线上的导通电压；其中，所述第一电压配置表中存储了读取次数与导通电压的对应关系；
[0017]和/或，
[0018]根据读取次数，通过查询第二电压配置表，获取执行相应次读取操作时施加在选定字线上的读取电压；其中，所述第二电压配置表中存储了读取次数与读取电压的对应关系。
[0019]上述方案中，所述在第一未选定字线上施加第一导通电压，包括：
[0020]在与所述选定字线相邻的上、下各一个未选定字线上施加所述第一导通电压。
[0021]上述方案中，所述方法还包括：
[0022]执行第一次读取操作；其中，
[0023]在执行所述第一次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第二读取电压；在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上均施加第二导通电压。
[0024]上述方案中，所述确定第一次读取操作失败，包括：
[0025]当所述第一次读取操作的第一读取结果的错误位计数大于所述存储器的差错检测与修正算法的最大值时，确定第一次读取操作失败。
[0026]本专利技术实施例又提供一种存储器，包括：存储单元阵列及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；
[0027]所述外围电路配置为，确定第一次读取操作失败时，执行第二次读取操作；其中，
[0028]在执行所述第二次读取操作的过程中，在第一未选定字线上施加第一导通电压，且在第二未选定字线上施加第二导通电压；所述第一未选定字线为与选定字线相邻的字线；所述第二未选定字线为所有未选定字线中除所述第一未选定字线以外的剩余的未选定字线；所述第一导通电压大于第二导通电压；所述第二导通电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上的电压。
[0029]上述方案中，所述外围电路还配置为，在执行所述第二次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第一读取电压，所述第一读取电压不同于第二读取电压；所述第二读取电压为执行所述第一次读取操作时，施加在选定字线上的电压。
[0030]上述方案中，所述存储器还包括：寄存器；所述寄存器中存储有第一电压配置表及第二电压配置表；其中，所述第一电压配置表中存储了读取次数与导通电压的对应关系；所述第二电压配置表中存储了读取次数与读取电压的对应关系；
[0031]所述外围电路还配置为，根据读取次数，通过查询所述第一电压配置表，获取执行相应次读取操作时施加在第一未选定字线上的导通电压；和/或，根据读取次数，通过查询所述第二电压配置表，获取执行相应次读取操作时施加在选定字线上的读取电压。
[0032]上述方案中，所述外围电路包括：控制逻辑、电压产生电路及行驱动器；其中，
[0033]所述控制逻辑配置为，确定所述第一次读取操作失败时，发出第一指令；所述电压生成电路配置为，响应于所述第一指令，产生所述第一导通电压和所述第二导通电压；
[0034]所述行驱动器配置为，响应于所述第一指令，将所述第一导通电压施加到第一未选定字线上，且将所述第二导通电压施加到在所述第二未选定字线上。
[0035]上述方案中，所述存储器包括三维NAND型存储器。
[0036]本专利技术实施例还提供了一种存储器系统，包括：
[0037]一个或多个如本专利技术上述实施例中任一项所述的存储器；以及
[0038]存储器控制器，其与所述存储器耦接。
[0039]本专利技术实施例提供了一种存储器及其读取操作方法、存储器系统。其中，所述存储器的读取操作方法包括：确定第一次读取操作失败时，执行第二次读取操作；其中，在执行所述第二次读取操作的过程中，在第一未选定字线上施加第一导通电压，且在第二未选定字线上施加第二导通电压；所述第一未选定字线为与选定字线相邻的字线；所述第二未选定字线为所有未选定字线中除所述第一未选定字线以外的剩余未选定字线；所述第一导通电压大于所述第二导通电压；所述第二导通电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上的电压。本专利技术实施例中，在确定第一次读取操作失败后，由于读取窗口减小，需要触发重读操作，即需要执行第二次读取操作，此时通过在执行第二次读取操作的过程中，增大施加在与选定字线相邻的字线上的导通电压，以提高与选定字线相邻的字线所对应的沟道电势；从而减少存储数据在存储周期内经受高的导通电压的次数，如此，降低了读取干扰，增加了读取操作成功的概率，提高了存储器可靠性。
附图说明
[0040本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的读取操作方法，其特征在于，包括：确定第一次读取操作失败时，执行第二次读取操作；其中，在执行所述第二次读取操作的过程中，在第一未选定字线上施加第一导通电压，且在第二未选定字线上施加第二导通电压；所述第一未选定字线为与选定字线相邻的字线；所述第二未选定字线为所有未选定字线中除所述第一未选定字线以外的剩余未选定字线；所述第一导通电压大于所述第二导通电压；所述第二导通电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述第一未选定字线和所述第二未选定字线上的电压。2.根据权利要求1所述的存储器的读取操作方法，其特征在于，所述方法还包括：在执行所述第二次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第一读取电压，所述第一读取电压不同于第二读取电压；所述第二读取电压为执行所述第一次读取操作时，施加在所述选定字线上的电压。3.根据权利要求2所述的存储器的读取操作方法，其特征在于，所述方法还包括：确定所述第二次读取操作失败时，执行第三次读取操作；其中，在执行所述第三次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第三读取电压，所述第三读取电压不同于所述第一读取电压和所述第二读取电压；在所述第一未选定字线上施加第一导通电压；在所述第二未选定字线上施加所述第二导通电压。4.根据权利要求2所述的存储器的读取操作方法，其特征在于，所述方法还包括：确定所述第二次读取操作失败时，执行第三次读取操作；其中，在执行所述第三次读取操作的过程中，在所述选定字线上施加第三读取电压，所述第三读取电压不同于所述第一读取电压和所述第二读取电压；在所述第一未选定字线上施加第三导通电压，所述第三导通电压大于所述第一导通电压；在所述第二未选定字线上施加所述第二导通电压。5.根据权利要求1或2所述的存储器的读取操作方法，其特征在于，所述方法还包括：根据读取次数，通过查询第一电压配置表，获取执行相应次读取操作时施加在第一未选定字线上的导通电压；其中，所述第一电压配置表中存储了读取次数与导通电压的对应关系；和/或，根据读取次数，通过查询第二电压配置表，获取执行相应次读取操作时施加在选定字线上的读取电压；其中，所述第二电压配置表中存储了读取次数与读取电压的对应关系。6.根据权利要求1所述的存储器的读取操作方法，其特征在于，所述在第一未选定字线上施加第一导通电压，包括：在与所述选定字线相邻的上、下各一个未选定字线上施加所述第一导通电压。7.根据权利要求1所述的存储器的读取操作方法，其特征在于，所述方法还包括：执行第一次读取操作；其中，在执行所述第一次读取操作的过程中，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红涛，靳磊，赵向南，黄莹，关蕾，闵园园，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：