本发明专利技术公开了一种多块NVME SSD高低温测试方法及系统，方法包括以下步骤：通过上位机获取NVME SSD测试项目；控制执行NVME SSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果；当NVME SSD和系统链路连接测试通过后，控制通过下位机治具的插槽插接NVME SSD并执行NVME SSD测试项目，获取NVME SSD测试结果，并进行结果分类和显示(成功和失败，显示失败原因)。本申请通过上位机和下为机通信的方式，多台下位机通过PCIE Switch及其治具可以同时对多块NVME SSD进行正常读写测试、掉电上电读写测试、高低温压力测试，有效保证NVME SSD产品质量、提升产品生产效率。提升产品生产效率。提升产品生产效率。
【技术实现步骤摘要】
多块NVMESSD高低温测试方法及系统
[0001]本专利技术涉及固态硬盘存储设备测试方法
，具体是涉及一种多块NVMESSD高低温测试方法及系统。
技术介绍
[0002]SSD(固态驱动器)是一种非易失性存储介质，可将固态闪存存储在固态闪存中。构成SSD的两个关键组件是闪存控制器和NAND闪存芯片。SSD控制器的架构配置经过优化，可为顺序和随机数据请求提供高读写性能。SSD有时被称为闪存驱动器或固态磁盘。
[0003]SSD与硬盘驱动器(HDD)不同，SSD没有移动部件可以断开或旋转。传统的硬盘驱动器由一个旋转磁盘组成，该磁盘在称为执行器的机械臂上具有读/写头。HDD机制和硬盘封装为集成单元。尽管SSD现在在台式机和笔记本电脑中很常见，但由于其较低的单位成本和较高的平均耐久性，企业和计算机制造商历来使用旋转磁盘。旋转的HDD以磁性方式读取和写入数据，这是连续使用中最古老的存储介质之一。然而，磁性能会导致机械故障。相反，SSD将数据读取和写入互连闪存芯片的基板，互连闪存芯片由硅制成。制造商通过在网格中堆叠芯片来实现SSD，以实现不同的密度。
[0004]为了防止波动，SSD制造商设计具有浮栅晶体管(FGR)的器件来保持电荷。这允许SSD即使在未连接到电源时也能保留存储的数据。每个FGR包含一位数据，如果充电电池指定为1，或者如果电池没有电荷则指定为0。
[0005]NVME类型的SSD通过计算机上的PCIE插插槽进行连接使用，通过标准通用工具对盘进行读写测试时，每次只能对一块盘进行读写测试，并且不能对盘控制掉电、上电然后读写的测试，对产品质量和生产效率带来了严重的瓶颈限制。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足，提供一种多块NVMESSD高低温测试方法及系统。
[0007]第一方面，本申请提供了一种多块NVMESSD高低温测试方法，应用于多块NVMESSD高低温测试装置中，所述多块NVMESSD高低温测试装置包括：
[0008]上位机，采用Windows系统，用于控制Chamber(腔室，本申请中，指的是NVMESSD)进行高低温的变化，下发测试脚本，获取NVMESSD测试项目，分类上传结果到QMS系统；
[0009]下位机，采用Linux系统，所述下位机的PCIE插槽上链接PCIESwitch及PCIESwitch治具，所述PCIESwitch治具的插槽用于插接NVMESSD进行测试；
[0010]其中，所述上位机与所述下位机通信连接，用于发送测试脚本到下位机；
[0011]所述多块NVMESSD高低温测试方法包括以下步骤：
[0012]通过上位机获取NVMESSD测试项目；
[0013]控制执行NVMESSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果；
[0014]当NVMESSD和系统链路连接测试通过后，控制通过下位机治具的插槽插接NVME
SSD并执行NVMESSD测试项目，获取NVMESSD测试结果，并进行成功和失败测试结果分类，显示失败原因。
[0015]根据第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述通过上位机获取NVMESSD测试项目的步骤，具体包括以下步骤：
[0016]获取测试项目，所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试。
[0017]根据第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述获取测试项目，所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试的步骤，具体包括以下步骤：
[0018]控制上位机程序启动，读取上位机测试项配置信息；
[0019]比对上位机测试项配置信息和预设测试项配置结果，获取比对结果；
[0020]当比对结果为上位机测试项配置信息和预设测试项配置结果匹配时，判定测试项配置信息准备好，当测试项配置信息准备好时，控制上位机获取测试项目，所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试。
[0021]根据第一方面，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述控制执行NVMESSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果的步骤，具体包括以下步骤：
[0022]控制获取NVMESSD对应于下位机上的串口；
[0023]控制获取NVMESSD对应于下位机上的串口执行掉电上电测试操作。
[0024]根据第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述控制获取NVMESSD对应于下位机上的串口执行掉电上电测试操作的步骤，具体包括以下步骤：
[0025]控制获取NVMESSD对应于下位机上的串口初始化；
[0026]枚举PCIESwitch治具的插槽上的NVMESSD；
[0027]控制依次对多个NVMESSD进行移除掉电并等待第一预设时间操作；
[0028]控制依次对多个NVMESSD进行上电并等待第二预设时间操作。
[0029]根据第一方面，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述所述控制执行NVMESSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果的步骤之后，还包括以下步骤：
[0030]控制从PCIESwitch治具的插槽上依次移除NVMESSD，并对PCIESwitch治具的插槽进行扫描。
[0031]根据第一方面，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述当NVMESSD和系统链路连接测试通过后，控制通过下位机治具的插槽插接NVMESSD并执行NVMESSD测试项目，获取NVMESSD测试结果，并进行成功和失败测试结果分类，显示失败原因的步骤之后，还包括以下步骤：
[0032]控制发送NVMESSD测试结果到上位机及QMS系统。
[0033]第二方面，本申请提供了一种多块NVMESSD高低温测试系统，
[0034]应用于多块NVMESSD高低温测试装置中，所述多块NVMESSD高低温测试装置包括：
[0035]上位机，采用Windows系统，用于控制Chamber进行高低温的变化，下发测试脚本，获取NVMESSD测试项目，分类上传结果到QMS系统；
[0036]下位机，采用Linux系统，所述下位机的PCIE插槽上链接PCIESwitch及PCIE
Switch治具，所述PCIESwitch治具的插槽用于插接NVMESSD进行测试；
[0037]其中，所述上位机与所述下位机通信连接，用于发送测试脚本到下位机；
[0038]所述多块NVMESSD高低温测试系统包括：
[0039]测试项目获取模块，用于通过通过上位机获取NVMESSD测试项目；
[0040]链路连接测试模块，用于控制执行NVMESSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果；
[0041]测试项目测试模块，与所述测试项目获取模块通信和所述链路连接测试模块通信连接，用于当NVMESS本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多块NVME SSD高低温测试方法，其特征在于，应用于多块NVME SSD高低温测试装置中，所述多块NVME SSD高低温测试装置包括：上位机，采用Windows系统，用于控制Chamber进行高低温的变化，下发测试脚本，获取NVME SSD测试项目，分类上传结果到QMS系统；下位机，采用Linux系统，所述下位机的PCIE插槽上链接PCIE Switch及PCIE Switch治具，所述PCIE Switch治具的插槽用于插接NVME SSD进行测试；其中，所述上位机与所述下位机通信连接，用于发送测试脚本到下位机；所述多块NVME SSD高低温测试方法包括以下步骤：通过上位机获取NVME SSD测试项目；控制执行NVME SSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果；当NVME SSD和系统链路连接测试通过后，控制通过下位机治具的插槽插接NVME SSD并执行NVME SSD测试项目，获取NVME SSD测试结果，并进行成功和失败测试结果分类，显示失败原因。2.如权利要求1所述的多块NVME SSD高低温测试方法，其特征在于，所述通过上位机获取NVME SSD测试项目的步骤，具体包括以下步骤：获取测试项目，所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试。3.如权利要求2所述的多块NVME SSD高低温测试方法，其特征在于，所述获取测试项目，所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试的步骤，具体包括以下步骤：控制上位机程序启动，读取上位机测试项配置信息；比对上位机测试项配置信息和预设测试项配置结果，获取比对结果；当比对结果为上位机测试项配置信息和预设测试项配置结果匹配时，判定测试项配置信息准备好，当测试项配置信息准备好时，控制上位机获取测试项目，所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试。4.如权利要求1所述的多块NVME SSD高低温测试方法，其特征在于，所述控制执行NVME SSD和系统链路连接测试操作，获取连接测试结果的步骤，具体包括以下步骤：控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口并进行初始化；控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口执行掉电上电测试操作。5.如权利要求4所述的多块NVME SSD高低温测试方法，其特征在于，所述控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口执行掉电上电测试操作的步骤，具体包括以下步骤：控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口初始化对应治具上串口的版本信息；枚举PCIE Switch治具的插槽上的NVME SSD；控制依次对多个NVME SSD...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗恒毅，弗兰克，
申请(专利权)人：至誉科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：
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