一种提高固态硬件存储性能方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种提高固态硬件存储性能方法及装置，涉及固态硬盘存储领域，该方法包括记录各个SSD(Solid State Drive，固态硬盘)块区写入待读取数据的写入时间；接到任一SSD块区读取命令后，依照存储时长与偏移电压的对应关系，以对应的偏移电压读取所述待读取数据；所述存储时长与偏移电压的对应关系由测试数据在不同SSD块区存储不同的时间后，记录成功读取所述测试数据所使用的偏移电压所得到，本发明专利技术减少了因为长时间存储劣化造成的重读次数，进而提升了SSD的数据读取性能，减少了主机响应延迟，减少了SSD错误处理的开销。减少了SSD错误处理的开销。减少了SSD错误处理的开销。

【技术实现步骤摘要】
一种提高固态硬件存储性能方法及装置


[0001]本专利技术涉及固态硬盘存储领域，具体涉及一种提高固态硬件存储性能方法及装置。

技术介绍

[0002]SSD(Solid State Drive，固态硬盘)是由若干个NAND闪存阵列组成的存储设备，以Micron B47R Flash为例，一个512GB的SSD，由8个Nand Flash Die组成，每个die相同序号的block构成一个SSD的逻辑存储单元，称之为row block，简称rblock。
[0003]通常，当主机需要从SSD读取数据的时候，SSD控制器通过其内部的FTL算法来确定数据所在的die和rblock，然后使用读取自NAND flash底层操作命令，将数据从对应的flash颗粒中读出，再通过SSD的和主机接口将数据返回给主机。
[0004]但是，因为Nand flash自身具有数据保持(data retention)的可靠性问题——写到flash内部的数据信号会随着时间流逝而发生变化，进而导致SSD间隔一段时间后再直接去读的时候会产生误码。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高固态硬件存储性能方法，其特征在于，其包括：记录各个SSD(Solid State Drive，固态硬盘)块区写入待读取数据的写入时间；接到任一SSD块区读取命令后，依照存储时长与偏移电压的对应关系，以对应的偏移电压读取所述待读取数据；所述存储时长与偏移电压的对应关系由测试数据在不同SSD块区存储不同的时间后，记录成功读取所述测试数据所使用的偏移电压所得到。2.如权利要求1所述的一种提高固态硬件存储性能方法，其特征在于：若所述SSD长时间掉电且无计时模块，则在SSD上电后，根据SSD自校准功能提供的建议电压计算SSD掉电时间，创建或更新各个SSD块区的写入时间。3.如权利要求1所述的一种提高固态硬件存储性能方法，其特征在于：SSD由于长时间掉电，产生多次重读，启动所述SSD自校准功能；根据SSD自校准功能提供的建议电压计算SSD掉电时间，创建或更新各个SSD块区的写入时间。4.如权利要求1所述的一种提高固态硬件存储性能方法，其特征在于：若所述SSD长时间掉电且有计时模块，则在SSD上电后，根据所述计时模块创建或更新各个SSD块区的写入时间。5.如权利要求1所述的一种提高固态硬件存储性能方法，其特征在于，所述接到任一SSD块区读取命令后，依照所述存储时长与偏移电压的对应关系，以对应的偏移电压读取所述待读取数据，包括：响应SSD块区读取命令，获取该SSD块区的写入时间，并根据读取时间，计算得到该SSD块区对应的存储时长；获取所述存储时长与偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：李悦，弗兰克，
申请(专利权)人：至誉科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：